Sperm depletion: a cost for single mated females of Podisus nigrispinus (Dallas, 1851) (Heteroptera: Pentatomidae)

Entre os heterópteros, o declínio da concentração de esperma pode ser um fator limitante para o sucesso reprodutivo desses insetos. Acasalamentos múltiplos conferem um reabastecimento de esperma e podem permitir um aumento do valor adaptativo das fêmeas. Neste estudo foi testada a hipótese de que a poliandria aumenta a viabilidade dos ovos. A longevidade de fêmeas de Podisus nigrispinus, bem como seus parâmetros reprodutivos em resposta a diferentes números de acasalamentos (0, 1, 2, 3 ou em coabitação com o mesmo macho) foi avaliada. Esse percevejo vem sendo usado em programas de controle biológico de pragas em reflorestamentos de Eucalipto no Brasil. Apesar da diminuição no tempo de sobrevivência das fêmeas, acasalamentos múltiplos mantiveram a viabilidade dos ovos e o período reprodutivo das fêmeas, permitindo um maior número de descendentes produzidos. Tais resultados indicam que um número mínimo de três acasalamentos antes da primeira postura permite uma maximização do sucesso reprodutivo dessa espécie.

Analysis of electronic structure of boron nitride nanotubes with different positions of intrinsic impurities

The pristine boron nitride nanotubes have a large direct band gap around 5 eV. This band gap can be engineered by doping. We investigate electronic structure of the doped hexagonal boron nitride (5,5) nanotubes using the linearized augmented cylindrical wave method. In particular, this work focuses on systematical study of the band gap and the density of states around the Fermi-level when the nanotubes are doped by intrinsic impurities of two substitutional boron atoms in a super cell and a comparative analysis of the relative stability of three structures studied here. This corresponds to 3.3% of impurity concentration. We calculate 29 configurations of the nanotubes with different positions of the intrinsic impurities in the nanotube. The band gap and density of states around the Fermi level show strong dependence on the relative positions of the impurity atoms. The two defect sub bands called D^∏(B) appear in the band gap of the pristine nanotube. The doped nanotubes possess p-type semiconductor properties with the band gap of 1.3-1.9 eV.