Identität der Identität und Differenz von Raum und Zeit bei Schelling mit Blick auf die Relativitäts- und Quantentheorie

In genannter Schrift soll versucht werden, einen aus der Kantschen und Fichteschen Erkenntnistheorie erfolgenden allgemeinen Zusammenhang herzustellen zwischen dem kategorialen Denken hinsichtlich Denken und Anschauen und dem Problem von Raum und Zeit, wie es sich mit der Entwicklung der modernen Physik durch die Relativitäts- und Quantentheorie deutlich aufdrängt. Es wird gezeigt, dass F.W.J. Schelling grundlegende Lösungsansätze hierzu bereitstellt, welche auf dem Gebiet der Logik, der Epistomologie und Naturphilosophie in der Nachfolge von Kant, Fichte und Spinoza stattfinden, jedoch weit über seine Zeit hinausreichen. Diese Ansätze werden von Schelling selbst unter den Begriff einer „Identität der Identität und Differenz“ gesetzt. In der genannten Dissertation sollen Denkbewegungen dargestellt werden, die eine Anbindung der Schellingschen Naturphilosophie an die sich mit den genannten unterschiedlichen Theorien bzw. deren problematischer Vereinheitlichung beschäftigende Physik zu erreichen versuchen. Der formelle Aufbau der Arbeit gehorcht der inhaltlichen Struktur dieser Anbindungsbemühung, insofern unterstellt wird, dass diese rein nur aus einem dialektischen Denken (sowohl in der Erkenntnistheorie, als auch Naturphilosophie) heraus überhaupt erreicht werden kann. So werden sowohl die Tätigkeiten des Verstandes als die des Anschauens in ihrem Zusammenspiel, wie aber auch die Verstandes- und Anschauungstätigkeiten an sich selbst betrachtet, dialektisch vermittelt dargestellt, was innerhalb der formellen Deduktion der Kantschen Kategorien und der korrespondierenden Anschauungsformen selbst durchgeführt wird. Schellings Intention seines späteren Denkens, die philosophischen Probleme auf die Geschichtlichkeit, die Freiheit und den Erfahrungsbezug des Menschen zu beziehen, wird nicht als Gegenposition zu den frühen Ansätze der Logik und Transzendentalphilosophie gedeutet, sondern selbst als Endpunkt einer dialektischen Entwicklung des Schellingschen Denkens gefasst. Dies ergibt folgenden formellen Aufbau der Arbeit: Zunächst wird in einem einleitenden Abschnitt über die Aufgabe der Philosophie selbst und ihrer Darstellbarkeit im Zusammenhang mit der Hegel-Schelling-Kontroverse gearbeitet, um Schelling als adäquaten Bezugspunkt für unsere moderne Diskussion auf der methodischen und sprachlichen Ebene einzuführen. Im Hauptteil werden die wesentlichen Momente der für Schelling wichtigen Transzendentalphilosophie der Jahrhundertwende dargestellt, um diese dann an den späteren phänomenologisch-epistemologischen Ansätzen zu spiegeln. Von der theoretischen Seite kommend werden die Hauptmomente der praktischen Philosophie Schellings aufgezeigt, um dann den Menschen in einem dritten Schritt Symbol der Ununterschiedenheit von logischen und freien Tätigkeiten bzw. von Leib und Seele zu deuten. Diese Resultate bleiben zunächst einmal liegen, um in dem zweiten Hauptabschnitt auf grundlegende naturphilosophische Voraussetzungen und Resultate derjenigen Physik einzugehen, welche die prinzipiellen Verständnisschwierigkeiten der Physik des frühen 20. Jahrhundert in die heutige kosmologische und atomistische Diskussion mitbringt. Der dritte Hauptabschnitt stellt den Versuch dar, Schellings Naturphilosophie an symptomatische Anschauungen der Physik heranzuführen, um ihn als zeitgenössischen Kritiker einzuführen, wie aber auch als einen, der bestimmte moderne naturwissenschaftliche bzw. physikalische Resultate im Besonderen vorwegzunehmen vermochte. Die Einführung seiner Philosophie in aktuelle naturphilosophische Diskussion wird als unabdingbare Voraussetzung zu einem zukünftigen Verständnis des Natur, des Kosmos´ und des Menschen gefordert.

Ursachen von Schulverweigerung und lokale Lösungsansätze in der Region Kassel

Generell gelten in Deutschland alle Kinder und Jugendlichen als schulpflichtig, deren Aufenthaltsort sich im Land befindet. Weiterhin gilt die Verpflichtung zum Schulbesuch für alle „bildungsfähigen“ Kinder. Der Sachverhalt der Schulverweigerung, der in Kapitel 2 und 3 zu erläutern ist, kann nur in einer Gesellschaft vorliegen, in der ein Schulbesuch gesetzlich festgelegt ist. Im Jahr 1999 lag die Zahl der Verletzungen der Schulpflicht in Hessen, laut Kultusministerium, bei 4.417. Hierbei handelt es sich allerdings nur um Fälle, bei denen ein Ordnungswidrigkeitsverfahren eingeleitet wurde also nicht um Schulversäumnisse, die von Eltern oder Ärzten entschuldigt wurden. Dies zeige allerdings, dass das Phänomen der Schulverweigerung in den letzten Jahren, gerade in den Klassen 7 bis 9 stetig zugenommen habe. Generell gehe man diesbezüglich davon aus, dass gelegentliches unerlaubtes Fernbleiben von der Schule im Jugendalter als entwicklungstypisch eingestuft werden könne. Oppositionelles und autoritätssuchendes Verhalten in der Adoleszensphase sei als ´normale` Entwicklungsstufe anzusehen und kann sich in schulabsentem Verhalten äußern. Schulverweigerung im Sinne einer Aufmerksamkeitserregung bezüglich eines psychosomatischen Krankheitsbildes tritt vorwiegend im Alter von 12 bis 14 Jahren auf. Darüber hinaus veröffentlichten die Hertie- und die Bertelsmann-Stiftung im Jahr 2002 in einer Presseinformation, dass es in Deutschland etwa 500.000 Schulschwänzer gebe. In diesem Zusammenhang würden etwa 10% bis 15% der Schüler in der Bundesrepublik die Schule ohne einen Schulabschluss verlassen, was in Zahlen ausgedrückt knapp 83.000 Kinder und Jugendliche bedeute. Von diesen Zahlen geht auch das Deutsche Jugendinstitut aus. In der Region Kassel existieren zurzeit zwei Projekte zum Umgang mit und der Prävention von Schulverweigerung. Durch das bundesweite „Netzwerk Prävention von Schulmüdigkeit und Schulverweigerung“ koordiniert wurde der 2005 ausgelaufene Modelversuch „Auf Kurs“ der Kasseler Produktionsschule BuntStift GmbH, evaluiert und ins Regelsystem übernommen. Das Projekt „Schulverweigerung - Die 2. Chance“, ausgehend vom Europäischen Sozialfond, läuft in Kassel seit 2007 beziehungsweise 2009 und beinhaltet eine Koordination von Schule und Jugendhilfe. Anknüpfend an das Prozedere bei Erkennung eines Falls von Schulverweigerung ist zu untersuchen, inwiefern und mit welchen Zielsetzungen die Reintegrationsprojekte in der Region Kassel die Ursachen von Schulverweigerung aufgreifen. In diesem Zusammenhang steht eine Kontaktaufnahme mit dem Planer des Projektes „Auf Kurs“ von BuntStift, der Georg-August-Zinn-Schule und der Offenen Schule Kassel Waldau, zwei Kooperationsschulen des Projekts, sowie der Jugendfürsorge von Landkreis und Stadt Kassel, die im Rahmen des Projektes „Schulverweigerung - Die 2. Chance“ mit Schulen und Gemeinden zusammenarbeiten. Ziel beider Projekte ist es, Schülern den Zugang zu sozialen Kompetenzen, der Bereitschaft zur Leistungsentfaltung und der Fähigkeit sich dauerhaft Lehr- und Lerninhalte anzueignen zu verschaffen. Die Darstellung der projektinternen Interventions-, Präventions- und Reintegrationsmaßnahmen vor dem Hintergrund der vielfältigen Ursachen von Schulverweigerung bilden den Schwerpunkt dieser Arbeit. In diesem Zusammenhang entsteht die Frage, inwiefern die Projekte Ursachen von Schulverweigerung präventiv und produktiv aufgreifen, um Schülern einen erfolgreichen Wiedereinstieg in das Bildungssystem zu ermöglichen und welche Rolle die Kooperation zwischen Schulen, Jugendhilfe und Eltern in dieser Hinsicht spielt.

Molecular Beam Epitaxial Growth of III-V Semiconductor Nanostructures on Silicon Substrates

The main focus and concerns of this PhD thesis is the growth of III-V semiconductor nanostructures (Quantum dots (QDs) and quantum dashes) on silicon substrates using molecular beam epitaxy (MBE) technique. The investigation of influence of the major growth parameters on their basic properties (density, geometry, composition, size etc.) and the systematic characterization of their structural and optical properties are the core of the research work. The monolithic integration of III-V optoelectronic devices with silicon electronic circuits could bring enormous prospect for the existing semiconductor technology. Our challenging approach is to combine the superior passive optical properties of silicon with the superior optical emission properties of III-V material by reducing the amount of III-V materials to the very limit of the active region. Different heteroepitaxial integration approaches have been investigated to overcome the materials issues between III-V and Si. However, this include the self-assembled growth of InAs and InGaAs QDs in silicon and GaAx matrices directly on flat silicon substrate, sitecontrolled growth of (GaAs/In0,15Ga0,85As/GaAs) QDs on pre-patterned Si substrate and the direct growth of GaP on Si using migration enhanced epitaxy (MEE) and MBE growth modes. An efficient ex-situ-buffered HF (BHF) and in-situ surface cleaning sequence based on atomic hydrogen (AH) cleaning at 500 °C combined with thermal oxide desorption within a temperature range of 700-900 °C has been established. The removal of oxide desorption was confirmed by semicircular streaky reflection high energy electron diffraction (RHEED) patterns indicating a 2D smooth surface construction prior to the MBE growth. The evolution of size, density and shape of the QDs are ex-situ characterized by atomic-force microscopy (AFM) and transmission electron microscopy (TEM). The InAs QDs density is strongly increased from 108 to 1011 cm-2 at V/III ratios in the range of 15-35 (beam equivalent pressure values). InAs QD formations are not observed at temperatures of 500 °C and above. Growth experiments on (111) substrates show orientation dependent QD formation behaviour. A significant shape and size transition with elongated InAs quantum dots and dashes has been observed on (111) orientation and at higher Indium-growth rate of 0.3 ML/s. The 2D strain mapping derived from high-resolution TEM of InAs QDs embedded in silicon matrix confirmed semi-coherent and fully relaxed QDs embedded in defectfree silicon matrix. The strain relaxation is released by dislocation loops exclusively localized along the InAs/Si interfaces and partial dislocations with stacking faults inside the InAs clusters. The site controlled growth of GaAs/In0,15Ga0,85As/GaAs nanostructures has been demonstrated for the first time with 1 μm spacing and very low nominal deposition thicknesses, directly on pre-patterned Si without the use of SiO2 mask. Thin planar GaP layer was successfully grown through migration enhanced epitaxy (MEE) to initiate a planar GaP wetting layer at the polar/non-polar interface, which work as a virtual GaP substrate, for the GaP-MBE subsequently growth on the GaP-MEE layer with total thickness of 50 nm. The best root mean square (RMS) roughness value was as good as 1.3 nm. However, these results are highly encouraging for the realization of III-V optical devices on silicon for potential applications.

Energieberatungsbericht zum Universitätsgebäude Technik III/2, Kassel

Im Rahmen des vom Hessischen Ministerium der Finanzen geförderten Forschungsprojektes „Bausteine für die CO2-Neutralität im Liegenschaftsbestand hessischer Hochschulen“ wird die neu entwickelte Teilenergiekennwertmethode, kurz TEK - an dem Universitätsgebäude Technik III/2 in der Kurt-Wolters-Straße 3, 34127 Kassel, angewandt. Das Gebäude von 1995 wird als Labor- und Bürogebäude genutzt und besitzt zusätzlich einen Hörsaal und mehrere Seminarräume. Die Außenfassade besteht aus Aluminiumelementen sowie einem großen Fensteranteil von ca. 60% auf Nord- und Südseite. Die aus den Analysen gewonnenen Gebäude- und Anlagendaten dienen als Datengrundlage für eine Querschnittsanalyse zum Nichtwohngebäudebestand. Der folgende Kurzbericht umfasst: • Eine kurze Beschreibung des Projektes und des Gebäudes, • die Bewertung des Ist-Zustands des Gebäudes, • die Angabe von Modernisierungsmaßnahmen unter Nennung der Energieeinsparung, der Grobkosten und der sich hieraus ergebenden Wirtschaftlichkeit, • einen Anhang mit ausführlichen Informationen zur Gebäudeanalyse. Der Primärenergiebedarf des Objektes wurde mit 243 kWh/(m²a) unter Berücksichtigung der vorhandenen Nutzung als „mittel“ eingestuft. Neben einer neuen Auslegung der Lüftungsanlagen, werden die Sanierung der RLT-Heizung sowie die Anbindung des RLT-Netzes an die bereits installierte Wärmerückgewinnung der Kälteanlage empfohlen. Die in den Laboren eingesetzten und nicht mehr zeitgemäßen Klimageräte sollten einer energetischen Inspektion unterzogen werden, um hohe Verbräuche zu analysieren und zu senken. Zusätzlich kann eine Senkung des Stromverbrauchs durch den Einsatz moderner Beleuchtungstechnik mit Präsenzmeldern geschaffen werden. Bei Berücksichtigung aller Maßnahmen zeigt sich eine mögliche jährliche Einsparung von 63.000 Euro bezogen auf die Gesamtkosten. Der ökologische Vergleich zeigt eine Minderung der absoluten CO2-Emissionen um knapp 300 Tonnen pro Jahr.

Analyse von unerwünschten Arzneimittelwirkungen antibiotikahaltiger Euterinjektoren von Mastitiden bei Kühen der Rasse Holstein- Friesian unter Berücksichtigung von Leistungsniveau, Genetik und Produktionsbedingungen

Das Ziel der vorliegenden Arbeit bestand darin, detailliert Wechselwirkungen zwischen dem binären Gesundheitsmerkmal klinischer Mastitis auf der einen und Produktionsmerkmalen (z. B. Milch-kg) und funktionalen Merkmalen (z.B. somatischer Zellgehalt) auf der anderen Seite unter simultaner Berücksichtigung von Umwelt und genetisch bedingten Einflussgrößen auf phänotypischer und genetischer Ebene abzubilden. Die Studie fokussierte auf innovative Aspekte der genetisch-statistischen Modellierung bzgl. der Anwendung von rekursiver Pfadmodellmethodik und einer erstmalig durchgeführten detaillierten Beschreibung bzw. Aufteilung von Umwelteffekten im Kontext quantitativ genetischer Studien. Die Aufteilung der Umwelteffekte beinhaltete nicht nur herkömmliche bekannte Effekte wie den der Herde, des Herdentesttags oder der Laktationsnummer, sondern auch tierindividuelle antibiotische Applikationen. Diese antibiotischen Applikationen wurden als zusätzlicher Effekt in die statistische Modellierung integriert, um deren Einfluss auf Produktionsmerkmale und funktionale Merkmale im weiteren Laktationsverlauf abschätzen zu können. Unerwünschte Effekte einer antibiotischen Applikation auf andere Merkmale mit ökonomischer oder auch ethologischer Relevanz implizieren eine unerwünschte Nebenwirkung von antibiotischen Applikationen im weiteren Sinne, aber basierend auf einer objektiv erfassten und quantitativ und qualitativ hochwertigen Datengrundlage. Darüber hinausgehend erfolgte die direkte Evaluierung antibiotischer Applikationen zur Behandlung klinischer Mastitiden bzgl. etwaiger auftretender unerwünschter Arzneimittelwirkungen (UAW) im Sinne der klassischen Definition. Eine systematische Analyse mit der Definition einer UAW nicht als Effekt, sondern direkt als Merkmal, erfolgte basierend auf a) initiierter Versuchsdesigns b) der intensiven Zusammenarbeit mit kooperierenden externen Tierarztpraxen und c) bereits in Datenbanken elektronisch hinterlegter Information. Basis der direkten Analyse von UAW war die UAW Datenbank des Bundesamt für Verbraucherschutz und Lebensmittelsicherheit in Berlin, in der unerwünschte Arzneimittelwirkungen seit 2005 zentral erfasst werden. Die beiden weiteren Datensätze zur quantitativ genetischen Modellierung „zu indirekten UAW“ mittels Pfadmodellmethodik waren zum einen ein Datensatz von 19870 Holstein Friesian Kühen, die in 9 Testherden in Thüringen gehalten wurden (Datensatz II) sowie ein Datensatz von 1275 Braunviehkühen, die in 46 kleinstrukturierten Betrieben in der Schweiz gehalten wurden (Datensatz III). Insgesamt wurden in Rahmen der vorliegenden Arbeit sechs verschiedene wissenschaftliche Studien (siehe Kapitel III - Kapitel VIII) auf Grundlage von drei Datenbanken bzw. Datensätzen angefertigt. Diese Kapitel stehen im Gesamtkontext dieser Dissertationsschrift.