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于2010-11-23批量导入
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硅基发光材料和器件是实现光电子集成的关键。文章评述了目前取得较大进展的几种主要硅基发光材料和器件的研究,包括掺饵硅,多孔硅,纳米硅以及Si/SiO_2等超晶格结构材料。展望了这些不同硅基发光材料作为发光器件和在光电集成中的发展前景。
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简单介绍了利用LNS的回旋加速器产生的116Sn束轰击12C和24Mg靶的实验装置以及实验过程.该实验通过MEDEA探测器测量了由全熔合与非全熔合反应产生的较低激发能区(160—300MeV)质量数A≈125的热核的巨偶极共振特性,比较了不同靶子、不同束流能量时巨偶极共振的γ产额的变化.
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利用能量为 90— 1 0 5MeV的16 O束流 ,通过197Au( 16 O ,4n)反应研究了2 0 9 Fr的高自旋态能级结构 .进行了γ射线的激发函数、γ γ延迟符合及γ射线的角分布测量 .首次建立了由 2 1条γ射线构成的2 0 9Fr的能级纲图 ,其中包括一个半寿命为 ( 52± 2 0 )ns的同质异能态 .基于2 0 9Fr与2 0 8Rn低位能级结构的相似性 ,用一个h9/ 2 价质子与2 0 8Rn激发态的弱耦合解释了2 0 9Fr的低位能级结构 .