硅基MEMS技术

结合MEMS技术的发展历史 ,概括了当今硅基MEMS加工技术的发展方向。指出表面牺牲层技术和体硅加工技术是硅基MEMS加工技术的两条发展主线 ;表面牺牲层技术向多层、集成化方向发展 ;体硅工艺主要表现为键合与深刻蚀技术的组合 ,追求大质量块和低应力以及三维加工。SOI技术是新一代的体硅工艺发展方向 ;标准化加工是MEMS研究的重要手段

微电子与微电子机械系统(MEMS)中的现代光学测试技术

介绍了微电子和微电子机械系统 (MEMS)中几种常用的变形和形貌测量方法以及相关的测量设备。其中相移云纹干涉技术用于微电子器件的面内位移测量 ,灵敏度可达到纳米量级。显微栅线投影技术用于MEMS的离面变形和形貌测量 ,灵敏度可达 0 .1微米。

The Metabolic Core and Catalytic Switches Are Fundamental Elements in the Self-Regulation of the Systemic Metabolic Structure of Cells

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