Catalytic gates for gas sensors based on SiC technology

En este trabajo se presenta un estudio químico y estructural de las capas metálicas de Pt y TaSix utilizadas como puerta catalítica en sensores de gas de alta temperatura basados en dispositivos MOS de SiC. Para ello se han depositado capas de diferentes espesores sobre substratos de Si. Los resultados muestran que con la reducción del espesor de Pt y con un recocido se consigue aumentar la rugosidad de las capas de puerta, lo que debería aumentar la sensibilidad y la velocidad de respuesta de los dispositivos que las incorporasen. Otro efecto del recocido es la transformación química del material de la puerta que, para capas delgadas de Pt con TaSix, produce la transformación total Pt en Pt2Ta, lo que podría afectar a las características catalíticas de la puerta. Los primeros resultados eléctricos indican que, a pesar de que las capas de Pt empleadas son gruesas y compactas, los diodos MOS túnel de SiC son sensibles a los gases CO y NO2, aunque presentan una velocidad de respuesta bastante lenta.

Síntesis de capas de SiC en substrato de Si mediante implantación iónica

En este trabajo se investiga la síntesis de estructuras SiC/Si mediante implantación iónica de carbono en Si. Las implantaciones se han realizado a energías entre 25 y 300 keV y las dosis en el rango lO^^ylO^^ cm , manteniendo el substrato a temperatura ambiente o 500°C. Algunas estructuras han sido recocidas a 1150°C. Los resultados indican que implantando a temperatura ambiente se forma una capa de SiC amorfa y de composición gradual, que recristaliza formando precipitados de ß-SiC con orientaciones aleatorias después del recocido. Además se forma un capa superficial rica en carbono, debida a la difusión del carbono hacia la superficie durante la implantación, y que desaparece con el recocido. Implantando a 500°C se forma directamente una capa con una muy alta densidad de precipitados de ß-SiC orientados preferencialmente con la matriz de silicio. Dada la estabilidad térmica y química de dicha capa se han realizado membranas de SiC mediante técnicas fotolitográficas y ataque químico selectivo, cuya rugosidad superficial es inferior a 6 nm. Estas membranas muestran unos gradientes de tensiones residuales, que prácticamente desaparecen después del recocido. Los resultados confirman la potencialidad de la implantación iónica para la formación de estructuras microme-cánicas de SiC sobre Si.

Dissertatio academic [sic] quantitates quasdam

Arkit: 1 arkintunnukseton lehti, A4 B1.

Om medel, at förekomma borgeliga [sic] seders almenna fördärf

Invocatio: I.J.N.

Jerusalem et suburbia eius, sic ut tempore Christi floruit cum locis in quibus Christus passus est ...

Osa I

De piis sic dictis fraudibus

Painovuosi nimekkeestä.

Hywiä tapoja opettawaiset jutut yhteiselle kansalle ja lapsille. J. P. A. [sic] Snellildä, jotka ruotzin kielestä on suomexi käändänyt Henric Chytraeus

Arkit: (:)3, A-I8 K1.

Rippi-lasten coetus kysymyxet, sittecuin he owat Jumalan kymmenen käskyin, ja mniden [sic] christin opin pääcappalitten selityxet läpitze käynet, lyhykäisten kysymysten ja wastausten canssa, toisesta uscon cappalesta, nijn myös, autuuden perustuxest, järjestyxest, ja wälicappaleista. Joihin myös muutamia muitakin kysymyxiä, synnin tundemisest ja oikiast catumuxest, sopiwaisesti sisälle temmatan, coetelda, jos he owat rippischoulusa jo opennet sen cuin heidän opeta tule; lasten opettamisesa edesmenneinä wuosina, ja erinomattain tänä wuonna rippischoulusa harjoteldut, caikille yxinkertaisille hywäxi neuwoxi, opetuxexi, ja muistutuxexi, mitä ennengin jo opetettu olis, yhteen wedetyt: jotca kysymyxet, ynnä rippilasten oman coetuxen canssa casten lijton rickomisest ja uudistuxest, Nousiaisten pappilasta on wuonna 1766 pränttijn andanut Abraham Achrenius

Arkit: A-B12.

Hywiä tapoja opettawaiset jutut yhteiselle kansalle ja lapsille. J. P. A. [sic] Snellildä, jotka ruotzin kielestä on suomexi käändänyt Henric Chytraeus

Arkit: (:)3, A-I8 K1.

Förtekning på de skrifter som utkommit ifrån Priviligierade [sic] boktryckeriet i Wasa år 1804

Julkaisutiedot kolofonista.

Förtekning på de skrifter som utkommit ifrån Priviligierade [sic] boktryckeriet i Wasa år 1805

Julkaisutiedot kolofonista.

Förtekning på de från Kongl. privil. boktryckeriet i Wasa, ifrån medio julii 1779 til medio maj [sic] 1780, utkomne och til Kongl. Riks-archivum insände tryckta skrifter

Nimeke otsikosta.

Förtekning på de från Kongl. privil. boktryckeriet i Wasa, ifrån ultimo julii 1784 til ultimo maji 1787, utkomne och til Kongl. Riks-archium [sic] insände tryckta skrifter

Nimeke otsikosta.