Study of high-quality ALD gate dielectrics in radiation sensitive oxide field effect transistors

Radiation dosimetry is crucial in many fields, where the exposure of ionizing radiation must be precisely controlled to avoid health and environmental safety issues. Radiotherapy and radioprotection are two examples in which fast and reliable detectors are needed. Compact and large area wearable detectors are being developed to address real-life radiation dosimetry applications, their ideal properties include flexibility, lightness, and low-cost. This thesis contributed to the development of Radiation sensitive OXide Field Effect Transistors (ROXFETs), which are detectors able to provide fast and real-time radiation read out. ROXFETs are based on thin film transistors fabricated with high-mobility amorphous oxide semiconductor, making them compatible with large area, flexible, and low cost production over plastic substrates. The gate dielectric material has high dielectric constant and high atomic number, which results in high performances and high radiation sensitivity, respectively. The aim of this work was to establish a stable and reliable fabrication process for ROXFETs made with atomic layer deposited gate dielectric. A study on the effect of gate dielectric materials was performed, focusing the attention on the properties of the dielectric-semiconductor interface. Single and multi layer dielectric structures were compared during this work. Furthermore, the effect of annealing temperature was studied. The device performances were tested to understand the underlying physical processes. In this way, it was possible to determine a reliable fabrication procedure and an optimal structure for ROXFETs. An outstanding sensitivity of (65±3)V/Gy was measured in detectors with a bi-layer Ta₂O₅-Al₂O₃ gate dielectric with low temperature annealing performed at 180°C.

Studio delle prestazioni di un sistema per il sensing basato sulla modulazione OTFS

Questo elaborato tratta lo studio e l'implementazione della modulazione Orthogonal Time Frequency Space (OTFS) in sistemi di tipo Joint Sensing and Communication (JSC), ossia sistemi in cui le funzionalità di comunicazione e "sensing" condividono lo stesso hardware e la stessa banda di frequenze. La modulazione OTFS è una recente tecnica di modulazione bidimensionale, progettata nel dominio delay-Doppler, che sta riscuotendo particolare interesse nel panorama delle telecomunicazioni in quanto portatrice di alcuni importanti vantaggi nei sistemi delle reti cellulari. Rispetto alle moderne modulazioni multi-portante, come l'OFDM, l'OTFS si dimostra essere in grado di offrire prestazioni migliori e più robuste in condizioni di connessioni ad alta velocità (High Mobility), con una maggiore efficienza spettrale, in quanto non prevede l'utilizzo di un prefisso ciclico per la gestione del problema dell'ISI. Un altro punto di forza importante della modulazione OTFS è quello di risultare particolarmente adatta e compatibile con le applicazioni di JSC, soprattutto grazie all'estrema robustezza a grandi spostamenti Doppler, e la possibilità di fare "sensing" raggiungendo distanze decisamente maggiori rispetto all'OFDM, grazie all'assenza del prefisso ciclico. Tutto questo però viene al costo di un notevole incremento del sistema, con tempi di esecuzione molto elevati. Dopo aver presentato il sistema OTFS in generale e in ambito JSC, in un particolare scenario, lo si è implementando in MATLAB sviluppando due versioni: una standard e una a complessità ridotta, in grado di raggiungere risoluzioni molto elevate in tempi di calcolo contenuti. Infine questo sistema, in grado di stimare i parametri radar di distanza e velocità radiale relativa, associati ad un certo target, è stato simulato e i risultati relativi alle performance sulla stima dei parametri, in termini di RMSE e CRLB, sono stati riportati e posti a confronto con quelli ottenuti nel caso OFDM, a parità di scenario.