2 resultados para Cutting Edge

em AMS Tesi di Dottorato - Alm@DL - Università di Bologna


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La tesi riguarda il processo evolutivo dell’industria cinematografica italiana dal momento della sua prima espansione (biennio1906-1908) fino allo scoppio della I guerra mondiale. In particolare il lavoro si è concentrato sulle vicende societarie e produttive di una delle maggiori case di produzioni attive in Italia nel periodo preso in esame: la Milano Films. Le ricerche relative alla società milanese hanno portato al rinvenimento di una cospicua quantità di documenti finora inediti, attraverso i quali è stato possibile ricostruire nel dettaglio la vicenda societaria e produttiva della casa di produzione. Lo studio ha inoltre analizzato le peculiarità specifiche che, tra il 1908 e il 1914, contraddistinguono la cinematografia italiana dal punto di vista degli assetti societari e finanziari, dell’organizzazione produttiva, delle strategie distributive e commerciali, attraverso un costante confronto con il complessivo quadro industriale italiano coevo e, in particolare, con quei settori produttivi considerati più all’avanguardia nei primi anni del Novecento.

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Semiconductor nanowires (NWs) are one- or quasi one-dimensional systems whose physical properties are unique as compared to bulk materials because of their nanoscaled sizes. They bring together quantum world and semiconductor devices. NWs-based technologies may achieve an impact comparable to that of current microelectronic devices if new challenges will be faced. This thesis primarily focuses on two different, cutting-edge aspects of research over semiconductor NW arrays as pivotal components of NW-based devices. The first part deals with the characterization of electrically active defects in NWs. It has been elaborated the set-up of a general procedure which enables to employ Deep Level Transient Spectroscopy (DLTS) to probe NW arrays’ defects. This procedure has been applied to perform the characterization of a specific system, i.e. Reactive Ion Etched (RIE) silicon NW arrays-based Schottky barrier diodes. This study has allowed to shed light over how and if growth conditions introduce defects in RIE processed silicon NWs. The second part of this thesis concerns the bowing induced by electron beam and the subsequent clustering of gallium arsenide NWs. After a justified rejection of the mechanisms previously reported in literature, an original interpretation of the electron beam induced bending has been illustrated. Moreover, this thesis has successfully interpreted the formation of NW clusters in the framework of the lateral collapse of fibrillar structures. These latter are both idealized models and actual artificial structures used to study and to mimic the adhesion properties of natural surfaces in lizards and insects (Gecko effect). Our conclusion are that mechanical and surface properties of the NWs, together with the geometry of the NW arrays, play a key role in their post-growth alignment. The same parameters open, then, to the benign possibility of locally engineering NW arrays in micro- and macro-templates.