Coeficientes de difusão de metais em materiais não convencionais (agarose e acetato de celulose) usados na técnica de difusão em filmes finos por gradientes de concentração

The DGT technique allows one to measure quantitatively free and labile metal species in aquatic systems. Nevertheless, for this approach, knowledge is required of the diffusion coefficients of the analytes in a diffusive layer. In this study, the diffusion coefficients of Hg(II), As(III), Mn(II), Mg(II), Cu(II), Cd(II) were determined in agarose gel and those of Ba(II), Cd(II), Cu(II), Mg(II), Mn(II) e Zn(II) in cellulose acetate membranes. These materials presented good performance and the reported results can be used as a data base for further DGT studies.

Construção de um sistema de caracterização das propriedades de transporte de filmes finos pelo efeito Hall

Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo (FAPESP)

Obtenção de filmes finos de TiO2 nanoestruturado pelo método dos precursores poliméricos

Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo (FAPESP)

Filmes finos de Titanato de Chumbo e Lantânio - PLT: influência do pH

Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo (FAPESP)

Filmes finos de SrBi2Ta2O9 processados em forno microondas

Filmes finos de SrBi2Ta2O9 foram depositados em substratos de Pt/Ti/SiO2/Si e, pela primeira vez, sinterizados em forno microondas doméstico. Os padrões de difração de raios X mostraram que os filmes são policristalinos. O processamento por microondas permite utilizar baixa temperatura na síntese e obter filmes com boas propriedades elétricas. Ensaios de microscopia eletrônica de varredura (MEV) e de Força Atômica (MFA) revelam boa aderência entre filme e substrato, com microestrutura de superfície apresentando grãos finos e esféricos e rugosidade de 4,7 nm. A constante dielétrica e o fator de dissipação, para freqüência de 100 KHz, à temperatura ambiente, foram de 77 e 0,04, respectivamente. A polarização remanescente (2Pr) e o campo coercitivo (Ec) foram 1,04 miC/cm² e 33 kV/cm. O comportamento da densidade de corrente de fuga revela três mecanismos de condução: linear, ôhmico e outro mecanismo que pode ser atribuído à corrente de Schottky. Dos padrões de DRX, análises das imagens por MEV e topografia de superfície por MFA observa-se que 10 min de tratamento térmico a 550 ºC, em forno microondas, é tempo suficiente para se obter a cristalização do filme.

Sinterização de filmes finos de LiNbO3 em forno microondas: estudo da influência da direção do fluxo de calor

Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo (FAPESP)

Síntese e caracterização de nanopartículas e filmes finos de óxidos semicondutores

Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior (CAPES)

Investigação de propriedades de filmes finos de Al2O3 para aplicação em dispositivos eletrônicos

Pós-graduação em Ciência e Tecnologia de Materiais - FC

Deposição e caracterização de filmes finos de GaAs e 'Al IND. 2''O IND. 3' para potencial utilizado em transistores

Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico (CNPq)

Investigação de propriedades de filmes finos de Sn'O IND. 2' e 'Al IND. 2''O IND. 3' para aplicação em dispositivos

Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior (CAPES)

Caracterização de filmes finos de YBa2Cu3O7-x e La0.7Ca0.3MnO3 produzidos via síntese química

Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior (CAPES)

Influência do pH da suspensão coloidal nas propriedades de filmes finos de Sn'O IND. 2'

Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo (FAPESP)

Uma contribuição para o estudo da estrutura de bandas de energia em filmes finos de 'SNO IND.2'

Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo (FAPESP)

Fabricação e caracterização de filmes finos e ultrafinos de coroas de éter com azobenzeno incorporado e estudo da birrefringência fotoinduzida

Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo (FAPESP)

Preparação e caracterização de filmes finos do tipo 'Pb IND. 1-x-yCa IND. xSr IND.yTiO IND. 3'

Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo (FAPESP)