Expression différentielle des récepteurs "scavenger" de classe B de type I (SR-BI) et de type II (SR-BII) dans le testicule de souris et de vison

Mémoire numérisé par la Direction des bibliothèques de l'Université de Montréal.

Relations entre la lipolyse adipocytaire, la périlipine et l'obésité dans une perspective de physiopathologie telle le diabète de type II

Mémoire numérisé par la Direction des bibliothèques de l'Université de Montréal.

Rôle de l'inositol polyphosphate 4-phosphatase de type II (Inpp4b) dans la différenciation et l'activité des ostéoclastes

Thèse numérisée par la Direction des bibliothèques de l'Université de Montréal.

LSQ13fn: A type II-Plateau supernova with a possibly low metallicity progenitor that breaks the standardised candle relation∗

We present optical imaging and spectroscopy of supernova (SN) LSQ13fn, a type II supernova with several hitherto-unseen properties. Although it initially showed strong symmetric spectral emission features attributable to He ii, N iii, and C iii, reminiscent of some interacting SNe, it transitioned into an object that would fall more naturally under a type II-Plateau (IIP) classification. However, its spectral evolution revealed several unusual properties: metal lines appeared later than expected, were weak, and some species were conspicuous by their absence. Furthermore, the line velocities were found to be lower than expected given the plateau brightness, breaking the SN IIP standardised candle method for distance estimates. We found that, in combination with a short phase of early-time ejecta-circumstellar material interaction, metal-poor ejecta, and a large progenitor radius could reasonably account for the observed behaviour. Comparisons with synthetic model spectra of SNe IIP of a given progenitor mass would imply a progenitor star metallicity as low as 0.1 Z_⊙. LSQ13fn highlights the diversity of SNe II and the many competing physical effects that come into play towards the final stages of massive star evolution immediately preceding core-collapse.

Applying the expanding photosphere and standardized candle methods to Type II-Plateau supernovae at cosmologically significant redshifts . The distance to SN 2013eq

Based on optical imaging and spectroscopy of the Type II-Plateau SN 2013eq, we present a comparative study of commonly used distance determination methods based on Type II supernovae. The occurrence of SN 2013eq in the Hubble flow (z = 0.041 ± 0.001) prompted us to investigate the implications of the difference between "angular" and "luminosity" distances within the framework of the expanding photosphere method (EPM) that relies upon a relation between flux and angular size to yield a distance. Following a re-derivation of the basic equations of the EPM for SNe at non-negligible redshifts, we conclude that the EPM results in an angular distance. The observed flux should be converted into the SN rest frame and the angular size, θ, has to be corrected by a factor of (1 + z)2. Alternatively, the EPM angular distance can be converted to a luminosity distance by implementing a modification of the angular size. For SN 2013eq, we find EPM luminosity distances of DL = 151 ± 18 Mpc and DL = 164 ± 20 Mpc by making use of different sets of dilution factors taken from the literature. Application of the standardized candle method for Type II-P SNe results in an independent luminosity distance estimate (DL = 168 ± 16 Mpc) that is consistent with the EPM estimate. Spectra of SN 2013eq are available in the Weizmann Interactive Supernova data REPository (WISeREP): http://wiserep.weizmann.ac.il

Effect of dental tissue conditioners and matrix metalloproteinase inhibitors on type I collagen microstructure analyzed by Fourier transform infrared spectroscopy

Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo (FAPESP)

Comprendre et maîtriser le passage de type I à type II de puits quantiques d'In(x)Ga(1-x)As(y)Sb(1-y) sur substrat de GaSb

Les antimoniures sont des semi-conducteurs III-V prometteurs pour le développement de dispositifs optoélectroniques puisqu'ils ont une grande mobilité d'électrons, une large gamme spectrale d'émission ou de détection et offrent la possibilité de former des hétérostructures confinées dont la recombinaison est de type I, II ou III. Bien qu'il existe plusieurs publications sur la fabrication de dispositifs utilisant un alliage d'In(x)Ga(1-x)As(y)Sb(1-y) qui émet ou détecte à une certaine longueur d'onde, les détails, à savoir comment sont déterminés les compositions et surtout les alignements de bande, sont rarement explicites. Très peu d'études fondamentales sur l'incorporation d'indium et d'arsenic sous forme de tétramères lors de l'épitaxie par jets moléculaires existent, et les méthodes afin de déterminer l'alignement des bandes des binaires qui composent ces alliages donnent des résultats variables. Un modèle a été construit et a permis de prédire l'alignement des bandes énergétiques des alliages d'In(x)Ga(1-x)As(y)Sb(1-y) avec celles du GaSb pour l'ensemble des compositions possibles. Ce modèle tient compte des effets thermiques, des contraintes élastiques et peut aussi inclure le confinement pour des puits quantiques. De cette manière, il est possible de prédire la transition de type de recombinaison en fonction de la composition. Il est aussi montré que l'indium ségrègue en surface lors de la croissance par épitaxie par jets moléculaires d'In(x)Ga(1-x)Sb sur GaSb, ce qui avait déjà été observé pour ce type de matériau. Il est possible d'éliminer le gradient de composition à cette interface en mouillant la surface d'indium avant la croissance de l'alliage. L'épaisseur d'indium en surface dépend de la température et peut être évaluée par un modèle simple simulant la ségrégation. Dans le cas d'un puits quantique, il y aura une seconde interface GaSb sur In(x)Ga(1-x)Sb où l'indium de surface ira s'incorporer. La croissance de quelques monocouches de GaSb à basse température immédiatement après la croissance de l'alliage permet d'incorporer rapidement ces atomes d'indium et de garder la seconde interface abrupte. Lorsque la composition d'indium ne change plus dans la couche, cette composition correspond au rapport de flux d'atomes d'indium sur celui des éléments III. L'arsenic, dont la source fournit principalement des tétramères, ne s'incorpore pas de la même manière. Les tétramères occupent deux sites en surface et doivent interagir par paire afin de créer des dimères d'arsenic. Ces derniers pourront alors être incorporés dans l'alliage. Un modèle de cinétique de surface a été élaboré afin de rendre compte de la diminution d'incorporation d'arsenic en augmentant le rapport V/III pour une composition nominale d'arsenic fixe dans l'In(x)Ga(1-x)As(y)Sb(1-y). Ce résultat s'explique par le fait que les réactions de deuxième ordre dans la décomposition des tétramères d'arsenic ralentissent considérablement la réaction d'incorporation et permettent à l'antimoine d'occuper majoritairement la surface. Cette observation montre qu'il est préférable d'utiliser une source de dimères d'arsenic, plutôt que de tétramères, afin de mieux contrôler la composition d'arsenic dans la couche. Des puits quantiques d'In(x)Ga(1-x)As(y)Sb(1-y) sur GaSb ont été fabriqués et caractérisés optiquement afin d'observer le passage de recombinaison de type I à type II. Cependant, celui-ci n'a pas pu être observé puisque les spectres étaient dominés par un niveau énergétique dans le GaSb dont la source n'a pu être identifiée. Un problème dans la source de gallium pourrait être à l'origine de ce défaut et la résolution de ce problème est essentielle à la continuité de ces travaux.

Antimony-based type-II superlattice infrared detectors

Numerous applications within the mid- and long-wavelength infrared are driving the search for efficient and cost effective detection technologies in this regime. Theoretical calculations have predicted high performance for InAs/GaSb type-II superlattice structures, which rely on mature growth of III-V semiconductors and offer many levels of freedom in design due to band structure engineering. This work focuses on the fabrication and characterization of type-II superlattice infrared detectors. Standard UV-based photolithography was used combined with chemical wet or dry etching techniques in order to fabricate antinomy-based type-II superlattice infrared detectors. Subsequently, Fourier transform infrared spectroscopy and radiometric techniques were applied for optical characterization in order to obtain a detector's spectrum and response, as well as the overall detectivity in combination with electrical characterization. Temperature dependent electrical characterization was used to extract information about the limiting dark current processes. This work resulted in the first demonstration of an InAs/GaSb type-II superlattice infrared photodetector grown by metalorganic chemical vapor deposition. A peak detectivity of 1.6x10^9 Jones at 78 K was achieved for this device with a 11 micrometer zero cutoff wavelength. Furthermore the interband tunneling detector designed for the mid-wavelength infrared regime was studied. Similar results to those previously published were obtained.

Comprendre et maîtriser le passage de type I à type II de puits quantiques d'In(x)Ga(1-x)As(y)Sb(1-y) sur substrat de GaSb

Les antimoniures sont des semi-conducteurs III-V prometteurs pour le développement de dispositifs optoélectroniques puisqu'ils ont une grande mobilité d'électrons, une large gamme spectrale d'émission ou de détection et offrent la possibilité de former des hétérostructures confinées dont la recombinaison est de type I, II ou III. Bien qu'il existe plusieurs publications sur la fabrication de dispositifs utilisant un alliage d'In(x)Ga(1-x)As(y)Sb(1-y) qui émet ou détecte à une certaine longueur d'onde, les détails, à savoir comment sont déterminés les compositions et surtout les alignements de bande, sont rarement explicites. Très peu d'études fondamentales sur l'incorporation d'indium et d'arsenic sous forme de tétramères lors de l'épitaxie par jets moléculaires existent, et les méthodes afin de déterminer l'alignement des bandes des binaires qui composent ces alliages donnent des résultats variables. Un modèle a été construit et a permis de prédire l'alignement des bandes énergétiques des alliages d'In(x)Ga(1-x)As(y)Sb(1-y) avec celles du GaSb pour l'ensemble des compositions possibles. Ce modèle tient compte des effets thermiques, des contraintes élastiques et peut aussi inclure le confinement pour des puits quantiques. De cette manière, il est possible de prédire la transition de type de recombinaison en fonction de la composition. Il est aussi montré que l'indium ségrègue en surface lors de la croissance par épitaxie par jets moléculaires d'In(x)Ga(1-x)Sb sur GaSb, ce qui avait déjà été observé pour ce type de matériau. Il est possible d'éliminer le gradient de composition à cette interface en mouillant la surface d'indium avant la croissance de l'alliage. L'épaisseur d'indium en surface dépend de la température et peut être évaluée par un modèle simple simulant la ségrégation. Dans le cas d'un puits quantique, il y aura une seconde interface GaSb sur In(x)Ga(1-x)Sb où l'indium de surface ira s'incorporer. La croissance de quelques monocouches de GaSb à basse température immédiatement après la croissance de l'alliage permet d'incorporer rapidement ces atomes d'indium et de garder la seconde interface abrupte. Lorsque la composition d'indium ne change plus dans la couche, cette composition correspond au rapport de flux d'atomes d'indium sur celui des éléments III. L'arsenic, dont la source fournit principalement des tétramères, ne s'incorpore pas de la même manière. Les tétramères occupent deux sites en surface et doivent interagir par paire afin de créer des dimères d'arsenic. Ces derniers pourront alors être incorporés dans l'alliage. Un modèle de cinétique de surface a été élaboré afin de rendre compte de la diminution d'incorporation d'arsenic en augmentant le rapport V/III pour une composition nominale d'arsenic fixe dans l'In(x)Ga(1-x)As(y)Sb(1-y). Ce résultat s'explique par le fait que les réactions de deuxième ordre dans la décomposition des tétramères d'arsenic ralentissent considérablement la réaction d'incorporation et permettent à l'antimoine d'occuper majoritairement la surface. Cette observation montre qu'il est préférable d'utiliser une source de dimères d'arsenic, plutôt que de tétramères, afin de mieux contrôler la composition d'arsenic dans la couche. Des puits quantiques d'In(x)Ga(1-x)As(y)Sb(1-y) sur GaSb ont été fabriqués et caractérisés optiquement afin d'observer le passage de recombinaison de type I à type II. Cependant, celui-ci n'a pas pu être observé puisque les spectres étaient dominés par un niveau énergétique dans le GaSb dont la source n'a pu être identifiée. Un problème dans la source de gallium pourrait être à l'origine de ce défaut et la résolution de ce problème est essentielle à la continuité de ces travaux.

Prevalence of diabetic retinopathy in type II diabetic patients in a health facility in Karachi, Pakistan

Purpose: To study the prevalence of diabetic retinopathy in known diabetic patients attending the diabetes outpatient department (OPD) of Sind Government Hospital (SGH), New Karachi Township (NKT), Pakistan. Methods: A cross-sectional observational study was carried out at the diabetic OPD of SGH, NKT over the period of 17 months from March 2013 to August 2014. The selected patients were interviewed based on a questionnaire; laboratory investigations were performed and examination of the eye was conducted by a specialist ophthalmologist. One hundred and fifty four (154) subjects out of 305 patients contacted fully completed the study. Stratification of the data on gender basis was done, after which one-way ANOVA, χ2 test of correlation, binary logistic regression and relative risk analyses were carried out using SPSS-20. Results: It was found that 66 % men of normal weight (χ2 = 4.667, p < 0.05) and 60.7 % overweight women (χ2 = 5.143, p < 0.05) were more likely to present with diabetic retinopathy (DR). Prevalence of DR in this target population was 42.86 % (N = 66). Background DR (56 %) and maculopathy (23 %) were more prevalent than advanced conditions of the disease. There was no gender-based preponderance for the presentation of DR (χ2 = 0.663; p > 0.05), nor was this seen in different ethnic groups. Conclusion: DR is prevalent in the target population and, therefore, emphasis should be on the education of the local population of New Karachi Township on how to attain euglycemic state with regular medication, diet and exercise to avoid development and progress of DR.

EBV Type II latency relies on PARP1 activity and is essential for gastric epithelial cell transformation in EBV-associated Gastric Cancer (EBVaGC)

Epstein-Barr virus (EBV) establishes a lifelong asymptomatic infection by replicating its chromatinized genome, called episome, together with the host genome. EBV exhibits different latency-associated transcriptional repertoires that mirror its three-dimensional structures of the genome. CTCF, Cohesin and PARP1 are involved in maintaining viral latency and establishing episome architecture. Epstein-Barr virus-associated gastric cancer (EBVaGC) represents almost 10% of all gastric cancers globally. EBVaGC exhibit an intermediate viral transcription profile known as "Latency II", expressing specific viral genes and non-coding RNAs. In this study, we investigated the impact of PARP1 inhibition on CTCF/Cohesin binding in Type II latency. We observed a destabilization of the binding of both factors, leading to a disrupted three-dimensional architecture of the episomes and consequently, an altered viral gene expression. Despite sharing the same CTCF binding profile, Type I, II, and III latencies display different 3D episomal structures that correlate with variations in viral gene expression. Additionally, our analysis of H3K27ac-enriched chromatin interactions revealed differences between Type II latency episomes and a link to cellular transformation through docking of the EBV episomes at specific sites of the Human genome, thus promoting oncogene expression. Overall, this work provides insights into the role of PARP1 in maintaining active latency and novel mechanisms of EBV-induced cellular transformation.

Exercise prevents the effects of experimental arthritis on the metabolism and function of immune cells

Active lymphocytes (LY) and macrophages (M Phi) are involved in the pathophysiology of rheumatoid arthritis (RA) Due to its anti-inflammatory effect. physical exercise may be beneficial in RA by acting on the immune system (IS) Thus, female Wistar rats with type II collagen-induced arthritis (CIA) were submitted to swimming training (6 weeks. 5 days/week. 60 min/day) and some biochemical and immune parameters, such as the metabolism of glucose and glutamine and function of LY and M. were evaluated In addition, plasma levels of some hormones and of interleukin-2 (IL-2) were also determined Results demonstrate that CIA increased lymphocyte proliferation (1.9- and 1 7-fold, respectively, in response to concanavalin A (ConA) and lipopolysaccharide (LPS)), as well as macrophage H(2)O(2) production (1 6-fold), in comparison to control Exercise training prevented the activation of immune cells, induced by CIA. and established a pattern of substrate utilization similar to that described as normal for these cells. Exercise also promoted an elevation of plasma levels of corticosterone (22 2%), progesterone (1 7-fold) and IL-2 (2 6-fold) Our data suggest that chronic exercise is able to counterbalance the effects of CIA on cells of the IS. reinforcing the proposal that the benefits of exercise may not be restricted to aerobic capacity and/or strength improvement Copyright (C) 2010 John Wiley & Sons, Ltd