Möglichkeiten und Grenzen der Überwindung von Vorurteilen durch Verfahren der Gestaltpädagogik

Albert Einstein gilt wohl als einer der genialsten Menschen und größten Physiker aller Zeiten. Das Zitat „Es ist schwieriger, eine vorgefasste Meinung zu zertrümmern als ein Atom.“ stammte ebenfalls von ihm und verweist auf eine schier unmögliche Aufgabe. Doch bedenkt man, dass zu Einsteins Zeiten der griechische Begriff „atomos“, der dem „Atom“ seinen Namen verlieh, noch „unteilbar“ meinte, konnte (vermutlich einige Zeit nach diesem Zitat) das Unmögliche doch möglich gemacht werden. Heute, im Zeitalter der Atomenergie ist Einsteins Zitat wohl nur noch zu belächeln. Wie aber verhält es sich nun mit den vorgefassten Meinungen, mit den Stereotypen und Vorurteilen? Ist es auch heute, trotz fokussierter Anti-Diskriminierungs-Arbeit, noch nicht möglich, diese zu überwinden? Zunächst möchte ich die Begrifflichkeiten „Stereotyp“ und „Vorurteil“ in Abhängigkeit voneinander definieren. Danach soll erörtert werden, ob Stereotypen komplett erfunden sind, oder vielleicht doch einen wahren Kern besitzen. In Anlehnung an die hier dargestellten Ergebnisse, möchte ich schließlich zeigen, wie aus einem kulturellen Unterschied ein Vorurteil werden kann. Dabei stehen psychologische und soziologische Erscheinungen wie Ethnozentrismus, Wahrnehmungskonstruktion, kognitive Vereinfachung, Kategorisierung, Sozialisation und das Phänomen der selbsterfüllenden Prophezeiung im Zentrum meiner Aufmerksamkeit und sollen durch die Schilderung verschiedener Experimente ergänzt und bewiesen werden. Das vierte Kapitel soll der Relevanz von Stereotypen und Vorurteilen gelten. Dabei werde ich zuerst auf ihre allgemeinen Wirkungen und Folgen eingehen, da Vorurteile gesellschaftlich oft verpönt sind, kaum aber jemand weiß, warum. Danach möchte ich auch die Bedeutsamkeit von vorgefassten Meinungen auf Seite der Lehrer betrachten und gleichzeitig zeigen, dass niemand frei von Vorurteilen zu sein scheint. Schließlich soll auch die bildungspolitische Wichtigkeit der Abschaffung von Intoleranzen beleuchtet werden. Dazu werde ich beispielhaft die fächerübergreifenden Kompetenzen sowie den Lehrplan Französisch untersuchen. Nachdem nun die Entstehung von Vorurteilen sowie deren Bedeutung erläutert wurde, soll im darauffolgenden Kapitel gezeigt werden, wie diese abgeschafft werden können und wo die Gestaltpädagogik ansetzt. Dazu werde ich die zwölf gestaltpädagogischen Prinzipien nach Burow (1988) theoretisch auf ihre Möglichkeiten und Grenzen in der Vorurteilsüberwindung untersuchen. Diese Theorie soll schließlich auch in die Praxis umgesetzt werden. Demzufolge möchte ich in Kapitel 6 meine Erfahrungen mit Gestaltpädagogik, angewendet auf die Vorurteile französischer Schüler über Deutsche, darstellen und herausfinden, ob es tatsächlich möglich ist, Stereotypen mit Hilfe dieser Erziehungswissenschaft zu verhindern.

Atomistic-continuum modeling of ultrafast laser-induced melting of silicon targets

In this work, we present an atomistic-continuum model for simulations of ultrafast laser-induced melting processes in semiconductors on the example of silicon. The kinetics of transient non-equilibrium phase transition mechanisms is addressed with MD method on the atomic level, whereas the laser light absorption, strong generated electron-phonon nonequilibrium, fast heat conduction, and photo-excited free carrier diffusion are accounted for with a continuum TTM-like model (called nTTM). First, we independently consider the applications of nTTM and MD for the description of silicon, and then construct the combined MD-nTTM model. Its development and thorough testing is followed by a comprehensive computational study of fast nonequilibrium processes induced in silicon by an ultrashort laser irradiation. The new model allowed to investigate the effect of laser-induced pressure and temperature of the lattice on the melting kinetics. Two competing melting mechanisms, heterogeneous and homogeneous, were identified in our big-scale simulations. Apart from the classical heterogeneous melting mechanism, the nucleation of the liquid phase homogeneously inside the material significantly contributes to the melting process. The simulations showed, that due to the open diamond structure of the crystal, the laser-generated internal compressive stresses reduce the crystal stability against the homogeneous melting. Consequently, the latter can take a massive character within several picoseconds upon the laser heating. Due to the large negative volume of melting of silicon, the material contracts upon the phase transition, relaxes the compressive stresses, and the subsequent melting proceeds heterogeneously until the excess of thermal energy is consumed. A series of simulations for a range of absorbed fluences allowed us to find the threshold fluence value at which homogeneous liquid nucleation starts contributing to the classical heterogeneous propagation of the solid-liquid interface. A series of simulations for a range of the material thicknesses showed that the sample width we chosen in our simulations (800 nm) corresponds to a thick sample. Additionally, in order to support the main conclusions, the results were verified for a different interatomic potential. Possible improvements of the model to account for nonthermal effects are discussed and certain restrictions on the suitable interatomic potentials are found. As a first step towards the inclusion of these effects into MD-nTTM, we performed nanometer-scale MD simulations with a new interatomic potential, designed to reproduce ab initio calculations at the laser-induced electronic temperature of 18946 K. The simulations demonstrated that, similarly to thermal melting, nonthermal phase transition occurs through nucleation. A series of simulations showed that higher (lower) initial pressure reinforces (hinders) the creation and the growth of nonthermal liquid nuclei. For the example of Si, the laser melting kinetics of semiconductors was found to be noticeably different from that of metals with a face-centered cubic crystal structure. The results of this study, therefore, have important implications for interpretation of experimental data on the kinetics of melting process of semiconductors.