Design and optimization of planar mesa termination for diamond Schottky barrier diodes

In this paper, we present planar mesa termination structure with high k dielectric Al2O3 for high-voltage diamond Schottky barrier diode. Analysis, design, and optimization are carried out by simulations using finite element technology computer-aided design (TCAD) Sentaurus Device software. The performances of planar mesa termination structure are compared to those of conventional field plate termination structure. It is found that optimum geometry of planar mesa terminated diode requires shorter metal plate extension (1/3 of the field plate terminated diode). Consequently, planar mesa terminated diode can be designed with bigger Schottky contact to increase its current carrying capability. Breakdown performance of field plate termination structure is limited at 1480 V due to peak electric field at the corner of Schottky contact (no oxide breakdown occurs). In contrast, peak electric field in planar mesa termination structure only occurs in the field oxide such that its breakdown performance is highly dependent on the oxide material. Due to Al2O3 breakdown, planar mesa termination structure suffers premature breakdown at 1440 V. Considering no oxide breakdown occurs, planar mesa termination structure can realize higher breakdown voltage of 1751 V. Therefore, to fully realize the potential of planar mesa terminated diode, it is important to choose suitable high k dielectric material with sufficient breakdown electric field for the field oxide. © 2013 Elsevier B.V.

Anisotropic radiation pattern from InGaAlP quantum well mesa-like microdisks

To overcome the isotropic directional emission of an ideal circular microdisk, two kinds of cylindrical mesa-like InGaAlP single quantum well (SQW) microdisks emitting at a visible red wavelength of 0.66 mu m have been fabricated. An anisotropic luminescence pattern was revealed by the microscopic fluorescence (FL) image. FL intensity, preferentially enhanced with twofold symmetry, appeared at the circumference of the InGaAlP SQW microdisks. Our results demonstrated that anisotropic radiation can be achieved by geometry shaping of the disks on the top view two-dimensional boundary slightly deformed from circular shape and/or on the side-view cross-section of the circular mesa by wet etching anisotropic undercut. (C) 2000 Elsevier Science Ltd. All rights reserved.

他克莫司对UVA照射后HaCaT细胞增殖的影响

　目的　探讨不同浓度他克莫司(TM)对不同强度长波紫外线(UVA)照射HaCaT细胞24h和48h后细胞 增殖活性的影响。方法将培养的HaCaT细胞分别行2, 4 和8J / cm2 的UVA 照射,且照射前1h 分别加入50, 500 和 5 000pg/mL的TM,对照组分别加入50, 500和5 000pg/mL的TM,但不行UVA照射。各剂量组分别照射24h和48h后在 倒置相差显微镜下观察细胞的形态变化,MTT法检测细胞的增殖活性。结果　HaCaT细胞经UVA照射24h后,细胞连接 松散,细胞折光性较未照射组差,部分细胞死亡、脱壁;与未经UVA照射组相比,细胞增殖受到抑制( P < 0. 05) ,加入TM 组无明显变化( P > 0. 05) ;照射48h后细胞虽有大量增殖,但体积较小;与未经UVA 照射组相比,细胞增殖明显( P < 0. 05) ,加入TM组细胞增殖受到抑制(P < 0. 05) 。结论　TM可抑制UVA照射HaCaT细胞引起的过度增殖,对UVA照射 后的HaCaT细胞有保护作用。

THEORETICAL CALCULATION FOR SHUBNIKOV-DEHAAS OSCILLATIONS IN DEEP MESA STRUCTURES

We have used the rectangular confinement potential to describe Shubnikov-deHaas oscillations produced by one-dimensional electrons confined in deep mesa structures. The edge distortion of the confinement potential caused by electrostatic image forces is taken into account. The model contains no fitting parameters and relates well with experimental data. The comparison with earlier reported parabolic model is presented,

Effect of Mesa Size on Thermal Characteristics of Vertical-cavity Surface-emitting Lasers

The effect of mesa size on the thermal characteristics of etched mesa vertical-cavity surfaceemitting lasers(VCSELs) is studied. The numerical results show that the mesa size of the top mirror strongly influences the temperature distribution inside the etched mesa VCSEL. Under a certain driving voltage, with decreasing mesa size, the location of the maximal temperature moves towards the p-contact metal, the temperature in the core region of the active layer rises greatly, and the thermal characteristics of the etched mesa VCSELs will deteriorate.

Manual prático de construção e montagem: mesa.

2009

CULTIVAR SCSBRS 0201: Eucalyptus benthamii.

2010

Efeito da solarizacao sobre a producao de tomate de mesa e de industria em uma estufa modelo capela.

A tecnologia de controle de nematóides nos solos de estufas, em uso, envolvem o uso de processos físicos(vapor), físicos/químicos e químicos que são onerosos, insalubres, de difíceis manuseio e poluidores do meio ambiente. Esta pesquisa tem por objetivo adaptar o processo de solarização de solos, para as condições de plantio protegido de tomate do DF. Os testes com 6 cultivares desenvolvidas em áreas infestadas como Meloidogyne incognita raça 1 e Meloidogyne javanica e com solarização evidenciaram a eficácia da tecnologia de solarização no controle de nematóides de galhas.

Esplanada: cultivar de cenoura de verão para processamento.

2005

Caracterização de isolados de Phytophthora infestans obtidos de tomateiro.

O tomateiro (Solanum lycopersicum L. = Lycopersicon esculentum Mill.) é uma das plantas oleráceas mais cultivadas no Brasil e o seu fruto, o tomate, é uma das olerícolas mais consumidas na mesa do brasileiro e muito usado pela agroindústria. Uma das doenças do tomateiro mais temidas pelos produtores é a requeima, causada pelo fungo Phytophtora infestans, que provoca grande destruição na cultura em pouco tempo. Este trabalho teve o objetivo de caracterizar isolados de P. infestans, coletados de tomateiros, quanto ao grupo de compatibilidade, à virulência e à resistência ao fungicida mefenoxan. Vinte e seis isolados foram caracterizados quanto ao grupo de compatibilidade; 24 foram caracterizados quanto à resistência ao mefenoxan; e determinou-se o espectro de virulência de 14 isolados. Todos os 26 isolados testados foram classificados como do grupo A1 de compatibilidade. Em relação à virulência, todos os isolados foram virulentos à cultivar de tomate 'IPA-5'. A maioria foi virulenta em plantas de tomate com os genes Ph1 (92,86%) ou Ph2 (78,57%) e uma pequena parte dos isolados foram virulentos em plantas com o gene Ph3 (21,43%). Quanto à resistência ao mefenoxan, a freqüência de isolados sensíveis, intermediários e resistentes foram de 16,67%, 16,67% e 66,66%, respectivamente. Há evidências da não-reprodução sexuada e formação de oósporos nos campos de tomate do país, retardando o aparecimento da doença. Devido a um maior número de isolados resistentes ao mefenoxan, o controle da requeima com este fungicida pode ser ineficiente em campo. Uma vez que o patógeno apresentou um amplo espectro de virulência, a utilização de cultivares com resistência vertical a requeima não é recomendada. O manejo integrado da requeima é a forma mais eficaz de se controlar a doença.