Influence of the tidal and rainfall cycles on the population structure and density of Mesacanthion hirsutum gerlach (nematoda, thoracostomopsidae) on a tropical sandy beach (Tamandaré Bay, Pernambuco, Brazil)

A estrutura populacional (machos, fêmeas e juvenis) e densidade de Mesacanthion hirsutum Gerlach foram estudadas durante as marés (baixa, enchente, alta e vazante) de dois ciclos de maré consecutivos, em quatro meses diferentes do ano (Maio, Julho, Setembro e Novembro). As variações de densidade de Mesacanthion hirsutum mostraram associação com o ciclo de chuvas, com densidades mais baixas durante Julho e Setembro e significativamente maiores em Maio e Novembro. A estrutura populacional constituiu-se em sua maior parte por juvenis indicando uma reprodução continua durante todo o período de estudo. Não foram encontradas diferenças significativas entre os períodos claros e escuros do dia, contudo maiores densidades foram detectadas durante as marés altas e vazantes demonstrando que a espécie pode estar se dispersando através da coluna d'água e/ou migrando dentro do sedimento.

Analysis of electronic structure of boron nitride nanotubes with different positions of intrinsic impurities

The pristine boron nitride nanotubes have a large direct band gap around 5 eV. This band gap can be engineered by doping. We investigate electronic structure of the doped hexagonal boron nitride (5,5) nanotubes using the linearized augmented cylindrical wave method. In particular, this work focuses on systematical study of the band gap and the density of states around the Fermi-level when the nanotubes are doped by intrinsic impurities of two substitutional boron atoms in a super cell and a comparative analysis of the relative stability of three structures studied here. This corresponds to 3.3% of impurity concentration. We calculate 29 configurations of the nanotubes with different positions of the intrinsic impurities in the nanotube. The band gap and density of states around the Fermi level show strong dependence on the relative positions of the impurity atoms. The two defect sub bands called D^∏(B) appear in the band gap of the pristine nanotube. The doped nanotubes possess p-type semiconductor properties with the band gap of 1.3-1.9 eV.