Análise de dissipadores de calor com filmes de diamante CVD

Dissipadores de calor recobertos com filmes de diamante CVD foram desenvolvidos para acoplar a semicondutores, utilizando-se do Laboratório de Deposição de Filmes de Diamante CVD, na UNESP - Campus de Guaratinguetá e o Laboratório de Diamantes da Universidade São Francisco, em Itatiba, SP. Analisou-se o filme de diamante CVD sobre o silício, para emprego como dissipador de calor, porque o filme de diamante CVD pode ter o valor da condutividade térmica até cinco vezes superior ao do cobre e de dez vezes a do alumínio. Os filmes foram obtidos via deposição através de reator de filamento quente, trabalhando-se com vários filamentos retilíneos em paralelo, resultando assim em um processo que visou obter um filme mais uniforme e com grande área de deposição. Os dados para análises da composição química superficial dos filmes foram obtidos por Difração de Raios-X, Dispersão de Energia de Raios-X e para a verificação da morfologia e espessura do filme foi utilizada a Microscopia Eletrônica de Varredura. Para a verificação do comportamento da temperatura sobre o dissipador com o filme de diamante CVD foi utilizada uma câmera de imagem termográfica, marca Fluke, modelo Ti 40 FT. Foram obtidos filmes de 2 e 10 ?m sobre o silício. Estas espessuras ainda não oferecem um desempenho mecânico que o torne autosustentado. Do ponto de vista de desempenho térmico as análises mostraram que, mesmo com pequena espessura, o filme de diamante CVD apresentou bom resultado experimental. Os principais desafios de construção para esse dissipador de calor são a obtenção do filme com espessura acima de um mm e a garantia da qualidade do filme com a repetitividade do processo em cujo caso torna-se necessário definir as dimensões do dissipador antes da deposição do filme.

Estudos e aplicações da célula fotovoltaica DSC

The solar energy is far the largest source of energy available in earth and has attracted for milleniuns, the attention and interest for a rational use. The solar energy which strikes the Earth in one hour is bigger than the whole consume of energy in Earth in one year. Among the forms of transformation of this clean, renewable energy, the electrical conversion, photovoltaic cells, have the materials based on silicon or germanium semiconductors due to its technology and production processes involved still have a high production cost. An alternative to this solar cell is based on a synthetic dye and a semiconductor nanocrystalline TiO2, titanium dioxide, called DSC (Dye-Sensitized Cells), which have a cost of up to 80% lower than silicon cells

Caracterização de diodos tipo Schottky fabricados com poli-o-metoxianilina em diversas temperaturas

Technological advances achieved during the twentieth century strongly boosted the scientific research in the area of condensed matter physics, especially in the study and development of new semiconductor materials. In the segment, the development of semiconducting polymers for application in electronic devices promotes the field of organic electronics...(Complete abstract click electronic access below)

Estudo, construção e caracterização de diodos orgânicos tipo Schttky

During the twentieth century the inorganic electronics was largely developed being present in various industrial equipment or household use. However, at the end of that century were verified electronic properties in organic compounds, giving rise to the field of organic electronics. Since then, the physical properties of elementary devices such as diodes and organic transistors have been studied. In this work was studied the properties of diode devices fabricated with a semiconductor polymer, the poly-o-methoxyaniline (POMA). Devices containing electrodes of Au and Al were fabricated with semiconductor polymer of different doping levels. We found that the rectifying behavior for the heterojunctions metal/polimer are reached only for high doping level (with conductivity greater than 1,77. 10-9 S / cm), which gives the devices characteristic of a Schottky diode. The rectifying behavior was observed for electric fields of low magnitude, below the operating field (~ 600 V/cm), while for electric field greater than 600 V/cm the a linear behavior I vs.V was obtained. We determined that this Ohmic behavior arises from the charge transport over the volume of the semiconductor material after the lowering of the metal/semiconductor barrier. In devices with weakly doped semiconductor, the electrical resistance of the volume becomes high and the process of charge transportation is dominated by the volume, for any intensity of the applied electric field

Equações de taxa aplicadas na modelagem de dispositivos fotodetectores baseados em poços quânticos

In this work, it is presented a novel method for calculating some intrinsic parameters such as capture mean time, thermic emission mean time, capture probability and noise gain on quantum well infrared photodetectors. Such devices are built by depositing layers of semiconductors of different energy gap, forming quantum wells. The present method uses rate equations to describe the occupation of discrete states of the quantum wells, that together with noise gain equations given in literature, are solved self consistently. The input data of the method is experimental measurement of dark current (current measured with no relevant incident photon) versus applied bias. In order to validate this approach, the values obtained were compared with results from literature

Purificação do brometo de tálio pelo refino zonal e análise da segregação das impurezas

Desde o conhecimento da radiação e seus efeitos a necessidade de mensurá-la intriga os cientistas. Os detectores de radiação mais difundidos atualmente fazem o uso de cristais semicondutores. Porém, esses detectores tem uma temperatura ótima de funcionamento que acaba sendo ultrapassada, já que o processo gera calor. Por isso, o resfriamento acaba sendo uma necessidade. O desenvolvimento de detectores de radiação com cristal semicondutor que opere a temperatura ambiente é tema de muitos estudos, já que evitaria o processo de resfriamento, trabalhoso e de alto custo. No Centro de Tecnologia das Radiações (CTR) do Instituto de Pesquisas Energéticas e Nucleares (IPEN) o sal de Brometo de Tálio (TlBr) é estudado para esta finalidade. Até ser um cristal semicondutor este sal deve passar por vários processos, entre eles o de purificação e o de cristalização. A técnica utilizada para purificar este cristal é a de Refino zonal. Após ser purificado por esta técnica o sal estará apto a ser cristalizado e consequentemente integrar um equipamento de detecção de radiação. Portanto, esta monografia teve como objetivo realizar a análise da segregação das impurezas do sal de TlBr através da técnica de espectroscopia de massa em fonte de plasma induzido (ICP-MS) e espectroscopia de emissão atômica (ICP-AES). Determinando assim se o mesmo está apto a ser cristalizado e vir a compor um detector de radiação

Monitoramento da condição da ferramenta de dressagem usando sinais de vibração e modelos neurais

Pós-graduação em Engenharia Elétrica - FEB

Projeto de um Multiplicador Divisor Anal´ogico em tecnologia CMOS para uso em controlador fuzzy tipo-2 intervalar

The main objective of the presented study is the design of a analog multiplier-divider as integrant part of the type-reducer circuit of type-2 fuzzy controller chip. The proposed circuit is a multiplier/divider which operates in current mode, in the CMOS technology with a supply voltage of 1.8 V.The circuit simulation was performed in PSPICE software with simulation model provided by AMS (Austria Mikro Systems International) in CMOS technology 0.35μm

Estudo do desempenho de filmes de Ti02 como aceptor de elétrons e obtenção de fases puras de nanopartículas de Ti02: anatase e rutila, sintetizado por uma nova rota química

Pós-graduação em Ciência dos Materiais - FEIS

Nanotecnologia: ciência e engenharia

Pós-graduação em Física - FC

Diodo planar orgânico Schottky: construção e caracterização

Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico (CNPq)

Formação e crescimento do óxido de zinco e óxido de zinco dopado com cobre

Pós-graduação em Química - IQ

Obtenção e caracterização de nanoestruturas puras e dopadas a base de 'TI''O'IND.2' para a aplicação em fotocatálise

Pós-graduação em Química - IQ

Um estudo teórico e experimental de nanoestruturas de 'ZnS': propriedades físicas e químicas

Pós-graduação em Química - IQ

Estudo da condutividade elétrica em filmes finos de derivados de politiofeno

Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior (CAPES)