Frauen und AIDS in Tansania /// Arbeitspapiere / Institut für Ethnologie und Afrikastudien ; 60

Mehr als die Hälfte aller HIV-positiven Tansanier sind Frauen. Ihre schwächere gesellschaftliche Stellung ist einer der Faktoren, der dazu beiträgt, dass sie einem erhöhten Infektionsrisiko ausgesetzt sind. Aufgrund geringerer Bildungschancen und einer anhaltenden gesellschaftlichen Idealvorstellung von der Frau als Mutter sind Frauen auch auf dem Arbeitsmarkt benachteiligt. Im Kontext von HIV/AIDS werden afrikanische Frauen häufig als passive Opfer der Epidemie dargestellt und es wird zu selten aufgezeigt, wie sie als Akteure eigene Strategien im Kampf gegen die Krankheit entwickeln. In letzter Zeit gewinnen Frauenorganisationen an Bedeutung, denn viele Frauen wollen ausdrücklich eigenverantwortlich und ohne Männer arbeiten. Eine solche Organisation ist die in meiner Arbeit vorgestellte NGO KIWAMWAKU („Kikundi cha Wanawake Mwanga kupambana na Ukimwi“ – Vereinigung von Frauen aus Mwanga zum Kampf gegen AIDS). Meine Forschung hat gezeigt, dass Frauen ihre gesellschaftliche Stellung durch das Engagement in einer NGO verbessern können. Sie können ein eigenes Einkommen erwirtschaften und nützliche Kenntnisse etwa in der Führung einer Organisation erlangen. Allerdings profitieren nicht alle Beteiligten gleichermaßen. Die drei Leiterinnen der erforschten NGO verfügten über die meisten Vorteile; sie profitierten finanziell, aber auch ideell, denn sie genossen durch ihre Arbeit hohes Ansehen im gesamten Mwanga-Distrikt. Dagegen konnten einige der Klientinnen nur in sehr geringem Maße von Interventionen profitieren. Letztlich bin ich jedoch überzeugt davon, dass durch solche Frauenorganisationen ein wichtiger Prozess angestoßen worden ist, durch den Frauen mittel- oder langfristig eine stärkere Stellung innerhalb der tansanischen Gesellschaft erlangen können, was sich wiederum positiv auf die immer noch steigenden HIV/AIDS-Infektionsraten auswirken kann.

From MALDI-TOF mass spectrometry to soft-landing for electronics

Within this PhD thesis matrix assisted laser desorption/ionization mass spectrometry (MALDI-MS) has been used as a reliable tool for the quantitative characterization of giant molecules, such as alkyl substituted and unsubstituted large polycyclic aromatic hydrocarbons (PAH), which cannot be characterized by conventional analytic techniques due to their lack of solubility. The use of the MALDI solvent-free technique for the sample preparation and the application of the standard addition method have allowed the quantitative characterization of synthetic PAH mixtures. The knowledge, acquired by studying these representative systems, has been then transferred to the quantitative analyses of complex and slightly soluble natural PAH mixtures, such as mesophase pitch. Moreover, the possibility to ionize intractable and insoluble molecules via mass spectrometry has been recognized to be not only a powerful analytical method, but also to represent a unique change to handle giant aromatic systems and to deposit them on a surface for further investigations, in a process, which is defined as “soft-landing”. Within this novel deposition technique, ions of the desired analytes or analyte mixtures are generated by means of an MS ionization source, discriminated by their different mass to charge ratios via a mass analyzer and landed with retention of their structure on a desired surface. This soft-deposition is guaranteed by the use of decelerating potentials, which have in this work been recognized to influence the final packing of the analyte molecules reaching the landing surface. For a more detailed study of the electrical field action on disc-like and rod-like molecules, soft-landing-independent experiments have been additionally carried out. As a result unidirectionally ordered films of the analyte molecules have been obtained due to the application of an external electrical strength. This versatile alignment technique has then been used for obtaining ordered layers of semiconducting materials for the fabrication of organic field effect transistors (OFET) with improved performances.