Desarrollo de estructuras nanofotonicas de campo cercano para intensificacion localizada de luz en celulas solares de banda intermedia - Near-field nanophotonic structures for localized light enhancement in intermediate band solar cells

This doctoral thesis explores some of the possibilities that near-field optics can bring to photovoltaics, and in particular to quantum-dot intermediate band solar cells (QD-IBSCs). Our main focus is the analytical optimization of the electric field distribution produced in the vicinity of single scattering particles, in order to produce the highest possible absorption enhancement in the photovoltaic medium in their surroundings. Near-field scattering structures have also been fabricated in laboratory, allowing the application of the previously studied theoretical concepts to real devices. We start by looking into the electrostatic scattering regime, which is only applicable to sub-wavelength sized particles. In this regime it was found that metallic nano-spheroids can produce absorption enhancements of about two orders of magnitude on the material in their vicinity, due to their strong plasmonic resonance. The frequency of such resonance can be tuned with the shape of the particles, allowing us to match it with the optimal transition energies of the intermediate band material. Since these metallic nanoparticles (MNPs) are to be inserted inside the cell photovoltaic medium, they should be coated by a thin insulating layer to prevent electron-hole recombination at their surface. This analysis is then generalized, using an analytical separation-of-variables method implemented in Mathematica7.0, to compute scattering by spheroids of any size and material. This code allowed the study of the scattering properties of wavelengthsized particles (mesoscopic regime), and it was verified that in this regime dielectric spheroids perform better than metallic. The light intensity scattered from such dielectric spheroids can have more than two orders of magnitude than the incident intensity, and the focal region in front of the particle can be shaped in several ways by changing the particle geometry and/or material. Experimental work was also performed in this PhD to implement in practice the concepts studied in the analysis of sub-wavelength MNPs. A wet-coating method was developed to self-assemble regular arrays of colloidal MNPs on the surface of several materials, such as silicon wafers, amorphous silicon films, gallium arsenide and glass. A series of thermal and chemical tests have been performed showing what treatments the nanoparticles can withstand for their embedment in a photovoltaic medium. MNPs arrays are then inserted in an amorphous silicon medium to study the effect of their plasmonic near-field enhancement on the absorption spectrum of the material. The self-assembled arrays of MNPs constructed in these experiments inspired a new strategy for fabricating IBSCs using colloidal quantum dots (CQDs). Such CQDs can be deposited in self-assembled monolayers, using procedures similar to those developed for the patterning of colloidal MNPs. The use of CQDs to form the intermediate band presents several important practical and physical advantages relative to the conventional dots epitaxially grown by the Stranski-Krastanov method. Besides, this provides a fast and inexpensive method for patterning binary arrays of QDs and MNPs, envisioned in the theoretical part of this thesis, in which the MNPs act as antennas focusing the light in the QDs and therefore boosting their absorption

Tres ingenieros y un proyecto : Merlo, Gutiérrez y Ribera y la Plaza de Oriente de Madrid.

Se clarifica el papel que los ingenieros Juan Merlo, Fernando Gutiérrez y Juan de Ribera tuvieron en la definición de la plaza de Oriente, uno de los espacios más emblemáticos de la ciudad de Madrid. Su proyecto de ordenación coincidente con la regencia de Espartero y llevado a cabo sólo parcialmente, dejó huella en el sitio, influyendo en la forma definitiva de la plaza. Al tiempo que se presenta a los personajes implicados, se analizan los antecedentes y el contenido, desarrollo y resultados de la operación.

Identificación de melocotones lanosos mediante técnicas no destructivas de impacto y espectroscopía en el infrarrojo cercano.

270 melocotones de la variedad Maycrest pertenecientes a 3 estados de madurez en recolección y almacenados 0, 1, 2, 3 y 4 semanas a 1°C y 5 °C, fueron ensayados mediante técnicas no destructivas (impacto no destructivo y espectroscopia en el infrarrojo cercano) con la finalidad de estimar la lanosidad (harinosidad en melocotón). Como referencia del grado de lanosidad de cada fruto se empleó procedimientos mecánicos destructivos (Magness-Taylor, compresión confinada y esfuerzo cortante). Los datos de impacto no destructivo se procesaron mediante análisis discriminante segregando los melocotones en 2 categorías de textura (crujientes, firmes y duros, y no crujientes, no firmes y blandos). De la misma manera, los melocotones fueron clasificados en 3 categorías de jugosidad de acuerdo con los valores de la segunda derivada de la curva de infrarrojo (de jugosidad alta, de jugosidad media y de jugosidad baja). Combinando los resultados de impacto e infrarrojo, la fruta no crujiente, no firme y blanda, clasificada como de jugosidad baja, fue identificada como lanosa. El porcentaje de bien clasificados es del 86,5%. Las conclusiones extraídas anteriormente por medio de ensayos destructivos, en relación con el efecto de los factores experimentales, han sido confirmadas con los procedimientos no destructivos aquí presentados: los melocotones lanosos aparecen principalmente a partir de las 2 semanas de almacenamiento a 5°C.

Análisis discriminate de la procedencia geográfica de planchas y tapones de corcho natural mediante espectroscopía en el infrarrojo cercano

El objetivo de este trabajo es evaluar el potencial de la espectroscopía en el infrarrojo cercano combinada con análisis multivariante para identificar el origen geográfico de planchas y tapones de corcho natural. Se utilizaron tres colectivos, el primero formado por 479 planchas de Marruecos, Portugal y España (escala internacional), el segundo por 179 planchas de Andalucía, Cataluña y Extremadura (escala nacional) y el tercero por 90 tapones de Andalucía y Cataluña. Se obtuvieron los datos espectroscópicos de las planchas y tapones en la sección transversal y de los tapones las secciones tangencial y radial, con un espectrofotómetro FossNIRSSystems 6500SYII mediante sonda de fibra óptica en la modalidad de reflectancia remota y longitudes de onda 400-2500 nm. Se obtuvieron diferentes modelos discriminantes mediante PLS2 con el 70% de las muestras, utilizándose el otro 30% en la validación. Se clasificaron correctamente el 98% de las planchas a escala internacional, el 95% de las planchas a escala nacional y el 90% de los tapones (sección transversal), en la calibración y en la validación. Los resultados obtenidos demuestran el potencial de la tecnología NIRS para utilizarse como método rápido y exacto en la predicción de la procedencia geográfica del corcho en plancha y tapón.

Crecimiento y caracterización de Nitruro de Indio por epitaxia de haces moleculares para aplicaciones en el infrarrojo cercano

Los nitruros del grupo III (InN, GaN y AlN) se han asentado como semiconductores importantes para la fabricación de dispositivos optoelectrónicos gracias al amplio rango de la banda prohibida ("bandgap") de estos materiales (0.7-6.2 eV) y a que dicho bandgap sea directo. Asimismo, el marcado carácter iónico de los enlaces en estos materiales les confiere una gran estabilidad química y térmica, haciéndoles así buenos candidatos para trabajar en entornos agresivos. La técnica de crecimiento epitaxial más extendida para los nitruros del grupo III es la epitaxia en fase vapor mediante precursores metalorgánicos (MOVPE) y mediante ésta se han obtenido dispositivos optoelectrónicos de alta eficiencia como los comercializados por Nichia, Sony y Toshiba entre otros. Esta técnica necesita de alta temperatura para la pirólisis de los gases reactivos, lo que a su vez incrementa la calidad cristalina de los materiales obtenidos. Sin embargo, tiene como inconvenientes la existencia de niveles altos de carbono, hidrógeno y otros compuestos orgánicos, procedentes de los precursores, que puede provocar efectos negativos de pasivación sobre los dopantes. Otra técnica de crecimiento utilizada para la obtención de nitruros del grupo III es por medio de epitaxia de haces moleculares (MBE) la cual presenta algunas ventajas sobre el MOVPE, por ejemplo: (i) el entorno de ultra alto vacío requerido (presiones base del orden de 10-11 Torr) minimiza la concentración de impurezas incorporadas al material, (ii) la pureza de los materiales empleados en las fuentes de efusión siempre superan el 99,9999%, (iii) la posibilidad de interrumpir el flujo de cualquiera de los elementos (Ga, In, Al, Si, Mg, etc.) de una manera abrupta (mediante el uso de obturadores mecánicos) dando lugar a intercaras planas a nivel atómico, y (iv) la posibilidad de reducir la velocidad de crecimiento (1 nm/min) permitiendo un control preciso del espesor crecido, y por tanto, fabricar estructuras semiconductoras complejas como las basadas en pozos cuánticos. Desde 1986 hasta la actualidad se ha mejorado mucho la calidad cristalina de las capas de InN, obteniéndose actualmente mediante estas técnicas de crecimiento, capas de InN con un valor de bandgap en torno 0.7 eV. Gracias a los numerosos trabajos presentados sobre las propiedades ópticas de este material, el intervalo de operación de los nitruros del grupo III dentro del espectro electromagnético se ha extendido hasta el infrarrojo cercano. Este hecho ha despertado un gran interés en nuevas aplicaciones, como en el campo fotovoltáico con la fabricación de células solares de multi-unión de alta eficiencia cubriendo todo el espectro solar. Se ha detectado también en este material una importante acumulación de carga eléctrica en la superficie, del orden de 1013 e-cm-2. Esta cantidad de electrones parecen acumularse en una capa de unos 4 a 6 nanómetros, incrementando la conductividad de las capas de InN. Si bien esta alta carga superficial podría utilizarse para la fabricación de sensores, ésta no es la única característica que apoya el uso del InN para la fabricación de este tipo de dispositivos. El principal objetivo de esta tesis es el estudio y optimización del crecimiento mediante la técnica de MBE de capas de nitruro de indio para aplicaciones en el rango del infrarrojo cercano. La optimización conlleva el control de la morfología y el estudio de las propiedades ópticas y eléctricas de las capas crecidas. Este objetivo principal se puede concretar en varios puntos relacionados con (i) el crecimiento de capas de nitruro de indio (InN) y sus aleaciones con galio (InGaN) y aluminio (AlInN), (ii) la caracterización de dichas capas, y (iii) el diseño, crecimiento y caracterización de heteroestructuras para aplicaciones en el rango del infrarrojo cercano. El crecimiento de capas de InN utilizando diferentes sustratos se ve afectado fundamentalmente por la temperatura de crecimiento pudiéndose afirmar que es el parámetro más crítico. El otro parámetro importante que gobierna la morfología y la calidad cristalina de las capas es la razón III/V que ha de ser precisamente controlado. Con razones III/V<<1 y a una temperatura lo suficientemente baja, se obtiene un material formado por nanocristales columnares de muy alta calidad, libres de defectos extendidos y completamente relajados, con una emisión muy intensa. Para la misma temperatura que en el caso anterior y razones III/V ligeramente por encima de estequiometría (III/V > 1), las capas obtenidas presentan una morfología compacta. Aunque también es posible obtener capas compactas en condiciones nominalmente ricas en nitrógeno (III/V <1) a temperaturas superiores.

Oriente y Occidente en el arte medieval

Oriente y Occidente en el arte medieval

Estudio y viabilidad de la orientación externa directa en levantamientos fotogramétricos de objeto cercano.

El proyecto consiste en determinar las coordenadas de un panel de test por diferentes métodos y comparar los resultados obtenidos mediante calidad posicional. Los métodos serán los siguientes: - Por topografía clásica - Por fotogrametría o Una cámara convencional (cámara primaria) realizará una pasada con tres fotografías del panel de test, se orientarán los dos pares y se restituirán para obtener coordenadas. o Midiendo una serie de marcas de la cámara primaria que serán transformadas desde otro sistema de coordenadas al sistema test podremos calcular los parámetros de orientación externa por métodos geométricos. o Otra cámara convencional (cámara secundaria) realizará tres pasadas con tres fotografías cada una de la cámara primaria para medir fotogramétricamente las marcas de esta cámara y así poder repetir el proceso de orientación directa. El resultado final de la orientación directa no ha sido válido ya que no hemos podido obtener resultados por este método. Como posibles soluciones e propone utilizar un sensor de giro o hacer un estudio en un futuro proyecto fin de carrera.

Tel Aviv 1932-1939 : de la experiencia en Occidente al experimento en Oriente

Tel-Aviv: años 30. La situación en Europa comienza a ser insostenible y muchos arquitectos judíos huyen a Palestina donde importan y adecuan los modelos modernos, aprendidos en el viejo continente, de hacer arquitectura. La ciudad, nacida en 1909 sobre las dunas a las afueras de Jaffa, crece vertiginosamente y se convierte en un laboratorio moderno sobre el tapiz urbano planeado por Patrick Geddes en 1925. En este trabajo, los múltiples factores arquitectónicos, sociales, culturales e históricos que llevaron a Tel Aviv a convertirse en la ciudad del mundo con más concentración de arquitectura moderna se entrelazan entre sí para perfi lar una imagen global a través de recorridos no lineales de lo acontecido en Tel Aviv durante los años 30. PALABRAS CLAVE: Tel Aviv, Movimiento Moderno Tel-Aviv. 30s The situation in Europe is becoming unsustainable and many Jewish architects fl ee to Palestine where they import the modernist way of thinking and doing architecture from the old continent. The city, born in 1909 on the dunes outside Jaffa, grows rapidly and becomes a modern laboratory over the urban tapestry planned by Patrick Geddes in 1925. In this paper, multiple architectural, social, cultural and historical factors that led Tel Aviv to become the city of the world with the highest concentration of modern architecture overlap over each other to shape a global image through non-linear paths of what happened in Tel Aviv during the 30’s.