968 resultados para Linear optics in Quantum dots


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In general, linear- optic, thermo- optic and nonlinear- optical studies on CdSe QDs based nano uids and their special applications in solar cells and random lasers have been studied in this thesis. Photo acous- tic and thermal lens studies are the two characterization methods used for thermo- optic studies whereas Z- scan method is used for nonlinear- optical charecterization. In all these cases we have selected CdSe QDs based nano uid as potential photonic material and studied the e ect of metal NPs on its properties. Linear optical studies on these materials have been done using vari- ous characterization methods and photo induced studies is one of them. Thermal lens studies on these materials give information about heat transport properties of these materials and their suitability for applica- tions such as coolant and insulators. Photo acoustic studies shows the e ect of light on the absorption energy levels of the materials. We have also observed that these materials can be used as optical limiters in the eld of nonlinear optics. Special applications of these materials have been studied in the eld of solar cell such as QDSSCs, where CdSe QDs act as the sensitizing materials for light harvesting. Random lasers have many applications in the eld of laser technology, in which CdSe QDs act as scattering media for the gain.

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We have carried out a systematic analysis of the transverse dipole spin response of a large-size quantum dot within time-dependent current density functional theory. Results for magnetic fields corresponding to integer filling factors are reported, as well as a comparison with the longitudinal dipole spin response. As in the two-dimensional electron gas, the spin response at high-spin magnetization is dominated by a low-energy transverse mode.

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We have employed time-dependent local-spin density-functional theory to analyze the multipole spin and charge density excitations in GaAs-AlxGa1-xAs quantum dots. The on-plane transferred momentum degree of freedom has been taken into account, and the wave-vector dependence of the excitations is discussed. In agreement with previous experiments, we have found that the energies of these modes do not depend on the transferred wave vector, although their intensities do. Comparison with a recent resonant Raman scattering experiment [C. Schüller et al., Phys. Rev. Lett. 80, 2673 (1998)] is made. This allows us to identify the angular momentum of several of the observed modes as well as to reproduce their energies

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We have carried out a systematic analysis of the transverse dipole spin response of a large-size quantum dot within time-dependent current density functional theory. Results for magnetic fields corresponding to integer filling factors are reported, as well as a comparison with the longitudinal dipole spin response. As in the two-dimensional electron gas, the spin response at high-spin magnetization is dominated by a low-energy transverse mode.

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We have employed time-dependent local-spin density-functional theory to analyze the multipole spin and charge density excitations in GaAs-AlxGa1-xAs quantum dots. The on-plane transferred momentum degree of freedom has been taken into account, and the wave-vector dependence of the excitations is discussed. In agreement with previous experiments, we have found that the energies of these modes do not depend on the transferred wave vector, although their intensities do. Comparison with a recent resonant Raman scattering experiment [C. Schüller et al., Phys. Rev. Lett. 80, 2673 (1998)] is made. This allows us to identify the angular momentum of several of the observed modes as well as to reproduce their energies

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We report a numerical renormalization-group study of the thermoelectric effect in the single-electron transistor (SET) and side-coupled geometries. As expected, the computed thermal conductance and thermopower curves show signatures of the Kondo effect and of Fano interference. The thermopower curves are also affected by particle-hole asymmetry. © 2009 Elsevier B.V. All rights reserved.

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La capacità della spettroscopia di assorbimento di riuscire a determinare la struttura locale di campioni di ogni tipo e concentrazione, dagli elementi puri ai più moderni materiali nanostrutturati, rende lo studio dei meccanismi di incorporazione di droganti in matrici di semiconduttori il campo che meglio ne esprime tutto il potenziale. Inoltre la possibilità di ottenere informazioni sulla struttura locale di un particolare elemento in traccia posto in sistemi senza ordine a lungo raggio risulta, ovviamente, nello studio dei semiconduttori di grandissimo interesse. Tuttavia, la complessità di determinate strutture, generate dalla incorporazione di elementi eterovalenti che ne modificano la simmetria, può far si che all’analisi sperimentale si debbano affiancare dei metodi avanzati ab-initio. Questi approcci garantiscono, attraverso la simulazione o di strutture atomiche o dello stesso spettro XAS, di ottenere una più completa e precisa interpretazione dei dati sperimentali. Nella fase preliminare di questo elaborato si illustrerà la fenomenologia della spettroscopia di assorbimento e i fondamenti teorici che stanno alla base dell’analisi della struttura fine di soglia. Si introdurranno contemporaneamente le tecniche sperimentali con cui si realizzano le misure di spettri di assorbimento su una beamline che sfrutta sorgente di radiazione di sincrotrone facendo riferimento agli strumenti montati sulla linea LISA (o BM08) presso l’European Synchrotron Radiation Facility di Grenoble su cui si sono realizzati gli esperimenti di questo lavoro. Successivamente si realizzerà una rassegna di alcuni esperimenti simbolo della analisi della struttura locale di droganti in semiconduttori mediante XAFS, andando ad approfondire i metodi sperimentali associati. Nella parte principale della tesi verranno descritti alcuni tipi di analisi avanzate effettuate su Colloidal Quantum Dots a base di solfuro di piombo drogati con antimonio. Tali sistemi, particolarmente interessanti per potenziali applicazioni in campo optoelettrico, sono stati analizzati mediante misure di fluorescenza ottenute sulla beamline LISA. La fase di analisi ha visto la progettazione di una suite di programmi in C++ per realizzare simulazioni di uno spettro XAS teorico completo basato su strutture ottenute (anche esse) da metodi ab-initio.

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We consider the electronic transport through a Rashba quantum dot coupled to ferromagnetic leads. We show that the interference of localized electron states with resonant electron states leads to the appearance of the Fano-Rashba effect. This effect occurs due to the interference of bound levels of spin-polarized electrons with the continuum of electronic states with an opposite spin polarization. We investigate this Fano-Rashba effect as a function of the applied magnetic field and Rashba spin-orbit coupling.

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Quantum computers promise to increase greatly the efficiency of solving problems such as factoring large integers, combinatorial optimization and quantum physics simulation. One of the greatest challenges now is to implement the basic quantum-computational elements in a physical system and to demonstrate that they can be reliably and scalably controlled. One of the earliest proposals for quantum computation is based on implementing a quantum bit with two optical modes containing one photon. The proposal is appealing because of the ease with which photon interference can be observed. Until now, it suffered from the requirement for non-linear couplings between optical modes containing few photons. Here we show that efficient quantum computation is possible using only beam splitters, phase shifters, single photon sources and photo-detectors. Our methods exploit feedback from photo-detectors and are robust against errors from photon loss and detector inefficiency. The basic elements are accessible to experimental investigation with current technology.

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We obtain the finite-temperature unconditional master equation of the density matrix for two coupled quantum dots (CQD's) when one dot is subjected to a measurement of its electron occupation number using a point contact (PC). To determine how the CQD system state depends on the actual current through the PC device, we use the so-called quantum trajectory method to derive the zero-temperature conditional master equation. We first treat the electron tunneling through the PC barrier as a classical stochastic point process (a quantum-jump model). Then we show explicitly that our results can be extended to the quantum-diffusive limit when the average electron tunneling rate is very large compared to the extra change of the tunneling rate due to the presence of the electron in the dot closer to the PC. We find that in both quantum-jump and quantum-diffusive cases, the conditional dynamics of the CQD system can be described by the stochastic Schrodinger equations for its conditioned state vector if and only if the information carried away from the CQD system by the PC reservoirs can be recovered by the perfect detection of the measurements.

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High-resolution X-ray diffractometry is used to probe the nature of a diffraction-peak broadening previously noticed in quantum dots (QDs) systems with freestanding InAs islands on top of GaAs (001) substrates [Freitas et al., Phys. Status Solidi (A) 204, 2548 (2007)]. The procedure is hence extended to further investigate the capping process of InAs/GaAs QDs. A direct correlation is established between QDs growth rates and misorientation of lattice-planes at the samples surfaces. This effect provides an alternative too] for studying average strain fields on QDs systems in standard triple axis diffractometers running on X-ray tube sources, which are much more common than synchrotron facilities. (C) 2009 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim

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Nell'ambito delle nanostrutture, un ruolo primario è svolto dai punti quantici. In questo lavoro siamo interessati all'analisi teorica del processo di creazione dei punti quantici: esso può avvenire per eteroepitassia, in particolare secondo il metodo studiato da Stranski-Krastanov. Un film di Germanio viene depositato su un substrato di Silicio in modo coerente, cioè senza dislocazioni, e, a causa del misfit tra le maglie dei due materiali, c'è un accumulo di energia elastica nel film. A una certa altezza critica questa energia del film può essere ridotta se il film si organizza in isole (punti quantici), dove la tensione può essere rilassata lateralmente. L'altezza critica dipende dai moduli di Young (E, υ), dal misfit tra le maglie (m) e dalla tensione superficiali (γ). Il trasporto di materiale nel film è portato avanti per diffusione superficiale. Il punto focale nell'analisi delle instabilità indotte dal misfit tra le maglie dei materiali è la ricerca delle caratteristiche che individuano il modo di crescita più rapido dei punti quantici. In questo lavoro siamo interessati ad un caso particolare: la crescita di punti quantici non su una superficie piana ma sulla superficie di un nanofilo quantico a geometria cilindrica. L'analisi delle instabilità viene condotta risolvendo le equazioni all'equilibrio: a tal fine sono state calcolate le distribuzioni del tensore delle deformazioni e degli sforzo di un nanofilo core-shell con una superficie perturbata al primo ordine rispetto all'ampiezza della perturbazione. L'analisi è stata condotta con particolari condizioni al contorno ed ipotesi geometriche, e diverse scelte dello stato di riferimento del campo degli spostamenti. Risolto il problema elastico, è stata studiata l'equazione dinamica di evoluzione descrivente la diffusione di superficie. Il risultato dell'analisi di instabilità è il tasso di crescita in funzione del numero d'onda q, con diversi valori del raggio del core, spessore dello shell e modo normale n, al fine di trovare il più veloce modo di crescita della perturbazione.