Teologia do traste : a poesia do excesso de Manoel de Barros

Esta dissertação tem por objetivo analisar a estrutura poética e os recursos da obra de Manoel de Barros, poeta do Mato Grosso ainda pouco estudado no universo acadêmico e que tem recebido as mais efusivas recomendações mediante críticas em revistas e jornais brasileiros desde a década de 80. Analisamos quinze livros do autor – que serviram como principal fonte bibliográfica – em sete décadas dedicadas à literatura, a contar de sua estréia com Poemas concebidos sem pecado (1937) até Ensaios Fotográficos (2000). Pretendemos mostrar que o escritor inova ao infantilizar a forma poética, não se restringindo a somente tematizar a infância. Seus versos absorvem a percepção lúdica da criança com a linguagem, promovendo a constante ruptura com as regras gramaticais. Como também buscamos comprovar que a poesia de Manoel de Barros é feita sob a ótica do excesso, do acúmulo de imagens e metáforas, contrastando com o estilo de seu contemporâneo João Cabral de Melo Neto, caracterizado como a de uma poesia do essencial e do menos. Em nível metodológico, utilizamos como referência o livro João Cabral: A Poesia do Menos, ensaio de Antonio Carlos Secchin (de 1999), que interpreta o legado de João Cabral sob a ótica do desfalque, da redução da poesia a um dizer essencial, bem como estabelece a importância do sentimento de desconfiança em seu processo poético. Usamos tais reflexões para estabelecer comparações entre uma forma e outra de pensar a poesia, já que tanto João Cabral como Manoel de Barros estabeleceram propostas antagônicas de trabalho de uma forma simultânea, durante o mesmo período. Manoel de Barros propõe a teologia do traste e João Cabral, a psicologia da composição. Desejamos, ainda, apontar as influência do cinema e das artes plásticas, na figura da pop art, na elaboração dos livros do escritor mato-grossense.

Nanoestruturas luminescentes de Ge e Sn em camadas de SiO/sub 2/ implantadas com íons

Neste trabalho estudam-se as propriedades de nanoestruturas de Ge e Sn formadas em amostras de SiO2/Si(100) através dos processos de implantação iônica e tratamento térmico. A formação de nanocristais de Ge foi investigada em função de tratamentos térmicos em ambiente de N2. Os resultados obtidos foram correlacionados com as propriedades de luminescência das amostras, sendo feita uma discussão sobre os mecanismos atômicos envolvidos no processo de crescimento dos nanocristais de Ge, bem como seus efeitos na criação de centros luminescentes no interior da camada de SiO2, que são responsáveis por intensas bandas de fotoluminescência (PL) nas regiões espectrais do azul-violeta (≈ 3,2 eV) e ultravioleta (≈ 4,2 eV). Além disso, experimentos de irradiação com diferentes íons (He+, Si+, Kr++, Au+) foram realizados antes da implantação do Ge com o objetivo de estudar o efeito de memória que os danos criados pela irradiação apresentam sobre as propriedades estruturais e luminescentes das amostras de SiO2/Si(100) No estudo das amostras de SiO2/Si(100) implantadas com Sn, a síntese de nanopartículas de Sn foi estudada em função da temperatura e do ambiente de tratamento térmico (N2 e vácuo). De maneira pioneira mostrou-se que através da manipulação desses parâmetros é possível formar desde grandes nanocristais bi-fásicos de Sn (≈ 12 a 25 nm) em estruturas concêntricas com núcleo de β-Sn e camada externa de SnOx, até pequenas nanopartículas de Sn com diâmetros de ≈ 2 nm e uniformemente distribuídas ao longo da camada de SiO2. Além disso, observou-se que a evolução estrutural do sistema de nanopartículas de Sn influencia diretamente as características das emissões de PL azul-violeta e UV. Por fim, um outro aspecto das nanoestruturas de Sn foi estudado: a formação de um denso arranjo de ilhas epitaxiais de β-Sn na região de interface SiO2/Si. Este sistema de nano-ilhas, que cresce epitaxialmente, é uniformemente distribuído sobre a superfície do Si, apresentando uma pequena dispersão em tamanho e tendência a se auto-organizar. A criação desse sistema de nano-ilhas epitaxiais através da utilização da implantação iônica é um processo inédito, sendo discutida aqui com base nas propriedades de equilíbrio do sistema Sn-Si.

Filmes finos dielétricos para dispositivos microeletrônicos avançados

Apresentamos mecanismos de formação e de degradação térmica de filmes fi- nos (espessura da ordem de 10 nm) de diferentes dielétricos sobre substrato de silício monocristalino. Tendo em vista a aplicação dessas estruturas em MOSFETs (transistores de efeito de campo metal-óxido-semicondutor), estudamos o consagrado óxido de silício (SiO2), os atuais substitutos oxinitretos de silício (SiOxNy) e o possível substituto futuro óxido de alumínio (Al2O3). Nossos resultados experimentais baseiam-se em técnicas preparativas de substituição isotópica e de caracterização física com feixes de íons (análise com reações nucleares) ou raios- X (espectroscopia de fotoelétrons). Observamos que: (a) átomos de silício não apresentam difusão de longo alcance (além de ~ 2 nm) durante o crescimento de SiO2 por oxidação térmica do silício em O2; (b) nitretação hipertérmica é capaz de produzir filmes finos de oxinitreto de silício com até dez vezes mais nitrogênio que o resultante do processamento térmico usual, sendo que esse nitrogênio tende a se acumular na interface SiOxNy/Si; e (c) átomos de oxigênio, alumínio e silício migram e promovem reações químicas durante o recozimento térmico de estruturas Al2O3/SiO2/Si em presença de O2. Desenvolvemos um modelo de difusão-reação que poderá vir a permitir o estabelecimento de condições ótimas de processamento térmico para filmes finos de Al2O3 sobre silício a serem empregados na fabricação de MOSFETs.

Buscando caminhos entre violência e fé : um estudo da adolescência delinqüente

Este trabalho de pesquisa parte da experiência da autora em escolas públicas e objetiva um estudo sobre o fenômeno da violência do adolescente, manifesta no cotidiano do mundo contemporâneo. Busca identificar, pela fala dos adolescentes, especificamente aqueles privados de liberdade, quais situações nas histórias de suas vidas geraram marcas que os levaram a transgredir as normas sociais vigentes, chegando à privação de liberdade, encaminhando-os a instituições fechadas. Pelas suas falas, procurou-se construir uma rede de inter-locução entre a psicanálise, a filosofia, e a teologia, onde foi se constituindo uma reflexão que transpõe o racional, buscando na dimensão da fé, caminhos que possam, talvez, propor aos adolescentes “rotulados” como marginais, isto é, à margem do convívio social, uma possibilidade de retorno ao mesmo. No referencial teórico foi construída uma reflexão para que se pudesse detectar e relacionar a religião e a fé, com os estudos de Sigmund Freud e Oskar Pfister, bem como outros psicanalistas e teólogos que tenham usado da psicanálise para poder ajudar os outros em seus sofrimentos.