Preparação e caracterização de semicondutores de PbS e 'B IND. I 'IND. 2' 'S IND. 3' obtidos pelo método de deposição em banho químico

Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo (FAPESP)

Cálculo e análise de efeitos de campo magnético nos estados eletrônicos de impurezas rasas em materiais semicondutores

Pós-graduação em Ciência e Tecnologia de Materiais - FC

Modelo dinâmico e estatístico aplicado a transição de fase

Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico (CNPq)

Células solares de ZnO:Ga nanocristalino sensibilizado por corante

Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior (CAPES)

Estudo da adição de dopantes a base de carbono nas propriedades anelásticas de MgB2

Pós-graduação em Ciência e Tecnologia de Materiais - FC

O grafeno versus gás de elétrons 2d: filtro fano relativístico de spins por meio de pontas de afm e stm

Pós-graduação em Ciência dos Materiais - FEIS

Photoluminescence emission at room temperature in zinc oxide nano-columns

Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico (CNPq)

Graphene sheet versus two-dimensional electron gas: A relativistic Fano spin filter via STM and AFM tips

Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico (CNPq)

Stability-indicating LC method for the determination of cephalothin in lyophilized powder for injection

Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico (CNPq)

Estados de impurezas em semicondutores e nanoesetruturas sob campos externos

Pós-graduação em Ciência e Tecnologia de Materiais - FC

Sr2CeO4: Electronic and structural properties

Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo (FAPESP)

Spin-dependent beating patterns in thermoelectric properties: Filtering the carriers of the heat flux in a Kondo adatom system

Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico (CNPq)

Desenvolvimento de método analítico para estudo de degradação forçada de cefalotina sódica na forma farmacêutica pó liofilizado para solução injetável

Pós-graduação em Ciências Farmacêuticas - FCFAR

Finite-difference calculation of donor energy levels in a spherical quantum dot subject to a magnetic field

Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico (CNPq)

Nuclear magnetic relaxation for the spin-degenerate Anderson model

A renormalization-group calculation of the temperature-dependent nuclear spin relaxation rate for a magnetic impurity in a metallic host is reported. The calculation follows a simplified procedure, which produces accurate rates in the low-temperature Fermi-liquid regime, although yielding only qualitatively reliable results at higher temperatures. In all cases considered, as the temperature T diminishes, the rates peak before decaying linearly to zero in the Fermi-liquid range. For T → 0, the results agree very well with Shiba's expression relating the low-temperature coefficient of the relaxation rate to the squared zero-temperature susceptibility. In the Kondo limit, the enhanced susceptibility associated with the Kondo resonance produces a very sharp peak in the relaxation rate near the Kondo temperature. © 1991.