2 resultados para Electronic magazines

em Universidade Federal do Pará


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Este empreendimento de pesquisa desenvolve uma análise acerca de cultura e conhecimento, duas categorias basilares no campo dos Estudos Culturais, no intuito de investigar como estas são concebidas nos textos publicados no GT de Currículo (GT-12) da Associação Nacional de Pós-Graduação (ANPEd), no período de 2000 a 2006. De modo adjacente, analiso as ênfases temáticas identificadas no conjunto dos textos e as conjugações temáticas e metodológicas realizadas pelos seus autores, de modo a obter um quadro analítico integral das categorias cultura e conhecimento tal como são abordadas. Como procedimentos metodológicos, constam o estudo teórico de Raymond Williams, Stuart Hall e Tomaz Tadeu da Silva, autores de referência internacional e nacional do campo dos Estudos Culturais, e a análise de dezesseis (16) textos, entre pôsteres e trabalhos completos, retirados do site da ANPEd www.anped.org.br no GT de Currículo, inseridos na perspectiva teórica dos Estudos Culturais. A partir das análises desenvolvidas, é possível afirmar que cultura e conhecimento são concebidos nestes textos como práticas de significação. Cultura não é mera transmissão de tradições, valores, costumes e saberes de uma geração à outra, antes, a cultura é da ordem dos sentidos e significados, isto é, refere-se a maneiras de interpretar e conceber o mundo e constrói-se a partir das relações que homens e mulheres estabelecem entre si. Do mesmo modo, o conhecimento também é construído, produzido pela cultura, pelos sujeitos que fazem cultura. Não é neutro, nem estático, porque o processo no qual é criado está permeado por interesses particulares, disputas, questões de poder. Em geral, cultura e conhecimento são analisados em textos que discutem os currículos culturais, em especial a mídia, em suas mais diversas modalidades computador, jogos eletrônicos, programas de TV e revistas. As conjugações teóricas mais recorrentes envolvem autores tais como Tomaz Tadeu da Silva, teórico mais acionado, Michael Foucault, Homi Bhabha, Stuart Hall e Jean-Claude Forquim, Gimeno Sacristán e Henry Giroux. As conjugações metodológicas mais utilizadas são as análises do discurso e análises documentais. Refletindo sobre as análises que os textos desenvolvem sobre o currículo, percebo dois grandes eixos de compreensão. Um no qual o currículo é concebido como teoria/prática cultural, capaz de produzir sujeitos e subjetividades e outro no qual há diferenciação entre currículo teórico ou oficial e currículo real; neste eixo, o currículo é concebido como um documento oficial apartado das experiências cotidianas dos alunos. Observo, deste modo, duas vertentes teóricas acentuarem-se dentro de um mesmo campo de pesquisa, a crítica e a pós-estruturalista, que convergem em alguns aspectos e divergem em outros, mas no que concerne às categorias cultura e conhecimento, parece haver um consenso no que se refere às relações intrínsecas destas com os processos de significação, produção de identidades, subjetividades e de afirmação e produção de diferenças.

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The pristine boron nitride nanotubes have a large direct band gap around 5 eV. This band gap can be engineered by doping. We investigate electronic structure of the doped hexagonal boron nitride (5,5) nanotubes using the linearized augmented cylindrical wave method. In particular, this work focuses on systematical study of the band gap and the density of states around the Fermi-level when the nanotubes are doped by intrinsic impurities of two substitutional boron atoms in a super cell and a comparative analysis of the relative stability of three structures studied here. This corresponds to 3.3% of impurity concentration. We calculate 29 configurations of the nanotubes with different positions of the intrinsic impurities in the nanotube. The band gap and density of states around the Fermi level show strong dependence on the relative positions of the impurity atoms. The two defect sub bands called D(B) appear in the band gap of the pristine nanotube. The doped nanotubes possess p-type semiconductor properties with the band gap of 1.3-1.9 eV.