Deposition of Al2O3 by resistive evaporation and thermal oxidation of Al to be applied as a transparent FET insulating layer

Alumina thin films have been obtained by resistive evaporation of Al layer, followed by thermal oxidation by means of annealing in appropriate atmosphere (air or O2-rich), with variation of annealing time and temperature. Optical and structural properties of the investigated films reveal that the temperature of 550 °C is responsible for reasonable oxidation, which is accelerated up to 8 times for O2-rich atmosphere. Results of surface electrical resistivity and Raman spectroscopy are in good agreement with these findings. Surprisingly, X-ray and Raman data suggest also the crystallization of Si nuclei at glass substrate-alumina interface, which would come from the soda-lime glass used as substrate. © 2013 Elsevier Ltd and Techna Group S.r.l.

Pesquisa e desenvovimento de novos materiais microporosos e mesoporosos para uso em ressonância magnética nuclear por imagem como agentes de contraste

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Estudos estruturais com a importina-α de mamíferos e peptídeos de sequências de localização nuclear (NLS)

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Fusão da ressonância nuclear magnética e cintilografia mamária no carcinoma de mama localmente avançado. Análise da correlação entre os exames em pacientes submetidos à quimioterapia neoadjuvante

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Efeito da suplementação de cisteína e cisteamina sobre a maturação nuclear de oócitos de fêmeas caninas (Canis familiaris) obtidos por ovariosalpingo-histerectomia durante a fase pré-ovulatória do estro

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