2 resultados para nanoribbon
em Universidade Federal do Pará
Resumo:
O grafeno é a primeira estrutura bidimensional que se obteve experimentalmente. Sua rede cristalina é uma rede hexagonal, conhecida como "Favo de Mel", possui apenas um átomo de espessura. Cortes em folhas de grafeno, privilegiando determinada direção, geram as chamadas nanofitas de grafeno. Embora o grafeno se comporte como um metal, é sabido que as nanofitas podem apresentar comportamentos semicondutor, metálico ou semimetálico, dependendo da direção de corte e/ou largura da fita. No caso de nanofitas semicondutoras, a largura da banda proibida (band gap), entre outros fatores, depende da largura da nanofita. Neste trabalho adotou-se métodos de primeiros princípios como o DFT (Density Functional Theory), afim de se obter as características tais como curvas de dispersão para nanofitas. Neste trabalho, primeiramente, são apresentados diagramas de bandas de energia e curvas de densidade de estados para nanofitas de grafeno semicondutoras, de diferentes larguras, e na ausência de influências externas. Utilizou-se métodos de primeiros princípios para a obtenção destas curvas e o método das funções de Green do Não Equilíbrio para o transporte eletrônico. Posteriormente foi investigado a influência da hidrogenização, temperatura e tensão mecânica sobre sistema, isso além, de se estudar o comportamento de transporte eletrônico com e sem influência destes fatores externos. Vale ressaltar que as nanofitas de grafeno apresentam possibilidades reais de aplicação em nanodispositivos eletrônicos, a exemplo de nanodiodos e nanotransistores. Por esse motivo, é importante se ter o entendimento de como os fatores externos alteram as propriedades de tal material, pois assim, espera-se que as propriedades de dispositivos eletrônicos também sejam influenciadas da mesma maneira que as nanofitas.
Resumo:
Neste trabalho, investigamos os efeitos da funcionalização de grupos oxidativos sobre
a estrutura de nanofitas de grafeno zigue-zague e também os efeitos de constrições, onde estes
efeitos foram analisados por meio de transporte eletrônico via campo externo longitudinal.
Nossos cálculos foram parametrizados pelo modelo semi-empírico de Huckel estendido-ETH,
adotando-se o método das funções de Green de não equilíbrio- NEGF. As correntes foram
calculadas via equação de Landauer que usa a função de transmissão da região espalhadora ao
fluxo de elétrons com energia (E) vinda do eletrodo esquerdo. Por meio dessa abordagem, foi
possível analisarmos o comportamento dos portadores de carga em cada um os dispositivos
propostos, bem como, a natureza de tal comportamento. Verificaram-se nas curvas I(V) dois
regimes de transporte: Ôhmico e NDR, verificando máximos de corrente e, também a tensão
de limiar (VTh1