射频分子束外延生长AlInGaN四元合金

利用射频等离子体辅助分子束外延(RF-MBE)技术在蓝宝石衬底上外延了铝铟镓氮(AlInGaN)四元合金,通过改变Al源的束流生长了不同组分的AlInGaN四元合金,材料生长过程中采用反射式高能电子衍射(RHEED)进行了在位检测.通过扫描电镜(SEM)、卢瑟福背散射(RBS)、X射线衍射(XRD)和阴极荧光(CL)等测试手段表征了AlInGaN四元合金的结构和光学特性.研究结果表明:在GaN层上生长AlInGaN外延层时,外延膜呈二维生长;当铝炉的温度为920℃时,外延AlInGaN四元合金外延薄膜中Al/In接近4.7,X射线衍射摇摆曲线的半高宽最小为5arcmin,四元合金的阴极荧光发光峰的半高宽为25nm,AlInGaN四元合金外延层具有较好的晶体质量和光学质量.

低能离子束方法制备Fe组分渐变的Fe-Si薄膜

利用质量分离的低能离子束技术，获得了Fe组分渐变的Fe-Si薄膜。利用俄歇电子能谱法(AEs)、x射线衍射法(XRD)以及x射线光电子能谱法(XPS)测试了薄膜的组分、结构特性。测试结果表明，在室温下制备的Fe-Si薄膜呈非晶态。非晶薄膜在400℃下退火20 rmn后晶化，没有Fe的硅化物相形成。退火后Fe-Si薄膜的Fe组分从表面向内部逐渐降低。

立方相GaN外延层的表面起伏和高密度孪晶与六角相

利用扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)、透射电子显微镜(TEM)和X射线衍射(XRD)技术研究了低压金属有机化学气相淀积(LP-MOCVD)的立方相GaN/GaAs(001)外延层的表面起伏特征，及其与外延层极性和内部六角相、立方相微孪晶之间的联系。结果表明外延表面存在有大量沿[1-10]方向延伸的条带状台阶，而表面起伏处对应着高密度的六角相或立方相微孪晶，在表面平整的区域内其密度则较低。{111}_(Ga)和{111}_N面上形成六角相和微孪晶概率的明显差异是导致外延层表面台阶状起伏特征的根本原因。

InGaAsP/InP PBH 双区共腔双稳激光器的H＋轰击掩膜研究

于2010-11-23批量导入

Numerical Study on the Distribution Characteristics of TP in Taihu Lake, China

A depth-averaged two-dimensional hydrodynamics model and a two-dimensional water quality model, bases on the alternating direction implicit (ADI) method, is developed to study the distribution characteristics of total phosphorus (TP) in Taihu Lake. Wind stress, the pollution source from the inflow rivers, releasing rate of TP from the bottom sediment and water diversion from Yangtze River are the effecting factors of TP distribution. By using the model proposed in this paper, the concentration field of the total phosphorus was simulated, which leads to the conclusion that the flow field has a great influence on the spatial and temporal distribution of TP in the Taihu Lake.

萨拉乌苏河流域末次间冰阶气候――以米浪沟湾剖面为例

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