Production of baruzeiro seedling in different protected environments and substrates

The high seedlings quality is essential for deployment of homogeneous orchards. This study evaluated the baruzeiro (Dipteryx alata Vog) seedlings formation on different substrates within protected environments. It was used substrates with100% of cattle manure; 100% of cassava stems; 100% of vermiculite; 50% of cattle manure + 50% of cassava stems; 50% of cattle manure + 50% of vermiculite; 50% of cassava stems + 50% of vermiculite; and + ⅓ of cattle manure + ⅓ of cassava stems + ⅓ of vermiculite. These substrates were tested in protected areas: greenhouse; black shade net of 50% shading; and aluminized thermo-reflective screen of 50% shading. A completely randomized experimental design with five replicates of four plants was adopted. Initially, data were submitted to analysis of individual variance of the substrates, in each environment of cultivation, then performing the evaluation of the residual mean square and the analysis of these environments together for comparison. The best substrate for baruzeiro seedlings was pure vermiculite. The substrates with 100% of manure and the substrate with 33.33% of the mixed studied materials can be used for seedlings formation. The environment with screen can be indicated for the production of baruzeiro seedlings, since it gave vigor to the seedlings.

Seedlings of Acrocomia aculeata in diferent substrates and protected environments

The seedling production stage is the key to achieve uniformity in tree breeding stage. This study evaluated "bocaiúva" (Acrocomia aculeata) seedling formation, with pre-germinated seeds in different substrates and protected environments, in the University of Mato Grosso do Sul State, Aquidauana, MS. As substrates, we used 100% cattle manure (M), 100% cassava branches (CB), 100% vermiculite (V), 50% cattle manure + 50% cassava branches, 50 % cattle manure + 50% vermiculite, 50% cassava branches + 50% vermiculite and ⅓ cattle manure + ⅓ cassava branches + ⅓ vermiculite. These substrates were tested in a greenhouse covered with 150 µm low density polyethylene (LDPE) film under thermo-reflective screen with 50% shading under film; black screen with 50% shading on the sides; black monofilament screen with 50% shading set on roof and sides; and aluminized thermo- reflective screen with 50% shading set on roof and sides. The completely randomized experimental design with 5 replications of 5 plants each was adopted. Initially, data were submitted to analysis of substrate individual variance in each growing environment, then performing the waste mean square evaluation and their environment joint analysis for comparison. The best growing environment is the thermo-reflective screen compared to LDPE greenhouse and black screen set. All substrates containing manure are recommended for bocaiúva seedlings formation. The pure cassava branch is not indicated for seedling, even using chemical fertilizer.

Rat liver responsiveness to gluconeogenic substrates during insulin-induced hypoglycemia

Hepatic responsiveness to gluconeogenic substrates during insulin-induced hypoglycemia was investigated. For this purpose, livers were perfused with a saturating concentration of 2 mM glycerol, 5 mM L-alanine or 5 mM L-glutamine as gluconeogenic substrates. All experiments were performed 1 h after an ip injection of saline (CN group) or 1 IU/kg of insulin (IN group). The IN group showed higher (P<0.05) hepatic glucose production from glycerol, L-alanine and L-glutamine and higher (P<0.05) production of L-lactate, pyruvate and urea from L-alanine and L-glutamine. In addition, ip injection of 100 mg/kg glycerol, L-alanine and L-glutamine promoted glucose recovery. The results indicate that the hepatic capacity to produce glucose from gluconeogenic precursors was increased during insulin-induced hypoglycemia.

Resolución N° 100 del 25 de mayo de 2007 ¿Cuáles son los presupuestos para adquirir la calidad de comerciante? ¿La participación como socio de una sociedad basta para adquirir tal calidad?

Servicios registrales

Étude moléculaire de la formation de complexes protéiques impliqués dans la signalisation des récepteurs couplés aux protéines G

La communication cellulaire est un phénomène important pour le maintien de l’homéostasie des cellules. Au court des dernières années, cette sphère de recherche sur la signalisation cellulaire a connue des avancées importantes au niveau de l’identification des acteurs principaux impliqués dans la reconnaissance extracellulaire des signaux, ainsi que la compréhension des voies de signalisation engagées par les cellules pour répondre aux facteurs extracellulaires. Malgré ces nouvelles informations, les diverses interrelations moléculaires entre les acteurs ainsi que les voies de signalisation cellulaire, demeurent mal comprises. Le transfert d’énergie de résonance de bioluminescence (BRET) permet la mesure d’interactions protéiques et peut être utilisé dans deux configurations, le BRET480-YFP (connu aussi comme le BRET1) et le BRET400-GFP (connu aussi en tant que BRET2). Suite à l’oxydation de son substrat, la luciférase de renilla peut transférer son énergie à une protéine fluorescente, uniquement si elles sont à proximité l’une de l’autre (≤100Å). La combinaison dans un seul essai des BRET480-YFP et BRET400-GFP, a permis de suivre trois paires d’interactions, sur une même population cellulaire. Par contre, l’utilisation de deux substrats pour la réaction de bioluminescence rend impossible la mesure simultanée des différents signaux de BRET, pour ce trois nouvelles configurations de BRET ont été mises au point en utilisant des nouvelles protéines fluorescentes. Ainsi deux des nouvelles couleurs de BRET ayant des émissions résolues, le BRET400-BFP et le BRET400mAmetrine ont pu être combinées pour mesurer l’engagement par un RCPG d’une protéine G, ainsi que l’accumulation du second messager. La combinaison de ces BRET a également permis de révéler la formation d’un complexe entre le récepteur α2A adrénergique (α2AAR), Gαi1, le dimère Gβγ ainsi que la kinase des récepteurs couplés aux protéines G (GRK2), suite à l’activation du récepteur. De plus, seule l’entrée de GRK2 semble être en mesure de causer la désensibilisation du α2AAR, en s’intercalant entre Gαi1 et Gβγ. Par contre, la stabilisation de l’interaction entre α2AAR et la β-arrestine2 semble nécessiter l’activité kinase de GRK2. Une autre étude a révélé l’importance de différentes Gα pour la mobilisation du calcium, suite à l’activation du récepteur aux opioïdes de type delta (DOR). Suite à la surexpression de Gα de la famille Gαq, il a été possible de mesurer une influence de ces Gα sur la mobilisation du calcium. Toutefois, cette réponse calcique mesurée en présence des Gαq demeure sensible aux prétraitements à la toxine de Bordetella pertussis, qui inhibe sélectivement l’activité des Gαi. De plus, la co-expression de Gαi et Gαq permet de potentialiser la mobilisation de calcium, démontrant une interrelation entre ces deux familles de protéine Gα, pour la signalisation du DOR. Afin de démontrer l’interrelation directe, des expériences de BRET ont été réalisées entre différentes Gα. En plus de montrer la formation de complexes sélectifs entre les Gα, les expériences de BRET réalisées en parallèle d’analyses de séquences de Gα, ont également mis à jour un site de sélectivité d’interaction entre les Gα, l’hélice α4. Suite à la transposition de cette hélice α4 de Gα12 sur Gαi1, qui normalement n’interagissent pas, il a été possible de forcer l’interaction entre Gα12 et Gαi1, confirmant ainsi que cette hélice α contient l’information permettant une sélectivité d’interaction. Au cours de cette thèse, il a été possible de générer de nouvelles méthodes de mesure d’interactions protéiques qui permettent de multiplexer différents signaux, ce qui a permis de mettre à jour de nouvelles interactions entre divers effecteurs de la signalisation de RCGP

Effect of mindfulness meditation on the neural substrates of emotion processing and resting state in experienced and beginner meditators

La méditation par le ‘mindfulness’ favorise la stabilité émotionelle, mais les mécanismes neuroneux qui sous-tendent ces effets sont peu connus. Ce projet investiga l’effet du ‘mindfulness’ sur les réponses cérébrales et subjectives à des images négatives, positives et neutres chez des méditants expérimentés et des débutants au moyen de l’imagerie par résonance magnétique fonctionnelle (IRMf). Le ‘mindfulness’ atténua l’intensité émotionelle via différents mécanismes cérébraux pour chaque groupe. Comparés aux méditants, les débutants manifestèrent une déactivation de l’amygdale en réponse aux stimuli émotifs durant le ‘mindfulness’. Comparés aux débutants, les méditants exhibèrent une déactivation de régions du réseau du mode par défaut (RMD) pendant le ‘mindfulness’ pour tous stimuli (cortex médian préfrontal [CMP], cortex cingulaire postérieur [CCP]). Le RMD est constitué de régions fonctionnellement connectées, activées au repos et déactivées lors de tâches explicites. Cependant, nous ne connaissons pas les impacts de l’entraînement par la méditation sur la connectivité entre régions du RMD et si ces effets persistent au-delà d’un état méditatif. La connectivité fonctionnelle entre régions du RMD chez les méditants et débutants au repos fut investiguée au moyen de l’IRMf. Comparés aux débutants, les méditants montrèrent une connectivité affaiblie entre subdivisions du CMP, et une connectivité accrue entre le lobule pariétal inférieur et trois regions du RMD. Ces résultats reflètent que les bienfaits immédiats du ‘mindfulness’ sur la psychopathologie pourraient être dûs à une déactivation de régions limbiques impliquées dans la réactivité émotionelle. De plus, les bienfaits à long-terme de la méditation sur la stabilité émotionelle pourrait être dûs à une déactivation de régions corticales et cingulaires impliquées dans l’évaluation de la signification émotive et une connectivité altérée entre régions du RMD à l’état de repos.

Synthesis of polyelectrolyte brushes on silica-based substrates through surface-initiated polymerization : brush characterization and responsiveness to variation in pH and ionic strength

Les brosses de polyélectrolytes font l’objet d’une attention particulière pour de nombreuses applications car elles présentent la capacité de changer de conformation et, par conséquent, de propriétés de surface en réponse aux conditions environnementales appliquées. Le contrôle des principaux paramètres de ces brosses telles que l'épaisseur, la composition et l'architecture macromoléculaire, est essentiel pour obtenir des polymères greffés bien définis. Ceci est possible avec la Polymérisation Radicalaire par Transfert d’Atomes - Initiée à partir de la Surface (PRTA-IS), qui permet la synthèse de brosses polymériques de manière contrôlée à partir d’une couche d'amorceurs immobilisés de manière covalente sur une surface. Le premier exemple d’une synthèse directe de brosses de poly(acide acrylique) (PAA) par polymérisation radicalaire dans l’eau a été démontré. Par greffage d’un marqueur fluorescent aux brosses de PAA et via l’utilisation de la microscopie de fluorescence par réflexion totale interne, le dégreffage du PAA en temps réel a pu être investigué. Des conditions environnementales de pH ≥ 9,5 en présence de sel, se sont avérées critiques pour la stabilité de la liaison substrat-amorceur, conduisant au dégreffage du polymère. Afin de protéger de l’hydrolyse cette liaison substrat-amorceur sensible et prévenir le dégreffage non souhaité du polymère, un espaceur hydrophobique de polystyrène (PS) a été inséré entre l'amorceur et le bloc de PAA stimuli-répondant. Les brosses de PS-PAA obtenues étaient stables pour des conditions extrêmes de pH et de force ionique. La réponse de ces brosses de copolymère bloc a été étudiée in situ par ellipsométrie, et le changement réversible de conformation collapsée à étirée, induit par les variations de pH a été démontré. De plus, des différences de conformation provenant des interactions du bloc de PAA avec des ions métalliques de valence variable ont été obtenues. Le copolymère bloc étudié semble donc prometteur pour la conception de matériaux répondant rapidement a divers stimuli. Par la suite, il a été démontré qu’un acide phosphonique pouvait être employé en tant qu’ amorceur PRTA-IS comme alternative aux organosilanes. Cet amorceur phosphonate a été greffé pour la première fois avec succès sur des substrats de silice et une PRTA-IS en milieux aqueux a permis la synthèse de brosses de PAA et de poly(sulfopropyl méthacrylate). La résistance accrue à l’hydrolyse de la liaison Sisubstrat-O- Pamorceur a été confirmée pour une large gamme de pH 7,5 à 10,5 et a permis l’étude des propriétés de friction des brosses de PAA sous différentes conditions expérimentales par mesure de forces de surface. Malgré la stabilité des brosses de PAA à haute charge appliquée, les études des propriétés de friction ne révèlent pas de changement significatif du coefficient de friction en fonction du pH et de la force ionique.

Molecular Beam Epitaxial Growth of III-V Semiconductor Nanostructures on Silicon Substrates

The main focus and concerns of this PhD thesis is the growth of III-V semiconductor nanostructures (Quantum dots (QDs) and quantum dashes) on silicon substrates using molecular beam epitaxy (MBE) technique. The investigation of influence of the major growth parameters on their basic properties (density, geometry, composition, size etc.) and the systematic characterization of their structural and optical properties are the core of the research work. The monolithic integration of III-V optoelectronic devices with silicon electronic circuits could bring enormous prospect for the existing semiconductor technology. Our challenging approach is to combine the superior passive optical properties of silicon with the superior optical emission properties of III-V material by reducing the amount of III-V materials to the very limit of the active region. Different heteroepitaxial integration approaches have been investigated to overcome the materials issues between III-V and Si. However, this include the self-assembled growth of InAs and InGaAs QDs in silicon and GaAx matrices directly on flat silicon substrate, sitecontrolled growth of (GaAs/In0,15Ga0,85As/GaAs) QDs on pre-patterned Si substrate and the direct growth of GaP on Si using migration enhanced epitaxy (MEE) and MBE growth modes. An efficient ex-situ-buffered HF (BHF) and in-situ surface cleaning sequence based on atomic hydrogen (AH) cleaning at 500 °C combined with thermal oxide desorption within a temperature range of 700-900 °C has been established. The removal of oxide desorption was confirmed by semicircular streaky reflection high energy electron diffraction (RHEED) patterns indicating a 2D smooth surface construction prior to the MBE growth. The evolution of size, density and shape of the QDs are ex-situ characterized by atomic-force microscopy (AFM) and transmission electron microscopy (TEM). The InAs QDs density is strongly increased from 108 to 1011 cm-2 at V/III ratios in the range of 15-35 (beam equivalent pressure values). InAs QD formations are not observed at temperatures of 500 °C and above. Growth experiments on (111) substrates show orientation dependent QD formation behaviour. A significant shape and size transition with elongated InAs quantum dots and dashes has been observed on (111) orientation and at higher Indium-growth rate of 0.3 ML/s. The 2D strain mapping derived from high-resolution TEM of InAs QDs embedded in silicon matrix confirmed semi-coherent and fully relaxed QDs embedded in defectfree silicon matrix. The strain relaxation is released by dislocation loops exclusively localized along the InAs/Si interfaces and partial dislocations with stacking faults inside the InAs clusters. The site controlled growth of GaAs/In0,15Ga0,85As/GaAs nanostructures has been demonstrated for the first time with 1 μm spacing and very low nominal deposition thicknesses, directly on pre-patterned Si without the use of SiO2 mask. Thin planar GaP layer was successfully grown through migration enhanced epitaxy (MEE) to initiate a planar GaP wetting layer at the polar/non-polar interface, which work as a virtual GaP substrate, for the GaP-MBE subsequently growth on the GaP-MEE layer with total thickness of 50 nm. The best root mean square (RMS) roughness value was as good as 1.3 nm. However, these results are highly encouraging for the realization of III-V optical devices on silicon for potential applications.

Impacto de la publicidad de el producto vive 100 en sus consumidores

Este escrito tiene como fin analizar el impacto y la retroalimentación de las campañas publicitarias televisivas en los consumidores ya que algunas empresas invierten grandes sumas de dinero pautando por este medio. Se pretende aportar un estudio de mercados, en el cual se abarcara toda la perspectiva de las empresas que pueden y no pautar en televisión, hasta llegar al estudio específico, tomando como objeto de estudio una empresa y un producto. Por otro lado, se realizara una evaluación de los procesos involucrados en la cadena de valor de Porter, con el fin de ampliar la información requerida para el producto en estudio. La investigación se realizara por medio de encuestas y observaciones etnográficas y se espera definir si se debe mantener la estructura actual de pautas publicitarias o si se debe cambiar la línea de comunicación, proponiendo otras posibles alternativas.

Gas-phase kinetics of chlorosilylene reactions. I. ClSiH + Me3SiH: absolute rate measurements and theoretical calculations for prototype Si−H insertion reactions

Time-resolved studies of chlorosilylene, CISiH, generated by the 193 nm laser flash photolysis of 1-chloro-1-silacyclopent-3-ene, have been carried out to obtain rate constants for its bimolecular reaction with trimethylsilane, Me3SiH, in the gas phase. The reaction was studied at total pressures up to 100 torr (with and without added SF6) over the temperature range 297-407 K. The rate constants were found to be pressure independent and gave the following Arrhenius equation: log(k/cm(3) molecule(-1) s(-1)) = (-13.97 +/- 0.25) + (12.57 +/- 1.64) kJ mol(-1)/RT In 10. The Arrhenius parameters are consistent with a mechanism involving an intermediate complex, whose rearrangement is the rate-determining step. Quantum chemical calculations of the potential energy surface for this reaction and also the reactions of CISiH with SiH4 and the other methylsilanes support this conclusion. Comparisons of both experiment and theory with the analogous Si-H insertion processes of SiH2 and SiMe2 show that the main factor causing the lower reactivity of ClSiH is the secondary energy barrier. The calculations also show the existence of a novel intramolecular H-atom exchange process in the complex of ClSiH with MeSiH3.

Patterning and detailed study of human hNT astrocytes on parylene-C/silicon dioxide substrates to the single cell level

It is estimated that the adult human brain contains 100 billion neurons with 5–10 times as many astrocytes. Although it has been generally considered that the astrocyte is a simple supportive cell to the neuron, recent research has revealed new functionality of the astrocyte in the form of information transfer to neurons of the brain. In our previous work we developed a protocol to pattern the hNT neuron (derived from the human teratocarcinoma cell line (hNT)) on parylene-C/SiO2 substrates. In this work, we report how we have managed to pattern hNT astrocytes, on parylene-C/SiO2 substrates to single cell resolution. This article disseminates the nanofabrication and cell culturing steps necessary for the patterning of such cells. In addition, it reports the necessary strip lengths and strip width dimensions of parylene-C that encourage high degrees of cellular coverage and single cell isolation for this cell type. The significance in patterning the hNT astrocyte on silicon chip is that it will help enable single cell and network studies into the undiscovered functionality of this interesting cell, thus, contributing to closer pathological studies of the human brain.

Estudo da perda de energia de Be, B e O em direções aleatórias e canalizadas de alvos de Si e determinação da respectiva contribuição Barkas

Neste trabalho de tese, foi estudada a perda de energia de íons de Be, B e O incidindo em direção aleatória e ao longo dos canais axiais <100> e <110> do Si. Os intervalos de energia nos quais as medidas experimentais foram realizadas variaram entre 0,5 e 10 MeV para Be, entre 0,23 e 9 MeV para B e entre 0,35 e 15 MeV para O. Posteriormente, o efeito do “straggling” (flutuação estatística da perda de energia) nas medidas em direção aleatória também foi analisado, para íons de Be e O, nas regiões de energia entre 0,8 e 5 MeV e 0,35 e 13,5 MeV, respectivamente. As medidas relacionadas à perda de energia em direção aleatória e ao “straggling” em função da energia dos íons foram realizadas combinando-se a técnica de retroespalhamento Rutherford (RBS) ao emprego de amostras de Si implantadas com marcadores de Bi. Os resultados relativos à perda de energia ao longo dos canais <100> e <110> do Si em função da energia dos íons foram obtidos através de medidas de RBS canalizado feitas em amostras tipo SIMOX (Separated by IMplanted OXygen). A perda de energia foi calculada teoricamente, através de três abordagens diferentes: a) a Aproximação de Convolução Unitária (UCA); b) o método não-linear baseado na seção de choque de transporte e na regra da soma de Friedel estendida (TCS-EFSR); c) a teoria binária. A combinação dos cálculos UCA com os resultados experimentais para a perda de energia canalizada de Be, B e O em Si permitiu isolar a contribuição do efeito Barkas para a perda de energia. Essa contribuição mostrou ser bastante grande, chegando a 45% do valor das outras contribuições para o caso do Be, 40% para o caso do B e 38% para o caso do O. Esses resultados são comparáveis aos previamente obtidos no Laboratório de Implantação Iônica da UFRGS para íons de He e Li. As teorias TCS-EFSR e binária permitiram o cálculo do efeito Barkas para a perda de energia devida aos elétrons de valência. Os resultados teóricos e experimentais para a contribuição Barkas total e relativa foram comparados e analisados em função da carga média e da energia dos íons para as energias de 300, 400, 500 e 700 keV/uma. O acordo teórico-experimental é razoável para as energias mais baixas, melhorando com o aumento da energia dos íons incidentes.