Effects of thermal annealing on the semi-insulating properties of radio frequency magnetron sputtering-produced germanate thin films

Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico (CNPq)

Nanocrystalline GaN and GaN:H films grown by RF-magnetron sputtering

The structural and optical properties of nanocrystalline GaN and GaN:H films grown by RF-tnagnetron sputtering are focused here. The films were grown using a Ga target and a variety of deposition parameters (N 2/H 2/Arflow rates, RF power, and substrate temperatures). Si (100) and fused silica substrates were used at relatively low temperatures (T s ≤ 420K). The main effects resulting from the deposition parameters variations on the films properties were related to the presence of hydrogen in the plasma. The X-ray diffraction analysis indicates that the grain sizes (∼15nm) and the crystallized volume fraction significantly decrease when hydrogen is present in the plasma. The optical absorption experiments indicate that the hydrogenated films have absorption edges very similar to that of GaN single crystal films reported in the literature, while the non-hydrogenated samples present larger absorption tails encroaching into the gap energies.

Structural transition of ZnO thin films produced by RF magnetron sputtering at low temperatures

Zinc oxide (ZnO) thin films were prepared using reactive radio-frequency magnetron sputtering of a pure metallic zinc target onto glass substrates. The evolution of the surface morphology and the optical properties of the films were studied as a function of the substrate temperature, which was varied from 50 to 250 C. The surface topography of the samples was examined using atomic force microscopy (AFM), and their optical properties were studied via transmittance measurements in the UV-Vis-NIR region. DRX and AFM analyses showed that the surface morphology undergoes a structural transition at substrate temperatures of around 150 C. Actually, at 50 C the formation of small grains was observed while at 250 C the grains observed were larger and had more irregular shapes. The optical gap remained constant at ∼3.3 eV for all films. In the visible region, the average optical transmittance was 80 %. From these results, one can conclude that the morphological properties of the ZnO thin films were more greatly affected by the substrate temperature, due to mis-orientation of polycrystalline grains, than were the optical properties. © 2013 Springer Science+Business Media New York.

Síntese e caracterização de nanopartículas e filmes finos de óxidos semicondutores

Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior (CAPES)

Propriedades de transporte eletrônico em filmes finos policristalinos de diboreto de magnésio (MGB IND.2') analisados pelo modelo de Bloch-Grüneisen

Pós-graduação em Ciência e Tecnologia de Materiais - FC

Preparação e caracterização de filmes finos supercondutores para aplicação em dispositivos eletrônicos

Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico (CNPq)

Construção de uma junção Josephson em filmes finos supercondutores do sistema Bi1.8Pb0.4Sr2CaCu2Ox tratados termicamente em um forno microondas doméstico

Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior (CAPES)

Obtenção de filmes finos supercondutores do sistema BSCCO dopados com prata

Pós-graduação em Ciência dos Materiais - FEIS

Síntese e caracterização de nanoestruturas e filmes finos de 'BI' 'FE' 'OIND.3' modificado com samário visando aplicação em memórias de múltiplos estados

Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior (CAPES)

Análise de especiação redox de arsênio in situ usando a técnica de difusão de filmes finos por gradiente de concentração

Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior (CAPES)

Uso da técnica de difusão em filmes finos por gradientes de concentração (DGT) para determinação in situ de metais-traço nos rios da Bacia Amazônica Central

Pós-graduação em Geociências e Meio Ambiente - IGCE

Metodologia para determinação de arsênio, antimônio e bismuto por espectrometria de emissão óptica com fonte de plasma acoplado indutivamente (ICPOES) e geração de hidretos aplicada à rochas

Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior (CAPES)

Avaliação da performance de eletrodos de filmes finos de Ti/TiO 2 com diferentes tamanhos de nanopartículas na oxidação fotoeletrocatalítica de Índigo Carmim

Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior (CAPES)

Caracterização de filmes finos obtidos por deposição de vapor químico assistido a plasma (PECVD) e deposição e implantação iônica por imersão em plasma (PIIID)

Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior (CAPES)

Investigação de contatos elétricos e propriedades de filmes finos de SnO2 dopados com os íons terras raras Eu3+ e Ce3+

Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior (CAPES)