Preparação de filmes finos ferroelétricos de SrBi2'('TA IND.1-x''NB IND.x)ÍND.2 'O IND.9' puro e dopado com tungstênio, obtidos pelo método dos precursores poliméricos

Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior (CAPES)

Preparação e caracterização de filmes finos de 'BA''BI IND.2''TA IND.2''O IND.9(BBT)' e 'BA''BI IND.2''NB IND.2''O IND.9(BBN)'

Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo (FAPESP)

Uso das técnicas de difusão em filmes finos por gradiente de concentração (DGT) e ultrafiltração com fluxo tangencial no estudo da labilidade de Al(III) e Cu(II) em sistemas aquáticos

Pós-graduação em Química - IQ

Tratamento fotocatalítico de corante ácido usando filmes finos de vidro/Ti 'O IND. 2' e degradação fotoeletrocatalítica de corante vat sobre eletrodos de filmes finos de Ti/Ti 'O IND. 2'

Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior (CAPES)

Avaliação de processos de degradação de corantes dispersos por técnicas eletroquímica e fotoeletroquímica usando eletrodos de Pt, filmes finos e nanotubos de 'TI'/'TIO IND. 2' e bicomponentes 'W'/'WO IND. 3'/'TIO IND. 2'

Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico (CNPq)

Filmes finos híbridos orgânicos-inorgânicos para fotônica

Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior (CAPES)

Estrutura eletrônica e propriedades elétricas fotoinduzidas em filmes finos de SnO2 com dopagem de Sb, e formação de heteroestruturas com TiO2

Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior (CAPES)

Filmes finos ferroelétricos do tipo PBCT, PBST e PCST: estudo experimental e teórico

Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior (CAPES)

Estudo da orientação dipolar fotoassistida de grupos azobenzênicos em filmes finos através de medidas da atividade eletro-óptica

Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo (FAPESP)

Efeito da pressão na obtenção e nas propriedades óticas e sensoras de filmes finos à base de 'SN''O IND. 2' com a adição de 'ZNO'

Pós-graduação em Química - IQ

Obtenção e caracterização de filmes finos de Bi3NbO7 pelo método dos precursores poliméricos

Pós-graduação em Engenharia Mecânica - FEG

Caracterização de filmes finos polimerizados por plasma a partir dos monômeros hexametildisilazano e acetileno e posteriormente expostos à descarga por barreira dielétrica

Pós-graduação em Engenharia Mecânica - FEG

Caracterização dos finos de areia de uma fundição e sua incorporação em argamassa de cimento

Pós-graduação em Engenharia Civil e Ambiental - FEB

Efeito da pressão em filmes finos de ZnO:Al por RF Magnetron sputtering reativo

Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico (CNPq)

Implantação iônica por imersão em plasma e deposição de filmes finos poliméricos provenientes da mistura hexametildisilazano/argônio

Thin polymeric films deposited by plasma are very atractive for many industrial and scientific applications, in areas such as electronics, mechanics, coatings, biomaterials, among others, due to its favorable properties such as good adhesion to the substrate, high crosslinking, nanomectric thickness, homogeneity, etc. In this work, thin films were deposited by plasma immersion ion implantation and deposition technique from a hexamethyldisilazane/argon mixture at different proportions. These films were subjected to several characterizations, such as, contact angle, which presented values near to 100 degrees, surface energy, with values near to 31 mJ/m2, hardness with values between 0.7 and 2.6 GPa, thickness from 100 to 200 nm, refractive index from 1.56 to 1.64, molecular structure presenting the following functional groups in the infrared spectra region: CHx from 2960 to 2900 cm-1; Si-H around 2130 cm-1; CH3 in Si-(CH3)x around 1410 cm-1; CH3 in Si-(CH3)x in 1260 cm-1; N-H around 1180 cm-1; CH2 in Si-CH2-Si bonds around 1025 cm-1; Si-O in Si-O-Si from 1020 to 1100 cm-1; Si-N in Si-H-Si bonds around 940 cm-1; CH3 in Si-(CH3)3 in 850 cm-1; Si-C bonds in Si-(CH3)2 around 800 cm-1; and Si-H in 680 cm-1 . From these characterizations, it was possible to conclude that the concentration of argon or hexamethyldisilazane in the mixture changed the resulting polymer