Influence of soil water potential in the action of herbicides on goosegrass (Eleusine indica (L) Gaertn)

Currently, the use of herbicides is essential in a practical and common in agricultural areas, but efficiency of these herbicides can be compromised when applied on plants that thrive in water deficit conditions, due to low uptake and translocation of the product. Therefore, the aim of this study was to compare the efficiency of control ACCase inhibiting herbicides applied post-emergence in plants of Eleusine indica under different soil water contents. The experiment was conducted in a greenhouse and the experimental design was completely randomized design with four replications, consisting of a 9x4 factorial, with the combination of three soil water potentials (-0.03, -0.07 and -1.5 MPa) three herbicides (fluazifop-p -butyl, haloxyfop-methyl and sethoxydim + oil) and four doses (0, 25, 50, and 100 % of the recommended dose). Herbicide application was made in plants in vegetative stage 2-3 tillers. The soil water potential was initiated in the development stage of two leaves, and the water was supplemented until the soil reaches the potential of -0.01 MPa, when it came to minimum pre-determined for each water management. The physiological parameters evaluated were: photosynthetic rate, stomatal conductance, transpiration leaf temperature and plant dry mass. The visual assessments of phytotoxicity were performed at 7 and 14 days after application. The herbicides behaved in different ways according to the used water management. In severe water stress conditions (soil moisture at 8%) only fluazifop-p-butyl herbicide achieved satisfactory control (> 90%) in E. indica plants.

Alocação diferencial do 13C em Copaifera langsdorffii Desf. (Fabaceae - Caesalpinoideae) sob deficiência hídrica

Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico (CNPq)

Influência do glyphosate no perfil bioquímico e fisiológico de populações de azevém (Lolium multiflorum) suscetíveis e resistentes ao herbicida

Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior (CAPES)

Sensitivity of yellow passion fruit plants to ultraviolet-B radiation

The objective of this work was to evaluate the effects of UV-B radiation on the vegetative growth and on the gas exchange characteristics of passion fruit plants (Passiflora edulis) grown in greenhouse. The average unweighted UV-B radiation near the apex of the plants was 8 W m-2 for the UV-B treatment (high UV-B), and 0.8 W m-2 for the control plants (low UV-B). Plants were irradiated with UV-B for 7 hours per day, centered on solar noon, during 16 days. High UV-B radiation resulted in lower shoot dry matter accumulation per plant. The content of UV-B absorbing compounds and anthocyanins was increased in the plants exposed to high UV-B radiation, when compared with the control. UV-B radiation did not affect stomatal conductance or transpiration rate, but reduced photosynthesis and instantaneous water‑use efficiency, and increased intercellular CO2 concentration. The accumulation of UV-B-absorbing compounds and anthocyanins did not effectively shield plants from supplementary UV-B radiation, since the growth and photosynthetic processes were significantly reduced.

Interferência Fano antissimétrica assistida por um férmion de Majorana

Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo (FAPESP)

Efeitos das correlações inter-átomos adsorvidos na densidade de estados do grafeno

Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior (CAPES)

Crescimento, características nutricionais e fisiológicas de progênies de Eucalyptus grandis W. Hill. Ex Maiden sob diferentes doses de fósforo

Pós-graduação em Agronomia (Produção Vegetal) - FCAV

Relação amônio e nitrato, mitigação da toxicidade amoniacal com silício e curva de acúmulo de nutrientes em mudas de maracujazeiro

Pós-graduação em Agronomia (Produção Vegetal) - FCAV

Silício e amônio na nutrição e no crescimento de brássicas

Pós-graduação em Agronomia (Produção Vegetal) - FCAV

Intensidade do estresse hídrico modula a expressão de aquaporinas durante a reidratação em Sorghum bicolor

Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior (CAPES)

Disponibilidade hídrica e utilização do nitrogênio em cana-de-açúcar irrigada por gotejamento subsuperficial

Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior (CAPES)

Desenvolvimento inicial de um reflorestamento de guanandi (Calophyllum brasiliense Cambess. Calophyllaceae) em sistema de plantio sombreado e a pleno sol

Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior (CAPES)

Proteção de linhas de transmissão de sistemas VSC-HVDC utilizando limitadores de corrente de falta

Tecnologias HVDC que utilizam conversores do tipo fonte de tensão, o VSC-HVDC, ainda não são completamente difundidas e aplicadas no Brasil, em contraste com outros países que começaram a estudar e empregar este tipo de transmissão. Comparado com o HVDC tradicional, o VSC-HVDC é uma tecnologia de transmissão mais eficiente e pode superar deficiências encontradas na transmissão em corrente contínua convencional. O VSC-HVDC pode ser utilizado de maneira mais eficiente nas novas redes de energia, para alimentar ilhas, integração de geração eólica, renovação das linhas em centros urbanos, aplicações multiterminais e conexão com sistemas fracos. Por se tratar de uma tecnologia recente, o VSC-HVDC ainda não é amplamente adotado e uma das principais limitações da utilização destes sistemas é a sua fragilidade diante faltas na linha de corrente contínua. Neste contexto, limitadores de corrente de falta (LCF) podem ser utilizados para minimizar o impacto das faltas. A ação dos limitadores é benéfica ao sistema durante condições de falta, contudo, ainda assim é necessária a atuação do sistema de proteção para extinguir a condição faltosa. Portanto, este trabalho visa propor e avaliar um novo esquema de proteção que opere de maneira seletiva e confiável para sistemas VSC-HVDC na presença de LCF baseados em materiais supercondutores ou LCF indutivos. Para tanto, foram implementadas quatro funções de proteção tradicionais das linhas em CC, a saber: direcional de corrente, diferencial, sobrecorrente com restrição de tensão e ondas viajantes, e ainda, foi proposta uma nova função de proteção, a de condutância, a qual apresentou o menor tempo de identificação de falta, considerando as faltas mais severas. Adicionalmente, foi avaliado o comportamento destas funções quando o sistema apresenta os LCF em série com a linha. Foi demonstrado que é possível extrair os benefícios dos LCF sem deteriorar a qualidade dos resultados das funções de proteção, o que aumenta a segurança e confiabilidade dos sistemas VSC-HVDC, uma vez que os impactos das faltas são minimizados e as mesmas são identificadas em um curto intervalo de tempo.

Identificação de sistemas para o estudo de controle motor.

Qualquer tarefa motora ativa se dá pela ativação de uma população de unidades motoras. Porém, devido a diversas dificuldades, tanto técnicas quanto éticas, não é possível medir a entrada sináptica dos motoneurônios em humanos. Por essas razões, o uso de modelos computacionais realistas de um núcleo de motoneurônios e as suas respectivas fibras musculares tem um importante papel no estudo do controle humano dos músculos. Entretanto, tais modelos são complexos e uma análise matemática é difícil. Neste texto é apresentada uma abordagem baseada em identificação de sistemas de um modelo realista de um núcleo de unidades motoras, com o objetivo de obter um modelo mais simples capaz de representar a transdução das entradas do núcleo de unidades motoras na força do músculo associado ao núcleo. A identificação de sistemas foi baseada em um algoritmo de mínimos quadrados ortogonal para achar um modelo NARMAX, sendo que a entrada considerada foi a condutância sináptica excitatória dendrítica total dos motoneurônios e a saída foi a força dos músculos produzida pelo núcleo de unidades motoras. O modelo identificado reproduziu o comportamento médio da saída do modelo computacional realista, mesmo para pares de sinal de entrada-saída não usados durante o processo de identificação do modelo, como sinais de força muscular modulados senoidalmente. Funções de resposta em frequência generalizada do núcleo de motoneurônios foram obtidas do modelo NARMAX, e levaram a que se inferisse que oscilações corticais na banda-beta (20 Hz) podem influenciar no controle da geração de força pela medula espinhal, comportamento do núcleo de motoneurônios até então desconhecido.

Estudo de transistores de tunelamento induzido por efeito de campo (TFET) construídos em nanofio.

Esse trabalho de mestrado teve como estudo o transistor Túnel-FET (TFET) fabricado em estrutura de nanofio de silício. Este estudo foi feito de forma teórica (simulação numérica) e experimental. Foram estudadas as principais características digitais e analógicas do dispositivo e seu potencial para uso em circuitos integrados avançados para a próxima década. A análise foi feita através da extração experimental e estudo dos principais parâmetros do dispositivo, tais como inclinação de sublimiar, transcondutância (gm), condutância de saída (gd), ganho intrínseco de tensão (AV) e eficiência do transistor. As medidas experimentais foram comparadas com os resultados obtidos pela simulação. Através do uso de diferentes parâmetros de ajuste e modelos de simulação, justificou-se o comportamento do dispositivo observado experimentalmente. Durante a execução deste trabalho estudou-se a influência da escolha do material de fonte no desempenho do dispositivo, bem como o impacto do diâmetro do nanofio nos principais parâmetros analógicos do transistor. Os dispositivos compostos por fonte de SiGe apresentaram valores maiores de gm e gd do que aqueles compostos por fonte de silício. A diferença percentual entre os valores de transcondutância para os diferentes materiais de fonte variou de 43% a 96%, sendo dependente do método utilizado para comparação, e a diferença percentual entre os valores de condutância de saída variou de 38% a 91%. Observou-se também uma degradação no valor de AV com a redução do diâmetro do nanofio. O ganho calculado a partir das medidas experimentais para o dispositivo com diâmetro de 50 nm é aproximadamente 45% menor do que o correspondente ao diâmetro de 110 nm. Adicionalmente estudou-se o impacto do diâmetro considerando diferentes polarizações de porta (VG) e concluiu-se que os TFETs apresentam melhor desempenho para baixos valores de VG (houve uma redução de aproximadamente 88% no valor de AV com o aumento da tensão de porta de 1,25 V para 1,9 V). A sobreposição entre porta e fonte e o perfil de dopantes na junção de tunelamento também foram analisados a fim de compreender qual combinação dessas características resultariam em um melhor desempenho do dispositivo. Observou-se que os melhores resultados estavam associados a um alinhamento entre o eletrodo de porta e a junção entre fonte e canal e a um perfil abrupto de dopantes na junção. Por fim comparou-se a tecnologia MOS com o TFET, obtendo-se como resultado um maior valor de AV (maior do que 40 dB) para o TFET.