Sistemas de comunicación a través de fibras ópticas por Leopoldo René Villarreal Jiménez

Tesis (Maestría en Ciencias de la Ingeniería Eléctrica con Especialidad en Electrónica) U.A.N.L.

Estudio del acoplamiento de un colector solar con fibras ópticas plásticas para la iluminación de interiores.

Tesis (Maestría en Ingeniería Física Industrial) UANL, 2014.

Tableaux de Siége : Paris, 1870-1871

UANL

Effects of Platinum on NiPtSiGe/n-SiGe and NiPtSi/n-Si Schottky Contacts

Solid phase reaction of NiPt/Si and NiPt/SiGe is one of the key issues for silicide (germanosilicide) technology. Especially, the NiPtSiGe, in which four elements are involved, is a very complex system. As a result, a detailed study is necessary for the interfacial reaction between NiPt alloy film and SiGe substrate. Besides using traditional material characterization techniques, characterization of Schottky diode is a good measure to detect the interface imperfections or defects, which are not easy to be found on large area blanket samples. The I-V characteristics of 10nm Ni(Pt=0, 5, 10 at.%) germanosilicides/n-Si₀/₇Ge₀.₃ and silicides/n-Si contact annealed at 400 and 500°C were studied. For Schottky contact on n-Si, with the addition of Pt in the Ni(Pt) alloy, the Schottky barrier height (SBH) increases greatly. With the inclusion of a 10% Pt, SBH increases ~0.13 eV. However, for the Schottky contacts on SiGe, with the addition of 10% Pt, the increase of SBH is only ~0.04eV. This is explained by pinning of the Fermi level. The forward I-V characteristics of 10nm Ni(Pt=0, 5, 10 at.%)SiGe/SiGe contacts annealed at 400°C were investigated in the temperature range from 93 to 300K. At higher temperature (>253K) and larger bias at low temperature (<253K), the I-V curves can be well explained by a thermionic emission model. At lower temperature, excess currents at lower forward bias region occur, which can be explained by recombination/generation or patches due to inhomogenity of SBH with pinch-off model or a combination of the above mechanisms.

Strained Silicon on Silicon by Wafer Bonding and Layer Transfer from Relaxed SiGe Buffer

We report the creation of strained silicon on silicon (SSOS) substrate technology. The method uses a relaxed SiGe buffer as a template for inducing tensile strain in a Si layer, which is then bonded to another Si handle wafer. The original Si wafer and the relaxed SiGe buffer are subsequently removed, thereby transferring a strained-Si layer directly to Si substrate without intermediate SiGe or oxide layers. Complete removal of Ge from the structure was confirmed by cross-sectional transmission electron microscopy as well as secondary ion mass spectrometry. A plan-view transmission electron microscopy study of the strained-Si/Si interface reveals that the lattice-mismatch between the layers is accommodated by an orthogonal array of edge dislocations. This misfit dislocation array, which forms upon bonding, is geometrically necessary and has an average spacing of approximately 40nm, in excellent agreement with established dislocation theory. To our knowledge, this is the first study of a chemically homogeneous, yet lattice-mismatched, interface.

Ilusiones ópticas.

Muchas de las imágenes que vemos se interpretan de forma errónea en el cerebro y, en consecuencia, recibimos una información falsa de la realidad. La traducción que el cerebro está haciendo de los estímulos visuales es entonces una ilusión. En muchos de estos casos el concepto de realidad está perfectamente asumido, como en la observación de la falsa perspectiva. En otros, resulta difícil encontrar a primera vista 'lo que está mal'.

El principio de colaboración armónica, ópticas, problemática y posibles soluciones a los conflictos

Esta investigación estudia de forma general el principio de colaboración armónica entre poderes, explora las bases teóricas que sustentan dicho principio constitucional, analiza las distintas ópticas jurisprudenciales construidas a partir de las sentencias de la Corte Constitucional y del Consejo de Estado, y además abarca la problemática del principio de colaboración armónica en el contexto colombiano, con el objeto de proponer soluciones para mejorar la aplicación del principio de colaboración armónica. Con este escrito se pretende resolver las siguientes preguntas: ¿existe una base jurisprudencial sobre la cual se sustente el principio de colaboración armónica? ¿Se aplica este principio de forma efectiva en el Estado colombiano? ¿Qué alternativas permiten aplicar de forma efectiva dicho principio? ¿Existen mecanismos alternativos de solución de conflictos que puedan ayudar a mejorar la aplicación de este postulado?

La muerte en la Edad Media desde dos ópticas diferentes : Everyman y el Libro de Buen Amor.

Resumen basado en el de la publicación

Análisis sectorial y propuestas estratégicas para el sector de ópticas en la ciudad de Quito

El Análisis Estratégico de Sectores Industriales se aplica a toda empresa o sector, con independencia de su tamaño y actividad económica, el mercado exige estar permanentemente mejorando su competitividad. Buscando tanto en su interior como en su medio externo las fortalezas y oportunidades que tiene para crecer y desarrollarse así como también las debilidades y amenazas que limitarían su crecimiento o permanencia en el mercado. El sector de Ópticas de Quito está compuesto por 225 establecimientos en los que los clientes acuden buscando soluciones a algún problema visual, reciben atención de salud visual por un profesional, son asesorados respecto a los productos disponibles y escogen el material y diseño de montura que más se acomode a sus características personales y requerimientos. Este sector está compuesto por grandes empresas, medianas y micro empresas sobre las que actúan fuerzas del macro entorno del país y ciudad, y fuerzas competitivas del micro entorno y del medio específico en donde se desarrollan. Para estos análisis se usa el esquema propuesto por Porter y con un método de valoración de las variables del entorno se determina que existe un entorno favorable para este sector. Por otra parte el análisis interno permite a una Óptica, conocerse a sí mismo y establecer de forma objetiva las fortalezas y debilidades con las que cuenta para competir y desarrollarse en el sector, proponiendo un método sistemático para llevarlo a cabo este análisis. Otros aspectos importantes son: conocer al consumidor, sus preferencias y criterios de valoración para comprar bienes y servicios. Revisar las tendencias en la oferta en el sector y que sirven de insumo para la formulación de estrategias. La realización del Análisis Estratégico sectorial permite generar recomendaciones y propuestas estratégicas para lograr crecimiento, ventajas competitivas y/o prevenir cambios del entorno. El trabajo se desarrolla usando la investigación bibliográfica especializada en el tema, fuentes secundarias como información de instituciones estatales (INEN, CAE, BCE, etc.), investigación empírica y de campo como encuestas a grupos de usuarios y consumidores y entrevistas a personas claves que trabajen o conozcan el sector de Ópticas de Quito, las mismas que son fuentes primarias.

The effect of additional Si and SiGe layers on the confinement potential of GeMn diluted ferromagnetic semiconductor

In this work we analyze the spin-polarized charge density distribution in the GeMn diluted ferromagnetic semiconductors (DFS). The calculations are performed within a self-consistent k.p method, in which the exchange correlation effects in the local density approximation, as well as the strain effects due to the lattice mismatch, are taken into account. Our findings show that the extra confinement potential provided by the barriers and the variation of the Mn content in the DFS are responsible for a separation between the different spin charge densities, giving rise to higher mobility spin-polarized currents or high ferromagnetism transition temperatures systems. (c) 2008 Elsevier B.V. All rights reserved.

Relaxação estrutural de camadas pseudomórficas de SiGe/Si(100) induzida pela implantação iônica de He ou Si e tratamento térmico

O Si tensionado (sSi) é um material com propriedades de transporte eletrônico bastante superiores as do Si, sendo considerado como uma alternativa importante para a produção de dispositivos MOSFET (transistor de efeito de campo metal-óxido-semicondutor) de mais alta performance (e.g. freqüências de operação f>100 GHz). O sSi é obtido através do crescimento epitaxial de Si sobre um substrato de mesma estrutura cristalina, porém com parâmetro de rede diferente. Esta tese apresenta uma investigação detalhada de um novo método que possibilita a produção de camadas relaxadas de Si1xGex com espessuras inferiores a 300 nm, consideradas como a melhor alternativa tecnológica para a produção de sSi. Este método envolve a implantação de íons de He+ ou de Si+ em heteroestruturas pseudomórficas de Si1-xGex/Si(001) e tratamentos térmicos. Foram estudados os efeitos dos diversos parâmetros experimentais de implantação e tratamentos térmicos sobre o processo de relaxação estrutural, utilizando-se heteroestruturas pseudomórficas de Si1-xGex/Si(001) crescidas via deposição de vapor químico, com distintas concentrações de Ge (0,19x 0,29) e com espessuras entre 70 e 425 nm. Com base no presente estudo foi possível identificar diversos mecanismos atômicos que influenciam o processo de relaxação estrutural das camadas de Si1-xGex/Si(001). O processo de relaxação é discutido em termos de um mecanismo complexo que envolve formação, propagação e interação de discordâncias a partir de defeitos introduzidos pela implantação. No caso das implantações de He, por exemplo, descobrimos que podem ocorrer perdas de He durante as implantações e que este efeito influencia negativamente a relaxação de camadas finas. Além disso, também demonstramos que os melhores resultados são obtidos para energias e fluências de implantação que resultam na formação de bolhas planas localizadas no substrato de Si a uma distância da interface equivalente a uma vez a espessura da camada de SiGe. O grau de relaxação satura em 50% para camadas de SiGe com espessura 100 nm. Este resultado é discutido em termos da energia elástica acumulada na camada de SiGe e da retenção de He. No caso de implantações de Si, discutimos a formação de defeitos tipo {311} e sua transformação térmica em discordâncias. Este estudo resultou numa visão abrangente dos principais fatores limitantes do processo, bem como na otimização dos valores de parâmetros experimentais para a produção de camadas de SiGe com alto grau de relaxação e com baixa densidade de defeitos.