Molecular organization of n-cyanobiphenyl liquid crystals on a molybdenite surface

The alignement and anchoring of liquid crystals on solid surfaces is a key problem for modern device technology that until now has been treated empirically, but that can now be tackled by atomistic computer simulations. Molecular dynamics (MD) simulations were used in this thesis work to study two films of 7 and 8 n-alkyl-4’cyanobiphenyl (7CB and 8CB) liquid crystals , with a thickness of 15 nm, confined between two (001) surfaces of MoS2 (molybdenite). The isotropic and nematic phases of both liquid crystals were simulated, and the resulting structures characterized structurally. A new force field was designed to model the interactions between the liquid crystal (LC) molecules and the surface of molybdenite, while an accurate force field developed previously was used to model the 7CB and 8CB molecules. The results show that the (001) molybdenite surface induces a planar orientation in both the liquid crystals. For the nematic phase of 8CB, one of the two solid/LC interfaces is composed of a first layer of molecules aligned parallel to the surface, followed by a second layer of molecules aligned perpendicular to the surface (also called, homeotropic). The effect of the surface appears to be local in nature as it is confined to the first 15 Angström of the LC film. Conversely, for the nematic phase of 7CB, a planar ordering is established into the LC film. The LC molecules at the interface with the molybdenite appear to align preferentially their alkyl chains toward the solid substrate. The resulting tilt angle of molecules was found to be in good agreement with experimental measurements available in literature. Despite the fact that the MD simulations spanned a time range of more than 100 ns, the nematic phases of both 7CB and 8CB were found not to be completely formed. In order to confirm the findings presented in this thesis, we propose to extend the current study.

Proprietà ottiche di film sottili di germanio nanoporoso

In questa tesi viene presa in esame una classe di materiali semiconduttori caratterizzata dalla presenza di una struttura nanoporosa in superficie. L’analisi è stata svolta tramite surface photovoltage spectroscopy (SPS) su cinque film di Ge realizzati in condizioni diverse, sfruttando due tecniche di impiantazione ionica (MBE e Sputtering). Valutando il valore in energia e l’ampiezza del picco della curva SPV che si ottiene, sarà possibile studiare come vengono modificate alcune proprietà elettriche e strutturali del Ge al variare della geometria e della disposizione dei nanopori. I risultati ottenuti mettono in risalto le potenzialità di questo nuovo tipo di materiale per realizzare e migliorare applicazioni come sensori, catalizzatori e pannelli fotovoltaici.

Proprieta elettriche e ottiche di film di ge impiantati con sn.

In questo lavoro di tesi vengono studiate le proprietà ottiche ed elettriche di film sottili di germanio, impiantati con ioni stagno. I campioni, realizzati tramite tecnica CVD (\emph{Chemical Vapor Deposition}), sono stati realizzati in condizioni operative differenti, il che ha permesso di ottenere materiali con proprietà strutturali e fisiche diverse. Si è posta particolare attenzione alla presenza di strutture nanoporose, presenti in alcuni di questi campioni, che possono dar vita ad effetti di confinamento quantico, associato ad uno spostamento dell'energy gap rispetto al materiale bulk. Le analisi sono state effettuate sia tramite misure SPV (\emph{Surface Photovoltage}), che hanno permesso di indagare le proprietà ottiche, sia tramite tecnica IV (\emph{corrente-tensione}), volta ad evidenziare le proprietà elettriche dei diversi campioni. I risultati ottenuti sono, infine, stati confrontati con un campione di riferimento di film di germanio non impiantato, mettendone in luce le differenze strutturali e fisiche. Lo studio di questo materiale, oltre ad avere un'importanza di carattere fondamentale, è di interesse anche per le possibili ricadute applicative. Infatti, i materiali nanoporosi possono essere impiegati in vari campi, come ad esempio nell'elettronica, nello sviluppo di pannelli fotovoltaici e nella purificazione di gas e liquidi.

Investigation of dangling bonds in al2o3 passivated si surface using electron paramagnetic resonance (epr)

Nel presente lavoro di tesi magistrale sono stati depositati e caratterizzati sottili film di ossido di alluminio, Al2O3, (di spessore compreso tra 3-30 nm) su un substrato di FZ-Si drogato p. La deposizione è avvenuta mediante plasma ALD (Atomic Layer Depostion). La tecnica spettroscopica EPR (Electron Paramagnetic Resonance) è stata utilizzata per studiare l’interfaccia Si/Al2O3 con lo scopo di scoprire l’origine della formazione di densità di carica negativa Qf all’interfaccia: tale carica negativa induce una passivazione per effetto di campo ed è quindi la ragione per cui il dielettrico Al2O3 risulta essere un ottimo materiale passivante. Si è deciso di variare alcuni parametri, come lo spessore dello strato di Al2O3, lo spessore dello strato intermedio di ossido di silicio, depositato mediante ossidazione termica (dry thermal oxidation), e la superficie del substrato di silicio. Sono stati realizzati cinque differenti gruppi di campioni: per ciascuno di essi sono state impiegate varie tecniche di caratterizzazione, come la QSSPC (Quasi Steady State Photoconuctance) e la tecnica di spettroscopia ottica SE (spettroscopic ellipsometry). Per ogni gruppo sono stati riportati gli spettri EPR ottenuti ed i rispettivi fit, da cui è stato possibile risalire ai fattori giromagnetici di spin g, riportati in tabelle con le loro possibili attribuzioni. E’ stato dimostrato che la presenza di uno strato di ossido di silicio tra il substrato di silicio e lo strato di ossido di alluminio risulta essere fondamentale per la formazione di densità di carica negativa all’interfaccia: aumentando lo spessore dello strato di SiOx (nel range 1-30 nm) si assiste ad una diminuzione di carica negativa Qf. Analizzando gli spettri EPR, è stato possibile concludere che all’interfaccia Si/Al2O3 sono presenti difetti caratteristici dell’interfaccia Si/SiOx. Le nostre osservazioni, dunque, sono coerenti con la formazione di uno strato di ossido di silicio tra Si e Al2O3.

Proprietà optoelettroniche di film nanoporosi ottenuti per impiantazione ionica.

In questo elaborato vengono studiate le proprietà optoelettroniche di film sottili di germanio nanoporosi ottenuti per impiantazione ionica. Viene trattata la tecnica sperimentale della Surface Photovoltage Spectroscopy nella configurazione Metal-Insulator-Semiconductor. Viene osservato che la presenza di struttura nanoporosa provoca due effetti: il primo è l’innalzamento del bandgap energetico dovuta al confinamento quantistico degli elettroni all’interno dei pori; il secondo è l’incremento del segnale SPV per quei film in cui è maggiore il rapporto tra superficie e volume.