用VHDL实现的23位快速浮点数加减法器

With the development of LSI, FPGA/CPLD has been used more and more in the fields of digital signal processing and au-tocontrol and so on. And with the development of the techniques of digital processing, for fitting the system’s function, it should be a higher requirement to speed and used-resource to compute the floating point numbers. The author introduces a high speed adder-subtracter of the 23 bit’s floating point numbers, which is carried out with the parallel arithmetic and the computational speed cou...中文文摘：随着大规模集成电路的不断发展,FPGA/CPLD在数字信号处理、自动控制等方面得到了越来越多的应用。并且伴随着数字化处理技术的不断发展,为满足系统功能的要求,对浮点数运算的速度以及相应占用的资源也就提出了更高的要求。笔者即介绍了以VHDL语言为基础,采用并行算法且计算速度达到33MHz的,对23位标准浮点数实现的高速浮点加减法运算器,并以Cyclone II芯片EP2C20F484为硬件环境,最终进行时序模拟仿真,从而验证该浮点加减法器的正确性和快速特性。

Xe~(23+)离子辐照Al_2O_3的光谱特性

本工作研究460 keV、3 MeV和308 MeV Xe23+辐照Al2O3单晶样品的光致发光特性。从经过460 keV Xe23+辐照后样品的光致发光测试结果可看到,波长为380、413和450 nm的发光峰明显增强,在390和564 nm处出现了新的发光峰。从3 MeV的Xe23+辐照后样品谱的变化可看到,在较低剂量条件下,516 nm(2.4 eV)和564 nm(2.2 eV)处的发光峰随辐照剂量增加而增强,且当剂量增到1×1016cm-2时,564 nm处的发光峰消失,只有516 nm(2.4 eV)处的发光峰较强。从308 MeV Xe23+辐照后样品的光致发光谱中可看到,357 nm(3.47 eV)和516 nm(2.4 eV)处的发光峰随着剂量增加明显增强。辐照后样品的FTIR谱显示:波数在460~510 cm-1和630 cm-1附近的吸收是Al2O3振动模式,经离子辐照后,吸收带展宽;1 000~1 300 cm-1间为Al—O—Al桥氧键的伸缩振动模式,高能辐照后的吸收带向低波数方向移动。

~(22)Na(p,γ)~(23)Mg反应的实验研究

讨论了目前有关2 2 Na(p ,γ) 2 3Mg反应的实验研究工作 ,结合兰州放射性束流线上的放射性束流2 3Al的β+延发质子衰变实验的测量结果 ,给出了2 3Al延发衰变的质子能谱 ,并比较了近期实验给出的相关能级的自旋、宇称值 ,正是由于这种自旋、宇称和能级部分宽度的不确定性 ,导致了反应率计算的不确定性 .计算了同位旋相似态的共振强度 .对于测量到的新的延发衰变能级Ed =8.91 6MeV ,由于没有相应的能级宽度值 ,实验仅给出其相对共振强度值

~(230)Acβ-延发裂变概率的测定

由60MeV/μ18O离子照射天然钍靶所引起的232Th-2p反应产生230Ra,通过放射化学分离方法从被照射的靶中提取出镭元素并制成薄源,经230Ra230Ac得到230Ac.用云母裂变径迹探测器和PHGeγ射线探测器对来自源中的裂变碎片和γ谱进行记录和测量,借助于所测得的两个裂变事件和γ谱,鉴别了β-延发裂变核230Ac,得到了它的β-延发裂变概率为（1.19±0.85）×10-8.

~(230)Ac β延发裂变

本文叙述了远离beta稳定线新核素合成尤其是beta延发裂变研究的重要意义,介绍了beta延发裂变先驱~(230)Ac的搜索及其延发裂变几率的测定。

寻找~(230)U的集团衰变

使用35MeV质子轰击ThO2,通过232Th(p,3n)230Pa反应产生目标核。用放射化学分离法从靶材料和其它反应产物中分离Pa,制备薄的Pa源。用HPGe探测器测量Pa源的γ能谱,使用聚乙烯对苯二酸酯(PTEP)固体径迹探测器记录重离子径迹,首次发现了230U发射22Ne离子的稀有衰变模式,并获得了它相对于α粒子发射的分支比为(1.3±0.8)×10-14。

~(230)Ac的β延发裂变

用 6 0MeV/u18O离子轰击ThO2 ,通过多核子转移和靶的耗散碎裂反应产生2 3 0 Ra。利用放射化学分离技术 ,将镭与钍及其它反应产物分离并制备成薄镭源。该源对云母裂变径迹探测器暴光 ,用高纯锗探测器测量镭源的γ活度 ;用氢氟酸溶液对云母箔进行蚀刻 ,使用光学显微镜观测云母箔中的裂变径迹。首次观测到了可能来自2 3 0 Acβ延发裂变的两个事件 ,获得它的 β延发裂变几率为 (1 19± 0 85 )× 10 -8。

~(23)Al 的β~+延发质子测量

利用ＴＯＦ－ Ｅ和０°注入探测器的方法，鉴别并测量了２３Ａｌβ＋延发质子衰变能谱，通过精密脉冲发生器和计数器测得２３Ａｌ的半衰期 Ｔ１／２＝（４７６±４５）ｍｓ．实验中重现了能量为０．２１６，０．２７８，０．４３８，０．４７９ＭｅＶ的低能衰变质子．另外，还观察到了一个新的β＋延发衰变能级 Ｅｘ＝ ８．９１６ＭｅＶ，并给出了它们的相对强度．