35MeV／u~(36)Ar+~(112,124)Sn反应中中等质量碎片关联函数的入射道依赖

测量了35MeV／u36Ar+112,124Sn反应中小角关联出射的中等质量碎片(IMF)约化速度关联函数．结果表明36Ar+124Sn反应系统中的约化速度关联函数在小约化速度处的反关联程度比36Ar+112Sn反应系统中的强,表现出明显的入射道依赖性．考察出射粒子对的单核子总动量时,发现这种差异主要来自于高动量粒子对的贡献．用三体弹道理论模型MENEKA分别计算了两个系统的IMF发射时标,在36Ar+112Sn反应系统中约为150fm／c,而在36Ar+124Sn反应系统中,约为120fm／c．同位旋相关的量子分子动力学计算表明,36Ar+124Sn系统中IMF的发射时间谱比36Ar+112Sn系统略有前移,相应地,其中心密度从最高点随时间的下降亦比36Ar+112Sn系统略快．

~(40)Ar+~(238)U实验介绍

主要介绍了利用兰州重离子加速器提供的270 MeV的40Ar离子束轰击238U靶,通过熔合蒸发反应进行试合成Z=110附近的新同位素的实验情况。分析了目前关于超重核研究的现状并描述了这次实验的目的、可行性分析、实验装置以及实验过程等。本次实验仍然用氦喷嘴技术对产物进行传输,并用一套具有数对探测器组的转轮收集探测系统对产物进行收集和测量。

低能Ar~(3+)+Ar碰撞反应过程实验研究

测量了入射离子能量为27 keV、45 keV和66 keV时Ar3++Ar碰撞反应各子过程的分截面,通过将其归一化到Bliman,Dousson等人所测量的截面值,获得了绝对截面.结果表明,该能区电子俘获过程仍占主导地位,但转移电离过程已不能忽略.结果还表明,各子过程反应截面基本不随能量变化.与考虑自电离的MCBM(Molecular Coulombic overBarrier Model)模型比较发现,模型所给截面普遍高于实验测量值,这在一定程度上是由于归一化时带来的系统误差.在误差允许的范围内,单电子和双电子俘获截面符合的比较好,但三电子俘获截面却相差一个数量级.对于实验观测到的转移电离过程,模型却预言并没有此过程发生.

高电荷态离子Ar~(q+)与不同金属靶作用产生的X射线

研究了高电荷态离子Arq+(q=16,17,18)入射金属Be,Al,Ni,Mo,Au靶表面产生的X射线谱.实验结果表明,Ar的Kα-X射线是离子在与固体表面相互作用过程中固体表面之下形成空心原子发射的.电子组态1s2的高电荷态Ar16+离子在金属表面中性化过程中,存在的多电子激发过程使Ar16+的K壳层电子激发产生空穴,级联退激发射Ar的Kα特征X射线.Ar17+离子在金属表面作用过程中产生的X射线谱形与靶材料没有明显的关联,入射离子的Kα-X射线产额与其最初的电子组态有关,靶原子的X射线产额与入射离子的动能有关.

高电荷态离子~(40)Ar~(q+)与Au表面作用产生的X射线谱

利用光谱技术研究了高电荷态离子40Arq+(q=16,17,18)离子入射金属Au表面产生的X射线谱.分析结果表明,Ar的Kα-X射线是离子在与固体表面相互作用过程中在固体表面之下形成的空心原子发射的.当电子组态为1s2的高电荷态Ar16+离子在金属表面中性化过程中,存在着多电子激发过程使Ar16+的K壳层电子激发产生空穴,进而级联退激发射Ar的Kα特征X射线.入射离子的Kα-X射线产额与其最初的电子组态有关,靶原子的X射线产额与入射离子的动能有关.

低速高电荷态离子~(40)Ar~(16+)与云母表面作用中的电子发射研究

报道了由兰州ECR源提供的低速高电荷离子40Ar16+入射到云母表面产生的电子发射的实验测量结果.结果发现,电子发射产额Y与离子入射角ψ有近似1/tanψ的关系.基于经典过垒模型,我们对这一关系进行了理论分析.实验结果和理论结果相当符合,这就间接说明势能电子发射是低速高电荷态离子作用于表面发射电子的一个主要途径.

高电荷态离子Ar~(13+)轰击Mo金属表面形成靶原子X射线谱测量

本工作实验研究低能高电荷态Ar13+离子与金属Mo表面作用过程中Mo原子受激发射X射线和X射线强度随入射能量的变化。实验结果表明,低速高电荷离子与金属表面原子相互作用可有效地激发靶原子或靶离子内壳层电子而发射X射线。

高电荷态离子Ar~(q+)入射在金属表面形成靶原子X射线谱

本文报道低能高电荷Ar12+、Ar13+、Ar14+离子与金属Mo表面作用过程中Mo原子受激发射X射线和X射线强度随入射能量变化的实验结果。结果表明,低速高电荷离子与金属表面原子相互作用可有效地激发靶原子或靶离子内壳层电子而发射X射线。

Ar的类氦和类锂离子与Mo表面相互作用过程中的x射线发射

在兰州重离子加速器国家实验室电子回旋共振离子源上用Si(Li)探测器观测到了不同动能的Ar15+和Ar16+离子与Mo表面相互作用过程产生的x射线.在不同动能的Ar16+与Mo表面作用过程中不仅能观测到Ar的K层x射线而且能观测到Mo的L层x射线.在不同动能的Ar15+入射下只能观测到Mo的L层x射线.实验结果表明,Ar的K层x射线的产额与入射离子的动能、作用过程中形成的空心原子携带的势能以及入射离子和靶原子x射线的竞争等有关,Mo的L层x射线随入射离子动能的增加而增加.

~(40)Ar~(10+)激发半导体功能材料P-Si表面的激发光谱

报道了用ECR离子源的高电荷态离子~(40)Ar~(10+)入射到p型Si表面的实验研究,通过实验测量到的Si原子和Si~(2+)离子的200nm-1000nm光谱,研究了谱线产生的机理。实验结果表明:低速高电荷态离子与固体表面相互作用中,可有效地激发原子和离子的特征谱线,分析了这一现象和相互作用过程的发光机理。

Ar~+和He~+离子与C_(60)碰撞后富勒希离子的激发机制

C60 在与重离子作用下的激发机制与入射离子能量、质量及电荷态有关。核阻止主要出现在低能重离子与C60 的碰撞中 ;而高能轻离子作用下 ,电子阻止迅速增强 ,成为主要的激发方式。本文中直接观察到由弹性碰撞引起的C+ 峰 ,及其丰度依赖于入射离子的质量。同时我们还发现电子阻止随入射离子能量 (7～ 2 0keV)增大相应增加 ,这与绝热量子分子动力学计算的结果一致。

高电荷态离子Ar~(17+)与Mo表面作用过程中的X射线发射

观测了低速 (小于Bohr速度 )高电荷Ar17+离子与金属Mo表面相互作用的X射线发射 ,以及ArKα ,KβX射线强度随入射离子动能的变化 .

~(40)Ar~(q+)离子入射金属表面形成的靶原子的特征光谱线

用动能一定而电荷态不同的 40Arq+(6≤q≤14)离子和动能不同的40Ar6+离子分别轰击金属Al, Ti, Ni,Ta和Au表面, 以及分别用动能相同(150 keV)的129Xe6+, 129Xe10+和129Xe15+轰击Ta表面, 靶原子受激辐射发出的200~1000 nm波段的特征光谱线的实验结果. 结果表明, 合适的弹靶组合(40Ar12+轰击Al, 129Xe6+轰击Ta表面)可使靶原子受激辐射的特征光谱的强度显著增强, 而靶原子受激辐射的强度与入射离子的动能没有强的关联.

低能Ar~(9+)离子与Na原子碰撞反应中的多电子转移过程

利用近代物理研究所新建的原子物理实验平台,采用位置灵敏探测和散射离子 反冲离子飞行时间符合技术,研究了180keV的Ar9+离子与Na原子碰撞中的多电子转移过程,对实验结果做了分析和简单的讨论,并同修正后的分子库仑过垒模型结果进行了比较。

30MeV/u~(40)Ar+~(112,124)Sn反应中态布居核温度的同位旋效应

用 13单元望远镜探测器阵列测量了 30MeV u40 Ar +112 ,12 4Sn反应中小角关联粒子 ,由两体符合事件提取了α α关联函数 .用三体弹道理论模型MENEKA计算本底关联函数 ,用Monte Carlo方法计算探测效率函数 ,在扣除本底产额并考虑探测效率的修正后 ,对不同同位旋反应系统 40 Ar +112 Sn和 40 Ar+12 4Sn提取的相对态布居核温度分别是 4 .18±0 .2 50 .2 1MeV和 4 .10±0 .2 20 .2 0 MeV ;考察态布居核温度和粒子能量的关系时 ,观察到两个系统的发射温度均随着粒子能量的增加而降低 ,缺中子系统40 Ar +112 Sn中由低能时的 5 .13±0 .3 00 .2 6MeV降低到高能时的 3.87±0 .3 70 .2 9MeV ,丰中子系统 40 Ar +12 4Sn中由低能时的 5 .39±0 .3 00 .2 6MeV降低到高能时的 3.32±0 .2 80 .2 3 MeV .用激发热核衰变过程的同位旋选择性对这种同位旋相关性进行了解释