373 resultados para swd: Dreidimensionale Computergraphik


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Childhood absence epilepsy (CAE) is a syndrome with well-defined electroclinical features but unknown pathological basis. An increased thalamic tonic GABA inhibition has recently been discovered on animal models (Cope et al., 2009), but its relevance for human CAE is unproven. METHODS: We studied an 11-year-old boy, presenting the typical clinical features of CAE, but spike-wave discharges (SWD) restricted to one hemisphere. RESULTS: High-resolution EEG failed to demonstrate independent contralateral hemisphere epileptic activity. Consistently, simultaneous EEG-fMRI revealed the typical thalamic BOLD activation, associated with caudate and default mode network deactivation, but restricted to the hemisphere with SWD. Cortical BOLD activations were localized on the ipsilateral pars transverse. Magnetic resonance spectroscopy, using MEGA-PRESS, showed that the GABA/creatine ratio was 2.6 times higher in the hemisphere with SWD than in the unaffected one, reflecting a higher GABA concentration. Similar comparisons for the patient's occipital cortex and thalamus of a healthy volunteer yielded asymmetries below 25%. SIGNIFICANCE: In a clinical case of CAE with EEG and fMRI-BOLD manifestations restricted to one hemisphere, we found an associated increase in thalamic GABA concentration consistent with a role for this abnormality in human CAE.

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Visualistics, computer science, picture syntax, picture semantics, picture pragmatics, interactive pictures

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Seismic analysis, horizon matching, fault tracking, marked point process,stochastic annealing

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Magdeburg, Univ., Fak. für Informatik, Diss., 2009

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Magdeburg, Univ., Fak. für Informatik, Diss., 2015

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L’objectif de ce mémoire de maîtrise est de caractériser la distribution axiale des plasmas tubulaires à la pression atmosphérique créés et entretenus par une onde électromagnétique de surface ainsi que d’explorer le potentiel de ces sources pour la synthèse de matériaux et de nanomatériaux. Un précédent travail de thèse, qui avait pour objectif de déterminer les mécanismes à l’origine de la contraction radiale du plasma créé dans des gaz rares, a mis en lumière un phénomène jusque-là inconnu dans les plasmas d’onde de surface (POS). En effet, la distribution axiale varie différemment selon la puissance incidente ce qui constitue une différence majeure par rapport aux plasmas à pression réduite. Dans ce contexte, nous avons réalisé une étude paramétrique des POS à la pression atmosphérique dans l’Ar. À partir de nos mesures de densité électronique, de température d’excitation et de densité d’atomes d’Ar dans un niveau métastable (Ar 3P2), résolues axialement, nous avons conclu que le comportement axial de l’intensité lumineuse avec la puissance n’est pas lié à un changement de la cinétique de la décharge (qui est dépendante de la température des électrons et de la densité d’atomes d’Ar métastables), mais plutôt à une distribution anormale de dissipation de puissance dans le plasma (reliée à la densité d’électrons). Plus précisément, nos résultats suggèrent que ce dépôt anormal de puissance provient d’une réflexion de l’onde dans le fort gradient de densité de charges en fin de colonne, un effet plus marqué pour de faibles longueurs de colonnes à plasma. Ensuite, nous avons effectué une étude spectroscopique du plasma en présence de précurseurs organiques, en particulier le HMDSO pour la synthèse de matériaux organosiliciés et l’IPT pour la synthèse de matériaux organotitaniques. Les POS à la PA sont caractérisés par des densités de charges très élevées (>10^13 cm^-3), permettant ainsi d’atteindre des degrés de dissociation des précurseurs nettement plus élevés que ceux d'autres plasmas froids à la pression atmosphérique comme les décharges à barrière diélectrique. Dans de tels cas, les matériaux synthétisés prennent la forme de nanopoudres organiques de taille inférieure à 100 nm. En présence de faibles quantités d’oxygène dans le plasma, nous obtenons plutôt des nanopoudres à base d’oxyde de silicium (HMDSO) ou à base de titanate de silicium (IPT), avec très peu de carbone.