Anàlisi tèrmica de la descomposició del carbonat càlcic

En aquest projecte s’ha emprat per primera vegada una nova tècnica d’anàlisi tèrmica desenvolupada pel Grup de Recerca en Materials (GRM) de la UdG. Per a dur a terme aquesta tasca s’ha analitzat una reacció ben coneguda, la descomposició del carbonat càlcic en atmosfera inert. En particular s’han fet un conjunt de mesures en condicions isotermes a diferents temperatures i en condicions d’escalfament continu a diferents velocitats. Per a la realització d’aquestes mesures s’empraran tres tècniques diferents: calorimetria diferencial de rastreig (DSC), termogravimetria (TGA) i anàlisis de la composició dels gasos generats en un forn per espectroscòpia de masses (EGA)

Oxidation of silicon: further tests for the interfacial silicon emission model

The classical description of Si oxidation given by Deal and Grove has well-known limitations for thin oxides (below 200 Ã). Among the large number of alternative models published so far, the interfacial emission model has shown the greatest ability to fit the experimental oxidation curves. It relies on the assumption that during oxidation Si interstitials are emitted to the oxide to release strain and that the accumulation of these interstitials near the interface reduces the reaction rate there. The resulting set of differential equations makes it possible to model diverse oxidation experiments. In this paper, we have compared its predictions with two sets of experiments: (1) the pressure dependence for subatmospheric oxygen pressure and (2) the enhancement of the oxidation rate after annealing in inert atmosphere. The result is not satisfactory and raises serious doubts about the model’s correctness