Fabrication, Electrical Characterization and Simulation of Thin Film Solar Cells: CdTe and CIGS Materials

CdTe and Cu(In,Ga)Se2 (CIGS) thin film solar cells are fabricated, electrically characterized and modelled in this thesis. We start from the fabrication of CdTe thin film devices where the R.F. magnetron sputtering system is used to deposit the CdS/CdTe based solar cells. The chlorine post-growth treatment is modified in order to uniformly cover the cell surface and reduce the probability of pinholes and shunting pathways creation which, in turn, reduces the series resistance. The deionized water etching is proposed, for the first time, as the simplest solution to optimize the effect of shunt resistance, stability and metal-semiconductor inter-diffusion at the back contact. In continue, oxygen incorporation is proposed while CdTe layer deposition. This technique has been rarely examined through R.F sputtering deposition of such devices. The above experiments are characterized electrically and optically by current-voltage characterization, scanning electron microscopy, x-ray diffraction and optical spectroscopy. Furthermore, for the first time, the degradation rate of CdTe devices over time is numerically simulated through AMPS and SCAPS simulators. It is proposed that the instability of electrical parameters is coupled with the material properties and external stresses (bias, temperature and illumination). Then, CIGS materials are simulated and characterized by several techniques such as surface photovoltage spectroscopy is used (as a novel idea) to extract the band gap of graded band gap CIGS layers, surface or bulk defect states. The surface roughness is scanned by atomic force microscopy on nanometre scale to obtain the surface topography of the film. The modified equivalent circuits are proposed and the band gap graded profiles are simulated by AMPS simulator and several graded profiles are examined in order to optimize their thickness, grading strength and electrical parameters. Furthermore, the transport mechanisms and Auger generation phenomenon are modelled in CIGS devices.

Mixed-domain simulation and hybrid wafer-level packaging of RF-MEMS devices for wireless applications

In questa tesi verranno trattati sia il problema della creazione di un ambiente di simulazione a domini fisici misti per dispositivi RF-MEMS, che la definizione di un processo di fabbricazione ad-hoc per il packaging e l’integrazione degli stessi. Riguardo al primo argomento, sarà mostrato nel dettaglio lo sviluppo di una libreria di modelli MEMS all’interno dell’ambiente di simulazione per circuiti integrati Cadence c . L’approccio scelto per la definizione del comportamento elettromeccanico dei MEMS è basato sul concetto di modellazione compatta (compact modeling). Questo significa che il comportamento fisico di ogni componente elementare della libreria è descritto per mezzo di un insieme limitato di punti (nodi) di interconnessione verso il mondo esterno. La libreria comprende componenti elementari, come travi flessibili, piatti rigidi sospesi e punti di ancoraggio, la cui opportuna interconnessione porta alla realizzazione di interi dispositivi (come interruttori e capacità variabili) da simulare in Cadence c . Tutti i modelli MEMS sono implementati per mezzo del linguaggio VerilogA c di tipo HDL (Hardware Description Language) che è supportato dal simulatore circuitale Spectre c . Sia il linguaggio VerilogA c che il simulatore Spectre c sono disponibili in ambiente Cadence c . L’ambiente di simulazione multidominio (ovvero elettromeccanico) così ottenuto permette di interfacciare i dispositivi MEMS con le librerie di componenti CMOS standard e di conseguenza la simulazione di blocchi funzionali misti RF-MEMS/CMOS. Come esempio, un VCO (Voltage Controlled Oscillator) in cui l’LC-tank è realizzato in tecnologia MEMS mentre la parte attiva con transistor MOS di libreria sarà simulato in Spectre c . Inoltre, nelle pagine successive verrà mostrata una soluzione tecnologica per la fabbricazione di un substrato protettivo (package) da applicare a dispositivi RF-MEMS basata su vie di interconnessione elettrica attraverso un wafer di Silicio. La soluzione di packaging prescelta rende possibili alcune tecniche per l’integrazione ibrida delle parti RF-MEMS e CMOS (hybrid packaging). Verranno inoltre messe in luce questioni riguardanti gli effetti parassiti (accoppiamenti capacitivi ed induttivi) introdotti dal package che influenzano le prestazioni RF dei dispositivi MEMS incapsulati. Nel dettaglio, tutti i gradi di libertà del processo tecnologico per l’ottenimento del package saranno ottimizzati per mezzo di un simulatore elettromagnetico (Ansoft HFSSTM) al fine di ridurre gli effetti parassiti introdotti dal substrato protettivo. Inoltre, risultati sperimentali raccolti da misure di strutture di test incapsulate verranno mostrati per validare, da un lato, il simulatore Ansoft HFSSTM e per dimostrate, dall’altro, la fattibilit`a della soluzione di packaging proposta. Aldilà dell’apparente debole legame tra i due argomenti sopra menzionati è possibile identificare un unico obiettivo. Da un lato questo è da ricercarsi nello sviluppo di un ambiente di simulazione unificato all’interno del quale il comportamento elettromeccanico dei dispositivi RF-MEMS possa essere studiato ed analizzato. All’interno di tale ambiente, l’influenza del package sul comportamento elettromagnetico degli RF-MEMS può essere tenuta in conto per mezzo di modelli a parametri concentrati (lumped elements) estratti da misure sperimentali e simulazioni agli Elementi Finiti (FEM) della parte di package. Infine, la possibilità offerta dall’ambiente Cadence c relativamente alla simulazione di dipositivi RF-MEMS interfacciati alla parte CMOS rende possibile l’analisi di blocchi funzionali ibridi RF-MEMS/CMOS completi.