Modernidade e sociabilidade: do "comércio" ao shopping (Belém-PA, 1990-)

Esta dissertação é fruto de uma pesquisa que realizamos entre os anos de 2004 e 2005, em Belém (PA), que nos levou a compreender e explicar como a Modernidade desenvolvia-se no shopping Iguatemi Belém, através de uma de suas principais instituições: o mercado capitalista, o qual por meio da socialização (panoptismo), “ditava” os comportamentos dos frequentadores, gerando uma espécie de prática relacional (sociabilidade) que, “ancorada” ao fenômeno da busca por prestígio e status social do tipo posicional, dinamizou um mecanismo de diferenciação social que se iniciou no “comércio” (Rua João Alfredo) e “desembocou” no shopping Iguatemi Belém, onde os valores decorrentes do processo de socialização aqui estudados passaram a reproduzir e a acentuar o próprio processo de distinção social entre as “classes alta e média alta” e a “classe baixa”.

Analysis of electronic structure of boron nitride nanotubes with different positions of intrinsic impurities

The pristine boron nitride nanotubes have a large direct band gap around 5 eV. This band gap can be engineered by doping. We investigate electronic structure of the doped hexagonal boron nitride (5,5) nanotubes using the linearized augmented cylindrical wave method. In particular, this work focuses on systematical study of the band gap and the density of states around the Fermi-level when the nanotubes are doped by intrinsic impurities of two substitutional boron atoms in a super cell and a comparative analysis of the relative stability of three structures studied here. This corresponds to 3.3% of impurity concentration. We calculate 29 configurations of the nanotubes with different positions of the intrinsic impurities in the nanotube. The band gap and density of states around the Fermi level show strong dependence on the relative positions of the impurity atoms. The two defect sub bands called D^∏(B) appear in the band gap of the pristine nanotube. The doped nanotubes possess p-type semiconductor properties with the band gap of 1.3-1.9 eV.