Effects of chromium supplementation on the infrapopulations of Anacanthorus penilabiatus (Monogenoidea) and Piscinoodinium pillulare (Dinoflagellida) parasites of Piaractus mesopotamicus (Characidae)

O objetivo do trabalho foi avaliar a intensidade de parasitismo por monogenóide Anacanthorus penilabiatus e pelo dinoflagelado Piscinoodinium pillulare em pacus Piaractus mesopotamicus, cuja dieta foi suplementada com cromo. Foram utilizados dois delineamentos em esquema fatorial, consistindo de 4 níveis de cromo (0, 6, 12, 18 mgCQC/kg), duas densidades de estocagem (4 kg/m³ e 20 kg/m³) e duas classes de tamanho para monogenóide (maiores e menores de 17cm) e/ou 3 períodos de coleta (7, 60 e 90 dias), com quatro repetições. Os peixes que receberam 12 e 18mg CQC/kg apresentaram diminuição de monogenóides após 7 dias de alimentação na menor densidade. Nos peixes na maior densidade, os níveis de 6, 12 e 18 mgCQC/kg ocasionou redução de dinoflagelados. Os resultados demonstraram que a suplementação com cromo (12 e 18 mgCQC/kg) promoveu uma melhora na saúde dos peixes na menor e na maior densidade, respectivamente.

Analysis of electronic structure of boron nitride nanotubes with different positions of intrinsic impurities

The pristine boron nitride nanotubes have a large direct band gap around 5 eV. This band gap can be engineered by doping. We investigate electronic structure of the doped hexagonal boron nitride (5,5) nanotubes using the linearized augmented cylindrical wave method. In particular, this work focuses on systematical study of the band gap and the density of states around the Fermi-level when the nanotubes are doped by intrinsic impurities of two substitutional boron atoms in a super cell and a comparative analysis of the relative stability of three structures studied here. This corresponds to 3.3% of impurity concentration. We calculate 29 configurations of the nanotubes with different positions of the intrinsic impurities in the nanotube. The band gap and density of states around the Fermi level show strong dependence on the relative positions of the impurity atoms. The two defect sub bands called D^∏(B) appear in the band gap of the pristine nanotube. The doped nanotubes possess p-type semiconductor properties with the band gap of 1.3-1.9 eV.