Investigation of dangling bonds in al2o3 passivated si surface using electron paramagnetic resonance (epr)

Nel presente lavoro di tesi magistrale sono stati depositati e caratterizzati sottili film di ossido di alluminio, Al2O3, (di spessore compreso tra 3-30 nm) su un substrato di FZ-Si drogato p. La deposizione è avvenuta mediante plasma ALD (Atomic Layer Depostion). La tecnica spettroscopica EPR (Electron Paramagnetic Resonance) è stata utilizzata per studiare l’interfaccia Si/Al2O3 con lo scopo di scoprire l’origine della formazione di densità di carica negativa Qf all’interfaccia: tale carica negativa induce una passivazione per effetto di campo ed è quindi la ragione per cui il dielettrico Al2O3 risulta essere un ottimo materiale passivante. Si è deciso di variare alcuni parametri, come lo spessore dello strato di Al2O3, lo spessore dello strato intermedio di ossido di silicio, depositato mediante ossidazione termica (dry thermal oxidation), e la superficie del substrato di silicio. Sono stati realizzati cinque differenti gruppi di campioni: per ciascuno di essi sono state impiegate varie tecniche di caratterizzazione, come la QSSPC (Quasi Steady State Photoconuctance) e la tecnica di spettroscopia ottica SE (spettroscopic ellipsometry). Per ogni gruppo sono stati riportati gli spettri EPR ottenuti ed i rispettivi fit, da cui è stato possibile risalire ai fattori giromagnetici di spin g, riportati in tabelle con le loro possibili attribuzioni. E’ stato dimostrato che la presenza di uno strato di ossido di silicio tra il substrato di silicio e lo strato di ossido di alluminio risulta essere fondamentale per la formazione di densità di carica negativa all’interfaccia: aumentando lo spessore dello strato di SiOx (nel range 1-30 nm) si assiste ad una diminuzione di carica negativa Qf. Analizzando gli spettri EPR, è stato possibile concludere che all’interfaccia Si/Al2O3 sono presenti difetti caratteristici dell’interfaccia Si/SiOx. Le nostre osservazioni, dunque, sono coerenti con la formazione di uno strato di ossido di silicio tra Si e Al2O3.

Reverse convertible bonds

I convertible bonds sono degli strumenti finanziari che conferiscono al suo possessore la facoltà di scegliere se, una volta scaduta l'obbligazione, essere rimborsato tramite una somma di denaro (valore nominale) oppure convertire l'obbligazione in un numero predefinito di azioni. Successivamente si è trattato l’argomento della tesi, i reverse convertible bonds. Queste obbligazioni sono simili ai convertible bonds con la differenza che in tal caso il diritto di scegliere se convertire o meno l'obbligazione in azioni è lasciato all'emittente e non al sottoscrittore. I reverse convertible si ottengono dalla combinazione di un coupon bond ordinario (senza l'opzione di conversione) a breve termine e di un'opzione put sulle azioni sottostanti. E' stata analizzata la formula di valutazione dei reverse convertible bonds, data dalla differenza tra il prezzo di un coupon-bond ordinario emesso dalla stessa società e il prezzo di un'opzione put (quest'ultimo moltiplicato per il rapporto di conversione, ossia per il numero di azioni che si ottengono dalla conversione di ciascuna obbligazione convertibile). E’ stata poi fatta un’analisi empirica dei prezzi dei reverse convertible bonds. Sono stati calcolati i prezzi di 7 reverse convertible utilizzando i dati forniti dal database finanziario e macroeconomico, Thomson Reuters Datastream.I prezzi calcolati sono stati poi confrontati con i prezzi di mercato di tali obbligazioni relativamente allo stesso istante temporale, il giorno 6/6/2016.