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em Acceda, el repositorio institucional de la Universidad de Las Palmas de Gran Canaria. España
Diseño de un Amplificador de Bajo Ruido de Ultra Banda Ancha para un Receptor de UWB en CMOS 0.35 μm
Resumo:
Presentación del Proyecto Fin de Carrera titulado "Diseño de un Amplificador de Bajo Ruido de Ultra Banda Ancha para un Receptor de UWB en CMOS 0.35 μm"
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Proyecto y presentación del Proyecto Fin de Carrera titulado "Diseño, medida y verificación de un mezclador en CMOS 0.35 um para un receptor basado en el estándar IEEE 802.11a"
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Memoria y presentación del Proyecto Fin de Carrera titulado "Diseño de un mezclador pasivo en CMOS 0.35 um para un receptor basado en el estándar IEE802.11a"
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Proyecto y presentación del Proyecto Fin de Carrera titulado "Diseño de un Amplificador de Bajo Ruido Realimentado para la Banda de 3-10 GHz en Tecnología BICMOS 0.35 μm"
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Proyecto y presentación del Proyecto Fin de Carrera titulado "Diseño de un amplificador de bajo ruido (LNA) para el estándar inalámbrico UWB en tecnología SiGe 0.35 μm"
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Proyecto y presentación del Proyecto Fin de Carrera titulado "Diseño de un Amplificador de Bajo Ruido (LNA) en Tecnología SiGe 0,35 um para el estándar inalámbrico IEEE 802.11a"
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Memoria y presentación del Proyecto Fin de Carrera titulado "DISEÑO DE UN AMPLIFICADOR DISTRIBUIDO PARA ULTRA WIDE BAND BASADO EN HBT DE LA TECNOLOGÍA SIGE 0.35 μm DE AMS"
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Proyecto y presentación del Proyecto Fin de Carrera titulado "DISEÑO DE UN FILTRO POLIFÁSICO ACTIVO EN TECNOLOGÍA SiGe 0.35 μm PARA UN RECEPTOR BASADO EN EL ESTÁNDAR IEEE 802.11a"
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Presentación del Proyecto Fin de Carrera titulado "DISEÑO DE UN OSCILADOR CONTROLADO POR TENSIÓN (VCO) EN TECNOLOGÍA SiGe 0.35 µm PARA EL ESTÁNDAR DVB-H"
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Presentación del Proyecto Fin de Carrera titulado "DISEÑO DE UN MEZCLADOR PARA UN RECEPTOR DE UWB EN TECNOLOGÍA SiGe 0.35 μM DE AMS"
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Proyecto y presentación del Proyecto Fin de Carrera titulado "Diseño de un convertidor de corriente en tecnología CMOS 0.35"
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Presentación del Proyecto Fin de Carrera titulado "DISEÑO DE UN MODULADOR GFSK INTEGRADO EN TECNOLOGÍA SiGe 0.35μm de AMS"
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Especialidad: Sistemas Electrónicos