2 resultados para Lopez
em Universitat de Girona, Spain
Resumo:
Es presenten el conjunt daccions que han tingut com a objectiu docent, la generaci dun entorn creatiu, dinamitzador, motivador i adaptat a les noves exigncies tecnolgiques per al desenvolupament de prctiques de creaci audiovisual i multimdia. Nous plantejaments que han suposat un model docent clarament diferenciador respecte altres de facultats de lEstat Espanyol. Els tres eixos principals daquestes aportacions aplicats a assignatures ja impartides de les Llicenciatures de Publicitat i Periodisme de la URV (Tecnologia audiovisual i de la xarxa, Infodisseny i Redacci i Locuci als mitjans) sn: Desenvolupament del model volumtric daprenentatge. La creativitat tecnolgica. Un canvi que tracta de fer una transici de plantejaments docents estancs en el suport i rutinaris en la tcnica a formulacions ms obertes on l'alumne ha de potenciar l'anlisi i experimentar diferents variables de creaci on pot generar mltiples formats i utilitzar diferents suports atenent la finalitat comunicativa. El dossier audiovisual daprenentatge on line. On es generen sistemes de publicaci de prctiques audiovisuals dels alumnes a la xarxa i es constata que els estudiants quan realitzen prctiques que es converteixen en productes de comunicaci real incrementen el seu esfor; i els professors obtenen nous parmetres i instruments de valoraci, alhora que senten ms necessitat de coordinar-se i de reciclar-se . Metodologies que s'adapten al procs de universalitzaci de les tecnologies. Un nou marc on els alumnes, des de les seves llars descarreguen el software analitzat a les sessions prctiques i desenvolupen les seves prctiques a distncia amb tutories virtuals i tutorials generats pel professor. El laboratori de la universitat es trasllada a la llar de lalumne
Resumo:
The origin of the microscopic inhomogeneities in InxGa1-xAs layers grown on GaAs by molecular beam epitaxy is analyzed through the optical absorption spectra near the band gap. It is seen that, for relaxed thick layers of about 2.8m, composition inhomogeneities are responsible for the band edge smoothing into the whole compositional range (0.05<x<0.8). On the other hand, in thin enough layers strain inhomogeneities are dominant. This evolution in line with layer thickness is due to the atomic diffusion at the surface during growth, induced by the strain inhomogeneities that arise from stress relaxation. In consequence, the strain variations present in the layer are converted into composition variations during growth. This process is energetically favorable as it diminishes elastic energy. An additional support to this hypothesis is given by a clear proportionality between the magnitude of the composition variations and the mean strain
