Higher Education Governance in Vietnam: University Action, the State and Changing Relationships

Diese Dissertation stellt eine Studie da, welche sich mit den Änderungen in der Governance der Hochschulbildung in Vietnam beschäftigt. Das zentrale Ziel dieser Forschungsarbeit ist die Untersuchung der Herkunft und Änderung in der Beziehung der Mächte zwischen dem vietnamesischen Staat und den Hochschulbildungsinstituten (HI), welche hauptsächlich aus der Interaktion dieser beiden Akteure resultiert. Die Macht dieser beiden Akteure wurde im sozialen Bereich konstruiert und ist hauptsächlich durch ihre Nützlichkeit und Beiträge für die Hochschulbildung bestimmt. Diese Arbeit beschäftigt sich dabei besonders mit dem Aspekt der Lehrqualität. Diese Studie nimmt dabei die Perspektive einer allgemeinen Governance ein, um die Beziehung zwischen Staat und HI zu erforschen. Zudem verwendet sie die „Resource Dependence Theory“ (RDT), um das Verhalten der HI in Bezug auf die sich verändernde Umgebung zu untersuchen, welche durch die Politik und eine abnehmende Finanzierung charakterisiert ist. Durch eine empirische Untersuchung der Regierungspolitik sowie der internen Steuerung und den Praktiken der vier führenden Universitäten kommt die Studie zu dem Schluss, dass unter Berücksichtigung des Drucks der Schaffung von Einkommen die vietnamesischen Universitäten sowohl Strategien als auch Taktiken entwickelt haben, um Ressourcenflüsse und Legitimität zu kontrollieren. Die Entscheidungs- und Zielfindung der Komitees, die aus einer Mehrheit von Akademikern bestehen, sind dabei mächtiger als die der Manager. Daher werden bei initiativen Handlungen der Universitäten größtenteils Akademiker mit einbezogen. Gestützt auf die sich entwickelnden Muster der Ressourcenbeiträge von Akademikern und Studierenden für die Hochschulbildung prognostiziert die Studie eine aufstrebende Governance Konfiguration, bei der die Dimensionen der akademischen Selbstverwaltung und des Wettbewerbsmarktes stärker werden und die Regulation des Staates rational zunimmt. Das derzeitige institutionelle Design und administrative System des Landes, die spezifische Gewichtung und die Koordinationsmechanismen, auch als sogenanntes effektives Aufsichtssystem zwischen den drei Schlüsselakteuren - der Staat, die HI/Akademiker und die Studierenden – bezeichnet, brauchen eine lange Zeit zur Detektion und Etablierung. In der aktuellen Phase der Suche nach einem solchen System sollte die Regierung Management-Tools stärken, wie zum Beispiel die Akkreditierung, belohnende und marktbasierte Instrumente und das Treffen informations-basierter Entscheidungen. Darüber hinaus ist es notwendig die Transparenz der Politik zu erhöhen und mehr Informationen offenzulegen.

Normative and cognitive influences on female entrepreneurial reluctance at the base of the pyramid - an explorative study of cleaning ladies in Istanbul

Previous research has considered entrepreneurship as a way out of poverty and as a chance to foster economic growth. Moreover, specifically start-ups headed by women have played an important role in the economic development and it has been argued that gender-related issues, amongst others, play a significant role for the performance of a country or region. Against this background, this qualitative study explores desires, reluctances and constraints toward entrepreneurial activities of a comparably homogenous group of potential (poor) entrepreneurs in an emerging economy—cleaning ladies in Istanbul. We focus on this particular context as still rather little is known on reasons why women do not start a business (in Turkey). We believe exploring the reasons why certain individuals choose not to become entrepreneurs is at least as telling as investigating why they do so. We draw upon the social dimensions of entrepreneurship by Shapero and Sokol (1982) alongside Institutional Theory and posit that normative and cognitive forces may shape individual decisions on entrepreneurship. We identified two basic clusters of women and discuss possible hindrance factors undermining entrepreneurial desires and limitations for entrepreneurship as well as possible avenues for policy makers (and MNCs) to foster entrepreneurship in the given community.

Profile simulations of gas chopping etching processes : model development and comparison with experiments

The progress in microsystem technology or nano technology places extended requirements to the fabrication processes. The trend is moving towards structuring within the nanometer scale on the one hand, and towards fabrication of structures with high aspect ratio (ratio of vertical vs. lateral dimensions) and large depths in the 100 µm scale on the other hand. Current procedures for the microstructuring of silicon are wet chemical etching and dry or plasma etching. A modern plasma etching technique for the structuring of silicon is the so-called "gas chopping" etching technique (also called "time-multiplexed etching"). In this etching technique, passivation cycles, which prevent lateral underetching of sidewalls, and etching cycles, which etch preferably in the vertical direction because of the sidewall passivation, are constantly alternated during the complete etching process. To do this, a CHF3/CH4 plasma, which generates CF monomeres is employed during the passivation cycle, and a SF6/Ar, which generates fluorine radicals and ions plasma is employed during the etching cycle. Depending on the requirements on the etched profile, the durations of the individual passivation and etching cycles are in the range of a few seconds up to several minutes. The profiles achieved with this etching process crucially depend on the flow of reactants, i.e. CF monomeres during the passivation cycle, and ions and fluorine radicals during the etching cycle, to the bottom of the profile, especially for profiles with high aspect ratio. With regard to the predictability of the etching processes, knowledge of the fundamental effects taking place during a gas chopping etching process, and their impact onto the resulting profile is required. For this purpose in the context of this work, a model for the description of the profile evolution of such etching processes is proposed, which considers the reactions (etching or deposition) at the sample surface on a phenomenological basis. Furthermore, the reactant transport inside the etching trench is modelled, based on angular distribution functions and on absorption probabilities at the sidewalls and bottom of the trench. A comparison of the simulated profiles with corresponding experimental profiles reveals that the proposed model reproduces the experimental profiles, if the angular distribution functions and absorption probabilities employed in the model is in agreement with data found in the literature. Therefor the model developed in the context of this work is an adequate description of the effects taking place during a gas chopping plasma etching process.