Energia de superfície para nanossuperfícies de TiO2 na direção (001)

Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico (CNPq)

Estimativa da radiação solar global diária em função do potencial de energia solar na superfície do solo

Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico (CNPq)

Estudo de polímeros comerciais tratados a plasma em pressão atmosférica

Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo (FAPESP)

Caracterização topográfica e estrutural de filmes poliméricos provenientes de acetileno (C2H2) depositados a plasma sobre substratos lisos e rugosos

Pós-graduação em Física - FEG

Efeito do tratamento a plasma do politetrafluoroetileno (PTFE) nas suas propriedades eletrostáticas e superficiais

Pós-graduação em Ciência e Tecnologia de Materiais - FC

Efeito da implantação iônica por imersão em plasmas sobre a bioatividade de titânio

Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo (FAPESP)

Implantação iônica por imersão em plasma e deposição de filmes finos poliméricos provenientes da mistura hexametildisilazano/argônio

Thin polymeric films deposited by plasma are very atractive for many industrial and scientific applications, in areas such as electronics, mechanics, coatings, biomaterials, among others, due to its favorable properties such as good adhesion to the substrate, high crosslinking, nanomectric thickness, homogeneity, etc. In this work, thin films were deposited by plasma immersion ion implantation and deposition technique from a hexamethyldisilazane/argon mixture at different proportions. These films were subjected to several characterizations, such as, contact angle, which presented values near to 100 degrees, surface energy, with values near to 31 mJ/m2, hardness with values between 0.7 and 2.6 GPa, thickness from 100 to 200 nm, refractive index from 1.56 to 1.64, molecular structure presenting the following functional groups in the infrared spectra region: CHx from 2960 to 2900 cm-1; Si-H around 2130 cm-1; CH3 in Si-(CH3)x around 1410 cm-1; CH3 in Si-(CH3)x in 1260 cm-1; N-H around 1180 cm-1; CH2 in Si-CH2-Si bonds around 1025 cm-1; Si-O in Si-O-Si from 1020 to 1100 cm-1; Si-N in Si-H-Si bonds around 940 cm-1; CH3 in Si-(CH3)3 in 850 cm-1; Si-C bonds in Si-(CH3)2 around 800 cm-1; and Si-H in 680 cm-1 . From these characterizations, it was possible to conclude that the concentration of argon or hexamethyldisilazane in the mixture changed the resulting polymer

Utilização de lama vermelha para oxidação eletrolítica assistida por plasma de liga de alumínio

Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior (CAPES)

Filmes finos depositados pela técnica de implantação iônica por imersão em plasma e deposição (IIIPD), utilizando o monômero HMDSN e os gases argônio, hélio e nitrogênio

Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior (CAPES)

Balanço de radiação e energia da cultura de alface em estufa de polietileno

Objetivou-se, neste trabalho, determinar os balanços de radiação e energia da cultura de alface (Lactuca sativa, L. cv. Verônica) em estufa de polietileno. O experimento foi realizado em uma estufa tipo túnel alto com cobertura de polietileno (100 mim de espessura) e em uma área externa, ambas com 35 m². Durante o ciclo da cultura, foram monitoradas as radiações global e refletida, saldo de radiação, fluxo de calor no solo e temperatura do ar (seca e úmida) nos dois meios. Utilizou-se um Datalogger que operou na freqüência de 1 Hz, armazenando médias de cinco minutos. A partir das integrações diárias das irradiâncias global (K¯) e refletida (K­), verificou-se que a transmissividade média da radiação global (K¯in / K¯ex) foi aproximadamente constante, em torno de 79,59%, enquanto a razão das radiações refletidas (K­in / K­ex) foi igual a 69,21% com coeficiente de variação de 8,47%. As curvas normalizadas do saldo de radiação de ondas curtas em relação à radiação global (K* / K¯), nos dois meios, mostraram ser aproximadamente constantes no início do ciclo e decrescentes no final. A relação (Rn/ K¯) foi maior no meio externo, em torno de 12%, a partir da fase em que a superfície verde da cultura cobriu o solo. O balanço médio (L*) de radiação de ondas longas foi maior no exterior, em torno de 50%. O balanço de energia, estimado em termos de fluxos verticais, mostrou, em média, que: no exterior, 83,07% do saldo de radiação foi convertido em calor latente (LE), 18,00% em fluxo de calor no solo (G) e 9,96% em calor sensível (H), enquanto que, no interior da estufa, 58,71% do saldo de radiação foi convertido em LE, 42,68% em H e 28,79% em G.

Estimativa da irradiação total sobre uma superfície inclinada a partir da irradiação global na horizontal

Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo (FAPESP)

Determinação de diagramas de bandas de energia e da borda de absorção em SnO2, depositado via sol-gel, sobre quartzo

Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo (FAPESP)

Estudo dos efeitos da compensação série no desempenho transitório dos sistemas de energia elétrica sob o enfoque da energia

Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior (CAPES)

Uma contribuição para o estudo da estrutura de bandas de energia em filmes finos de 'SNO IND.2'

Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo (FAPESP)

Estudo in vitro das alterações na superfície do titânio comercialmente puro e da liga de titânio Ti -6Al-4V submetida a diferentes tratamentos

Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior (CAPES)