[Archives de la Parole]. , Gour sarang (Hindustani Song) [sic] / William Sinkler Darby, collecteur ; Neekunjo Bebary Dutt [i.e. Babu Nikunja Behari Dutt], chant ; accompagnement instrumental (tabla, flûte et harmonium indien)

[Traditions. Asie. Inde]

[Archives de la Parole]. , Adio Euskal Erriari : zortzico : (Cantariyka eguiña) [sic] ; Guernikako Arbola : zortzico : (Cantariyka eguiña) [sic] / [José María] Iparraguirre, comp. ; Eulogio Villabella, baryton

[Traditions. Europe. Espagne]

SiC-Based MIS gas sensor for high water vapor environments

In this work we will prove that SiC-based MIS capacitors can work in environments with extremely high concentrations of water vapor and still be sensitive to hydrogen, CO and hydrocarbons, making these devices suitable for monitoring the exhaust gases of hydrogen or hydrocarbons based fuel cells. Under the harshest conditions (45% of water vapor by volume ratio to nitrogen), Pt/TaOx/SiO2/SiC MIS capacitors are able to detect the presence of 1 ppm of hydrogen, 2 ppm of CO, 100 ppm of ethane or 20 ppm of ethene, concentrations that are far below the legal permissible exposure limits.

Catalytic gates for gas sensors based on SiC technology

En este trabajo se presenta un estudio químico y estructural de las capas metálicas de Pt y TaSix utilizadas como puerta catalítica en sensores de gas de alta temperatura basados en dispositivos MOS de SiC. Para ello se han depositado capas de diferentes espesores sobre substratos de Si. Los resultados muestran que con la reducción del espesor de Pt y con un recocido se consigue aumentar la rugosidad de las capas de puerta, lo que debería aumentar la sensibilidad y la velocidad de respuesta de los dispositivos que las incorporasen. Otro efecto del recocido es la transformación química del material de la puerta que, para capas delgadas de Pt con TaSix, produce la transformación total Pt en Pt2Ta, lo que podría afectar a las características catalíticas de la puerta. Los primeros resultados eléctricos indican que, a pesar de que las capas de Pt empleadas son gruesas y compactas, los diodos MOS túnel de SiC son sensibles a los gases CO y NO2, aunque presentan una velocidad de respuesta bastante lenta.

Síntesis de capas de SiC en substrato de Si mediante implantación iónica

En este trabajo se investiga la síntesis de estructuras SiC/Si mediante implantación iónica de carbono en Si. Las implantaciones se han realizado a energías entre 25 y 300 keV y las dosis en el rango lO^^ylO^^ cm , manteniendo el substrato a temperatura ambiente o 500°C. Algunas estructuras han sido recocidas a 1150°C. Los resultados indican que implantando a temperatura ambiente se forma una capa de SiC amorfa y de composición gradual, que recristaliza formando precipitados de ß-SiC con orientaciones aleatorias después del recocido. Además se forma un capa superficial rica en carbono, debida a la difusión del carbono hacia la superficie durante la implantación, y que desaparece con el recocido. Implantando a 500°C se forma directamente una capa con una muy alta densidad de precipitados de ß-SiC orientados preferencialmente con la matriz de silicio. Dada la estabilidad térmica y química de dicha capa se han realizado membranas de SiC mediante técnicas fotolitográficas y ataque químico selectivo, cuya rugosidad superficial es inferior a 6 nm. Estas membranas muestran unos gradientes de tensiones residuales, que prácticamente desaparecen después del recocido. Los resultados confirman la potencialidad de la implantación iónica para la formación de estructuras microme-cánicas de SiC sobre Si.

Dissertatio academic [sic] quantitates quasdam

Arkit: 1 arkintunnukseton lehti, A4 B1.

Om medel, at förekomma borgeliga [sic] seders almenna fördärf

Invocatio: I.J.N.

DFT study on low molecular weight α,α-ditert-butyl-4H-cyclopenta[2,1-b,3;4-b']dithiophene and α,α-ditert-butyl-4H-cyclopenta[2,1-b,3;4-b']dithiophene S-oxide bridged derivatives

The equilibrium geometries of α,α-ditert-butyl-4H-cyclopenta[2,1-b,3;4-b']dithiophene (DBDT) and α,α-ditert-butyl-4H-cyclopenta[2,1-b,3;4-b']dithiophene S-oxide (DBDTO) were studied at the DFT level of theory with a standard 6-311G* basis set. The molecular structures of the DBDT series were more planar than the corresponding DBDTO series, as revealed by dihedral angles. The UV-visible absorption calculated at TD-DFT/6-311G* showed two absorption peaks for all the molecules except C=S and C=O bridged molecules. In DBDTOs, C=S and C=O bridged molecules showed three and four absorption peaks, respectively. The DBDTOs had lower band gaps and longer wavelengths compared to the corresponding DBDTs.

Jerusalem et suburbia eius, sic ut tempore Christi floruit cum locis in quibus Christus passus est ...

Osa I