HLA-Bw4-B*57 and Cw*18 alleles are associated with plasma viral load modulation in HIV-1 infected individuals in Salvador, Brazil

Host genetic factors play an important role in mediating resistance to HIV-1 infection and may modify the course of infection. HLA-B alleles (Bw4 epitope; B*27 and B*57) as well as killer cell immunoglobulin-like receptors have been associated with slow progression of HIV-1 infection. OBJECTIVE: To evaluate the association between serological epitopes HLA-Bw4 and HLA-Bw6 and prognostic markers in AIDS. METHODS: 147 HIV-infected individuals in Bahia, Northeast Brazil, were genotyped for HLA class I locus. HLA class I genotyping was performed by hybridization with sequence-specific oligonucleotide probes following amplification of the corresponding HLA-A, HLA-B and HLA-C genes. Statistical analysis was performed using Fisher's exact and ANOVA tests for categorical and continuous variables, respectively. RESULTS: We detected a significant association (χ2 = 4.856; p = 0.018) between the presence of HLA-Bw4 and low levels of viremia. Eighteen out of the 147 HIV-infected individuals presented viremia <1,800 copies/mL and 129 presented viremia > 2,000 copies/mL. Ninety and four percent (17/18) of all individuals with viremia < 1,800 copies/mL carried HLA-Bw4, compared to 67.4% (87/129) of individuals with viremia > 2,000 copies/mL. Additionally, we found a significantly higher frequency of B*57 (OR = 13.94; 95% CI = 4.19-46.38; p < 0.0001) and Cw*18 (OR = 16.15; 95% CI = 3.46-75.43; p < 0.0001) alleles, favoring the group with lower viremia levels, in comparison with those with higher viral load. CONCLUSION: HLA-Bw4-B*57 and Cw*18 alleles are associated with lower level of viral load in HIV-infected Brazilian patients. These findings may help us in understanding the determinants of HIV evolution in Brazilian patients, as well as in providing important information on immune response correlates of protection for such population.

Eletrônica molecular via método híbrido DFT/FGNE em anéis fenilas acoplados a eletrodos metálicos de nanotubos de carbono: a regra de conformação e quiralidade molecular

Nesta tese, investigamos detalhadamente as propriedades de transporte eletrônico, conformacional e de simetria de estruturas de Nanotubos de Carbono de Parede Simples zigzag (9,0), NCPS zz9, acopladas a anéis fenilas (2, 3, 4 e 5) sob influência de campo elétrico externo (voltagem) via método híbrido da Teoria do Funcional Densidade (DFT) do tipo B3LYP 6-311G(d,p) combinado com Função de Green de Não Equilíbrio (FGNE) e Teoria de Grupo. Verificamos uma boa relação entre: 1- o índice quiral () por Teoria de Grupo e a lei do cos2 (, ângulo diedral) por geometria sob a influência de campo elétrico externo, pois  só depende das posições atômicas (), das conformações, e também está fortemente correlacionada a corrente que passa através do sistema; 2- a condutância normalizada (G/Go) é proporcional a cos2 na região do gap (EHOMO-ELUMO), isto é, nas regiões onde ocorre a ressonância e a resistência diferencial negativa (RDN); 3- o gráfico Fowler-Northeim (FN) exibe mínimo de voltagem (Vmin) que ocorre sempre que a cauda de um pico de transmissão ressonante entra na janela de voltagem, isto é, quando nessas estruturas ocorre uma RDN, pois o número de RDN na curva I-V está associado ao número de Vmin no gráfico FN e pode ser explicado pelo modelo de transporte molecular coerente; 4- a altura da barreira (EF - EHOMO e ELUMO - EF) como função do comprimento molecular; 5- Vmin como função da altura da barreira (EF - EHOMO) e do comprimento molecular. Assim, 1 implica que a conformação molecular desempenha um papel preponderante na determinação das propriedades de transporte da junção; 2 sugere que a lei do cos2 tem uma aplicabilidade mais geral independentemente da natureza dos eletrodos; 3 serve como um instrumento espectroscópico e também para identificar a molécula na junção; 4 e 5 a medida que o comprimento molecular atinge um certo valor (1,3nm) o Vmin permanece praticamente inalterado. Os resultados mostraram que as propriedades estruturais sofrem alterações significativas com o aumento da voltagem que estão em boa concordância com os valores encontrados na literatura. O comportamento das curvas IxV e G/GoxV perdem sua dependência linear para dar origem a um comportamento não linear com aparecimento de RDN. Tal ponto revela a modificação estrutural sofrida pelo sistema. A curva IxV confirmou as afirmações que foram feitas através da análise estrutural para o sistema considerado e mostrou como se dá o fluxo de carga nos sistemas analisados.