基于ARM920T的HIRFL-CSR前端总线控制器FBC-01

本文论述用于兰州重离子加速器冷却存储环(HIRFL-CSR)控制系统的前端总线系统控制器FBC-01的硬件设计。该控制器是基于0.8mmBGA封装的AT91RM9200(ARM9)处理器,运行嵌入式LINUX操作系统。控制器可以连接标准的VGA显示器、键盘、鼠标,具有通用的10M/100M以太网接口、USB接口、RS-232接口、485接口、CANBUS接口。可以带SD卡、CF卡存储器。该控制器采用现场可编程的FPGA器件设计背板接口,并采用具有64mA高驱动能力的总线驱动器,不仅符合VME规范的电气要求,而且具有灵活的接口信号定义可编程能力,是HIRFL-CSR控制系统的关键部件。

缺中子~(176)Ir核β~+／EC衰变研究

在210MeV的束流能量下,利用重离子熔合蒸发反应146Nd(35Cl,5nγ)176Ir产生具有β+／EC衰变性质的核素176Ir,由氦喷嘴快速带传输系统将反应产物传送到低本底区进行测量．经过实验数据的离线处理分析,对早先发表的176Ir衰变γ跃迁进行确认的同时又发现了3个新能级和10条新的γ射线, 丰富了176Os核的低位激发态能级纲图．并根据典型γ射线的衰变时间谱建议了176Ir核的一个长寿命的低自旋同核异能态．

~(176,178)Os新低位激发态的识别

利用在束实验产生具有β+/EC衰变性质核素176,178Ir,分析了在束实验条件下获得的γ-γ符合数据,识别出了176Os的4条新能级和13条新γ跃迁、178Os的5条新能级和14条新γ跃迁。籍助氦喷嘴快速带传输系统,进一步对176Ir的β+/EC衰变进行了测量,在确认在束测量新γ射线的同时建议了176Ir的一个低自旋同核异能态。通过两准粒子耦合的半经验计算,建议了176,178Ir基态及同核异能态的组态。

Evaluation of the thermal/optical reflectance method for discrimination between char- and soot-EC

IEECAS SKLLQG

~(133)Sm的(EC+β~+)衰变和~(133)Pr的1.1s同质异能态

通过96 Ru( 4 0 Ca ,ln2p)反应 ,采用氦喷嘴带传输系统和X γ与γ γ符合测量方法 ,首次建议了133Sm的简单的 (EC + β+)衰变纲图 .由于Ru靶中含有98— 10 2 Ru的成分 ,同时产生了133Pr,并首次测定了133Pr的 1 1 / 2 - 同质异能态的寿命为( 1 .1± 0 .2 )s.用单粒子模型提取了131,133,135 ,137Pr的 1 1 / 2 - 同质异能态的约化跃迁几率的实验值 ,并与Weisscopf近似估计进行了比较 .

缺中子核素~(129)Ce的(EC/β~+)衰变

利用 10 2MeV16O6+束轰击同位素靶117Sn ,通过熔合蒸发 4n反应产生核素12 9Ce.由氦喷嘴快速带传输系统将反应产物送到低本底区 .通过化学分离来制备待测的Ce样品 ,与此同时用16O束轰击117Sn的两种相邻的同位素靶118Sn和116Sn ,并比较上述 3种反应中的产物来进一步区分元素Ce的不同的同位素 .结果一种半衰期为 4.1min的活性被鉴定为12 9Ce.基于X -γ -t和γ -γ -t符合测量 ,建议了包括 5 1条射线在内的12 9Ce的 (EC/ β+)衰变纲图 .其中 ,12 9Ce基态直接馈送到12 9La基态的份额 ( 2 6± 7) %是用观测到的12 9La衰变的 2 78.6keV的γ射线的生长和衰变曲线估计出来的 .另外还给出了用La Kα X射线和6 8.2keVγ射线开门的γ谱以及典型的衰变γ射线的时间谱