Kohärente Elektroproduktion von neutralen Pionen am Deuteron nahe der Schwelle

Im Rahmen dieser Arbeit wurde das an derDrei-Spektrometer-Anlage derA1-Kollaboration des Institutes für Kernphysik derUniversität Mainzdurchgeführte Koinzidenz-Experiment zur Elektroproduktionvon neutralenPionen nahe der Schwelle am Deuteron bei einemViererimpulsübertrag vonq^2=-0.1 GeV^2/c^2 vorgestellt. Diese Messung stellt denerstenexperimentellen Zugang zum longitudinalen Anteil desWirkungsquerschnittes dieser Reaktion überhaupt dar. ZurSeparationder verschiedenen Wirkungsquerschnittsanteile wurden Datenbei dreiPolarisationen des virtuellen Photons bis 4 MeV oberhalb derPionproduktionsschwelle genommen. Eine besondereHerausforderung ergabsich aus der mit beta=0.16 geringsten bisher mit demDetektorsystem nachgewiesenen Teilchengeschwindigkeit derDeuteronenund dem erstmaligen kohärenten Nachweis des Deuterons. Aus den in zwei Strahlzeiten gewonnenen Daten wurden mitHilfe einerRosenbluth-Separation der longitudinale und transversaleAnteil desWirkungsquerschnittes ermittelt. Unter Verwendung aller 144Datenpunkte derdifferentiellen Wirkungsquerschnitte konnten bei schwachenAnnahmen für dieImpulsabhängigkeit der p-Wellen-Beiträge die Beträge ders-Wellen-Amplituden Ed und Ld an der Schwelle extrahiertwerden: |Ed|<0.68*10^(-3)/M_pi+ und |Ld|=(0.81+/-0.18)*10^(-3)/M_pi+ Die experimentell bestimmten Werte liegen weit unter denVorhersagen der chiralen Störungstheorie. Ausgedrückt durchdens-Wellen-Wirkungsquerschnitt a_0 entspricht der gemesseneWert nurca. 1/6 der Vorhersage. Die gemessenen Winkelverteilungenderdifferentiellen Wirkungsquerschnitte können als wichtigeGrundlage zurIntegration der bisher in den Modellen nicht enthaltenenp-Wellen-Beiträge dienen.

Electronic transport properties of YBa 2 Cu 3 O 7-x

documentstyle[12pt,german]{article} pagestyle{empty} topmargin-1.5cm textheight24.5cm footskip-1.5cm % % begin{document} % begin{center} {Large {it Hern'{a}n Rodr'{i}guez}}\ vspace{24pt} {Large {bf Elektronische Transporteigenschaften von YBa$_{2}$Cu$_{3}$O$_{7-x}$/PrBa$_{2}$Cu$_{2.9}$Ga$_{0.1}$O$_{7-y}$ Dreifachschichten und "Ubergittern senkrecht zur Lagenstruktur}} end{center} vspace{24pt} noindent In der vorliegenden Arbeit wurden die Transporteigenschaften senkrecht zu den CuO$_{2}$--Ebenen von Hochtemperatur Supraleitern an YBa$_{2}$Cu$_{3}$O$_{7-x}$/\ PrBa$_{2}$Cu$_{2.9}$Ga$_{0.1}$O$_{7-y}$/ YBa$_{2}$Cu$_{3}$O$_{7-x}$ Dreifachschichten und [(YBa$_{2}$Cu$_{3}$O$_{7-x}$)$_{n}$\/(PrBa$_{2}$Cu$_{2.9}$Ga$_{0.1}$O$_{7-y}$)$_{m}$]$_{times M}$ "Ubergittern untersucht. Um die Transporteigenschaften senkrecht zu den Grenzfl"achen in Mehrlagenstrukturen messen zu k"onnen, ist ein Verfahren zur Herstellung von planaren Bauelemente verwendet worden. Die Untersuchungen an YBa$_{2}$Cu$_{3}$O$_{7-x}$/PrBa$_{2}$Cu$_{2.9}$Ga$_{0.1}$O$_{7-y}$ Dreifachschichten und "Ubergittern zeigen, da"s die Substrattemperatur w"ahrend des Wachstums die elektronischen Eigenschaften entlang der $c$--Achse stark beeinflusst. Bei Senkung der Abscheidetemperatur ergibt sich eine "Anderung von normalmetallischem zu tunnelkontaktartigem Verhalten. Die bei 840$^circ$C hergestellten Vielfachschichten weisen sowohl eine konstante Hintergrundleitf"ahigkeit als auch eine "Uberschu"sleitf"ahigkeit bei niedrigen Spannungen auf. Dies deutet darauf hin, da"s es sich um einen Supraleiter--Normalleiter--Supraleiter (S--N--S) Kontakt handelt. Dagegen zeigen Vielfachschichten, die bei 760$^circ$C deponiert wurden, deutlich unterschiedliches Verhalten verglichen mit den bei 840$^circ$C pr"aparierte Proben. Die Leitf"ahigkeit nimmt mit der Spannung zu, wobei der Leitf"ahigkeithintergrund eine ``V''--Form darstellt. Dar"uber hinaus zeigen die Leitf"ahigkeitskennlinien bei niedrigen Spannungen eine starke Abh"angigkeit sowohl von der Bias Spannung als auch von der Temperatur. Bei Dreifachschichten mit 20 nm PrBa$_{2}$Cu$_{2.9}$Ga$_{0.1}$O$_{7-y}$ tritt ein Leitf"ahigkeitmaximun bei Null--Spannung auf. Die Wechselwirkung zwischen tunnelnden Quasiteilchen und magnetischen Momenten in der Barriere ruft dieses Maximun hervor. Das "Ubergitter mit ($n/m$) = (4/5) Modulation zeigt Supraleiter--Isolator--Supraleiter (S--I--S) Tunnelkontakt--Verhalten mit Strukturen, die von der Energiel"ucke des Supraleiters hervorgerufen werden. Das S--N-- bzw., S--I--Kontaktverhalten der Heterostrukturen wurden ebenfalls mit Messungen der Leitf"ahigkeit bei tiefern Temperaturen weit au"serhalb der supraleitenden Energiel"ucke best"atigt. Diese Ergebnisse weisen auf die M"oglichkeit hin, durch Einstellen der Substrattemperaturen bei der Deposition das Auftreten von S--N--S und S--I--S Verhalten der Kontakte zu steuern. vspace{24pt} noindent Datum: 05.07.2004\ Betreuer: Prof. Dr. Hermann Adrian %Name des Betreuers, daneben dessen Unterschrift end{document}

Sensitivity analysis of a parabolic-elliptic problem

We consider the heat flux through a domain with subregions in which the thermal capacity approaches zero. In these subregions the parabolic heat equation degenerates to an elliptic one. We show the well-posedness of such parabolic-elliptic differential equations for general non-negative L-infinity-capacities and study the continuity of the solutions with respect to the capacity, thus giving a rigorous justification for modeling a small thermal capacity by setting it to zero. We also characterize weak directional derivatives of the temperature with respect to capacity as solutions of related parabolic-elliptic problems.