Schlüsselqualifikationen im Hochschulbereich

Ausgehend von dem von Friedrich Edding geprägten Begriff der Schlüsselfähigkeit entwickelte Dieter Mertens Anfang der 1970er Jahre sein Konzept der Schlüsselqualifikationen. Damit suchte er Wege, Menschen so zu qualifizieren, dass sie ihnen übertragene berufliche Aufgaben, auch in einem sich rasch verändernden Umfeld, bewältigen können. In der vorliegenden Arbeit wird gezeigt, dass die Rezeption des Begriffs in verschiedenen Bildungsbereichen mit unterschiedlichen Intensitäten und Resultaten verlief. Am folgenreichsten war die Rezeption in der Berufsbildung. Von wenigen skeptischen Stimmen abgesehen, stieß das Konzept der Schlüsselqualifikationen auf positive Zustimmung und mehrere Umsetzungsversuche wurden unternommen. Diese führten allerdings zu einer Verlängerung der Liste der Schlüsselqualifikationen (die ursprünglich von Mertens als abschließbar angedacht war). Ein Konsens, was in der Berufsbildung als Schlüsselqualifikationen zu gelten hat, ist immer noch nicht in Sicht. In den allgemeinbildenden Schulen hingegen fand das Konzept keine große Beachtung. Zwar wurde hin und wieder auf den Begriff zurückgegriffen, um beispielsweise allgemein verbindliche Standards in der Schule zu thematisieren oder neuen Inhalten eine Legitimation zu verschaffen, dennoch griff die Debatte in der Schulpädagogik nicht nachhaltig. Gründe dafür liegen zum einen in der dem Konzept inhärenten berufsvorbereitenden Funktion, die der Idealvorstellung einer zweckfreien Bildung widerspricht, zum anderen in der relativ straffen und zentralisierten Gestaltung der Lehrpläne. Die vorliegende Arbeit setzt sich mit dem Konzept der Schlüsselqualifikationen im Hochschulbereich auseinander. Eine Untersuchung von ca. 130 deutsch- und englischsprachigen Arbeiten, die Schlüsselqualifikationen im Hochschulbereich zum Thema haben, belegt eine sehr große Heterogenität der zugrunde liegenden Vorstellungen und konkreten Modelle. Es wird gezeigt, dass die zwei wichtigsten Ordnungsschemata, die gelegentlich zur Abgrenzung der Schlüsselqualifikationen gegenüber anderen Bildungskomponenten herangezogen werden (nämlich die Taxonomie der Lernziele von Bloom und das Handlungskompetenzmodell von Roth in der Weiterentwicklung von Reetz) mit keinem kohärenten Rahmenwerk, das der Fülle der Modelle von Schlüsselqualifikationen im Hochschulbereich gerecht wäre, aufwarten können. Eine Alternative bietet eine diskursanalytische Perspektive foucaultscher Prägung. Begriffen als eine diskursive Formation, haben Modelle der Schlüsselqualifikationen ihre Gemeinsamkeit nicht in dem vermeintlich gemeinsamen Gegenstand. Demnach sind Schlüsselqualifikationen in der heutigen Hochschuldebatte keine Qualifikationen suis generis, die eine eigene Kategorie bilden, sondern eine Antwort auf die Herausforderungen, die die verschiedenartigen Veränderungen in und um Hochschulen mit sich bringen. Es lassen sich drei Kontexte identifizieren, in denen die Modelle der Schlüsselqualifikationen der Herausforderung zu begegnen versuchen: in der Gesellschaft im Allgemeinen, in der vor-universitären Bildung sowie in der Hochschulbildung und in der Berufswelt. In diesen Kontexten artikulieren die Modelle der Schlüsselqualifikationen verschiedene Dimensionen, um Gesellschafts-, Studier und Beschäftigungsfähigkeit der Studierenden zu fördern. Eine vergleichende Analyse der Debatten und Modelle der Schlüsselqualifikationen in der BRD und in England zeigt, dass diese drei Kontexte in beiden Ländern vorfindbar sind, jedoch deren inhaltliche Vorstellung und konkrete Umsetzung aufgrund der Partikularitäten des jeweiligen Hochschulsystems unterschiedliche Akzentuierungen erfahren. Anders als in der BRD betonen die Modelle der Förderung der Studierfähigkeit in England die Brückenkurse als Hilfestellung bei der Vorbereitung auf das Studium. Das hängt mit den uneinheitlichen Zugangsregelungen zum Hochschulstudium und der hierarchischen Struktur im englischen Hochschulsystem zusammen. Bei der Förderung der Beschäftigungsfähigkeit setzen die Modelle der Schlüsselqualifikationen in Deutschland, wo traditionell ein Hochschulstudium als berufsvorbereitend angesehen wird, den Akzent auf Praxisbezug des Studiums und auf Flexibilität. In England hingegen, wo sich das Studium per se nicht als berufsqualifizierend versteht, rücken die Modelle der Schlüsselqualifikationen den Übergang in den Arbeitsmarkt und das Karrieremanagement - subsumiert unter dem Konzept der employability - in den Vordergrund.

Methodische Grundlagen zur Bewahrung und Wiederherstellung großräumig funktionsfähiger ökologischer Beziehungen in der räumlichen Umweltplanung

Mit der Verwirklichung ,Ökologischer Netzwerke‘ werden Hoffnungen zum Stopp des Verlustes der biologischen Vielfalt verknüpft. Sowohl auf gesamteuropäischer Ebene (Pan-European Ecological Network - PEEN) als auch in den einzelnen Staaten entstehen Pläne zum Aufbau von Verbundsystemen. Im föderalen Deutschland werden kleinmaßstäbliche Biotopverbundplanungen auf Landesebene aufgestellt; zum nationalen Biotopverbund bestehen erste Konzepte. Die vorliegende Arbeit ist auf diese überörtlichen, strategisch vorbereitenden Planungsebenen ausgerichtet. Ziele des Verbunds sind der Erhalt von Populationen insbesondere der gefährdeten Arten sowie die Ermöglichung von Ausbreitung und Wanderung. Aufgrund fehlender Datengrundlagen zu den Arten und Populationen ist es nicht ohne weiteres möglich, die Konzepte und Modelle der Populationsökologie in die überörtlichen Planungsebenen zu übertragen. Gemäß der o.g. Zielstellungen sollte sich aber die Planung von Verbundsystemen an den Ansprüchen der auf Verbund angewiesenen Arten orientieren. Ziel der Arbeit war die Entwicklung einer praktikablen GIS-gestützten Planungshilfe zur größtmöglichen Integration ökologischen Wissens unter der Bedingung eingeschränkter Informationsverfügbarkeit. Als Grundlagen dazu werden in Übersichtsform zunächst die globalen, europäisch-internationalen und nationalen Rahmenbedingungen und Anforderungen bezüglich des Aufbaus von Verbundsystemen zusammengestellt. Hier sind die Strategien zum PEEN hervorzuheben, die eine Integration ökologischer Inhalte insbesondere durch die Berücksichtigung räumlich-funktionaler Beziehungen fordern. Eine umfassende Analyse der landesweiten Biotopverbundplanungen der BRD zeigte die teilweise erheblichen Unterschiede zwischen den Länderplanungen auf, die es aktuell nicht ermöglichen, ein schlüssiges nationales Konzept zusammenzufügen. Nicht alle Länder haben landesweite Biotopverbundplanungen und Landeskonzepte, bei denen dem geplanten Verbund die Ansprüche von Arten zugrunde gelegt werden, gibt es nur ansatzweise. Weiterhin wurde eine zielgerichtete Eignungsprüfung bestehender GIS-basierter Modelle und Konzepte zum Verbund unter Berücksichtigung der regelmäßig in Deutschland verfügbaren Datengrundlagen durchgeführt. Da keine integrativen regelorientierten Ansätze vorhanden waren, wurde der vektorbasierte Algorithmus HABITAT-NET entwickelt. Er arbeitet mit ,Anspruchstypen‘ hinsichtlich des Habitatverbunds, die stellvertretend für unterschiedliche ökologische Gruppen von (Ziel-) Arten mit terrestrischer Ausbreitung stehen. Kombiniert wird die Fähigkeit zur Ausbreitung mit einer Grobtypisierung der Biotopbindung. Die wichtigsten Grundlagendaten bilden die jeweiligen (potenziellen) Habitate von Arten eines Anspruchstyps sowie die umgebende Landnutzung. Bei der Bildung von ,Lebensraumnetzwerken‘ (Teil I) werden gestufte ,Funktions- und Verbindungsräume‘ generiert, die zu einem räumlichen System verknüpft sind. Anschließend kann die aktuelle Zerschneidung der Netzwerke durch Verkehrstrassen aufgezeigt werden, um darauf aufbauend prioritäre Abschnitte zur Wiedervernetzung zu ermitteln (Teil II). Begleitend wird das Konzept der unzerschnittenen Funktionsräume (UFR) entworfen, mit dem die Indikation von Habitatzerschneidung auf Landschaftsebene möglich ist. Diskutiert werden schließlich die Eignung der Ergebnisse als kleinmaßstäblicher Zielrahmen, Tests zur Validierung, Vergleiche mit Verbundplanungen und verschiedene Setzungen im GIS-Algorithmus. Erläuterungen zu den Einsatzmöglichkeiten erfolgen beispielsweise für die Bereiche Biotopverbund- und Landschaftsplanung, Raumordnung, Strategische Umweltprüfung, Verkehrswegeplanung, Unterstützung des Konzeptes der Lebensraumkorridore, Kohärenz im Schutzgebietssystem NATURA 2000 und Aufbau von Umweltinformationssystemen. Schließlich wird ein Rück- und Ausblick mit der Formulierung des weiteren Forschungsbedarfs verknüpft.

Molecular effects on the cross section for pair production and their importance in the evaluation of the total photonuclear cross section of {^16}O in the {\delta-resonance} region

The screening correction to the coherent pair-production cross section on the oxygen molecule has been calculated using self-consistent relativistic wave functions for the one-center and two-center Coulomb potentials. It is shown that the modification of the wave function due to molecular binding and the interference between contributions from the two atoms have both sizeable effects on the screening correction. The so-obtained coherent pair-production cross section which makes up the largest part of the total atomic cross section was used to evaluate the total nuclear absorption cross section from photon attenuation measurements on liquid oxygen. The result agrees with cross sections for other nuclei if A-scaling is assumed. The molecular effect on the pair cross section amounts to 15 % of the nuclear cross section in the {\delta-resonance} region.

Theory of laser-induced ultrafast structural changes in solids

The present thesis is a contribution to the study of laser-solid interaction. Despite the numerous applications resulting from the recent use of laser technology, there is still a lack of satisfactory answers to theoretical questions regarding the mechanism leading to the structural changes induced by femtosecond lasers in materials. We provide here theoretical approaches for the description of the structural response of different solids (cerium, samarium sulfide, bismuth and germanium) to femtosecond laser excitation. Particular interest is given to the description of the effects of the laser pulse on the electronic systems and changes of the potential energy surface for the ions. Although the general approach of laser-excited solids remains the same, the potential energy surface which drives the structural changes is calculated with different theoretical models for each material. This is due to the difference of the electronic properties of the studied systems. We use the Falicov model combined with an hydrodynamic method to study photoinduced phase changes in cerium. The local density approximation (LDA) together with the Hubbard-type Hamiltonian (LDA+U) in the framework of density functional theory (DFT) is used to describe the structural properties of samarium sulfide. We parametrize the time-dependent potential energy surface (calculated using DFT+ LDA) of bismuth on which we perform quantum dynamical simulations to study the experimentally observed amplitude collapse and revival of coherent $A_{1g}$ phonons. On the basis of a time-dependent potential energy surface calculated from a non-orthogonal tight binding Hamiltonian, we perform molecular dynamics simulation to analyze the time evolution (coherent phonons, ultrafast nonthermal melting) of germanium under laser excitation. The thermodynamic equilibrium properties of germanium are also reported. With the obtained results we are able to give many clarifications and interpretations of experimental results and also make predictions.

Development of directly modulated high speed telecommunication lasers based on surface defined feedback gratings

High-speed semiconductor lasers are an integral part in the implemen- tation of high-bit-rate optical communications systems. They are com- pact, rugged, reliable, long-lived, and relatively inexpensive sources of coherent light. Due to the very low attenuation window that exists in the silica based optical fiber at 1.55 μm and the zero dispersion point at 1.3 μm, they have become the mainstay of optical fiber com- munication systems. For the fabrication of lasers with gratings such as, distributed bragg reflector or distributed feedback lasers, etching is the most critical step. Etching defines the lateral dimmensions of the structure which determines the performance of optoelectronic devices. In this thesis studies and experiments were carried out about the exist- ing etching processes for InP and a novel dry etching process was de- veloped. The newly developed process was based on Cl2/CH4/H2/Ar chemistry and resulted in very smooth surfaces and vertical side walls. With this process the grating definition was significantly improved as compared to other technological developments in the respective field. A surface defined grating definition approach is used in this thesis work which does not require any re-growth steps and makes the whole fabrication process simpler and cost effective. Moreover, this grating fabrication process is fully compatible with nano-imprint lithography and can be used for high throughput low-cost manufacturing. With usual etching techniques reported before it is not possible to etch very deep because of aspect ratio dependent etching phenomenon where with increasing etch depth the etch rate slows down resulting in non-vertical side walls and footing effects. Although with our de- veloped process quite vertical side walls were achieved but footing was still a problem. To overcome the challenges related to grating defini- tion and deep etching, a completely new three step gas chopping dry etching process was developed. This was the very first time that a time multiplexed etching process for an InP based material system was demonstrated. The developed gas chopping process showed extra ordinary results including high mask selectivity of 15, moderate etch- ing rate, very vertical side walls and a record high aspect ratio of 41. Both the developed etching processes are completely compatible with nano imprint lithography and can be used for low-cost high-throughput fabrication. A large number of broad area laser, ridge waveguide laser, distributed feedback laser, distributed bragg reflector laser and coupled cavity in- jection grating lasers were fabricated using the developed one step etch- ing process. Very extensive characterization was done to optimize all the important design and fabrication parameters. The devices devel- oped have shown excellent performance with a very high side mode suppression ratio of more than 52 dB, an output power of 17 mW per facet, high efficiency of 0.15 W/A, stable operation over temperature and injected currents and a threshold current as low as 30 mA for almost 1 mm long device. A record high modulation bandwidth of 15 GHz with electron-photon resonance and open eye diagrams for 10 Gbps data transmission were also shown.

Molecular Beam Epitaxial Growth of III-V Semiconductor Nanostructures on Silicon Substrates

The main focus and concerns of this PhD thesis is the growth of III-V semiconductor nanostructures (Quantum dots (QDs) and quantum dashes) on silicon substrates using molecular beam epitaxy (MBE) technique. The investigation of influence of the major growth parameters on their basic properties (density, geometry, composition, size etc.) and the systematic characterization of their structural and optical properties are the core of the research work. The monolithic integration of III-V optoelectronic devices with silicon electronic circuits could bring enormous prospect for the existing semiconductor technology. Our challenging approach is to combine the superior passive optical properties of silicon with the superior optical emission properties of III-V material by reducing the amount of III-V materials to the very limit of the active region. Different heteroepitaxial integration approaches have been investigated to overcome the materials issues between III-V and Si. However, this include the self-assembled growth of InAs and InGaAs QDs in silicon and GaAx matrices directly on flat silicon substrate, sitecontrolled growth of (GaAs/In0,15Ga0,85As/GaAs) QDs on pre-patterned Si substrate and the direct growth of GaP on Si using migration enhanced epitaxy (MEE) and MBE growth modes. An efficient ex-situ-buffered HF (BHF) and in-situ surface cleaning sequence based on atomic hydrogen (AH) cleaning at 500 °C combined with thermal oxide desorption within a temperature range of 700-900 °C has been established. The removal of oxide desorption was confirmed by semicircular streaky reflection high energy electron diffraction (RHEED) patterns indicating a 2D smooth surface construction prior to the MBE growth. The evolution of size, density and shape of the QDs are ex-situ characterized by atomic-force microscopy (AFM) and transmission electron microscopy (TEM). The InAs QDs density is strongly increased from 108 to 1011 cm-2 at V/III ratios in the range of 15-35 (beam equivalent pressure values). InAs QD formations are not observed at temperatures of 500 °C and above. Growth experiments on (111) substrates show orientation dependent QD formation behaviour. A significant shape and size transition with elongated InAs quantum dots and dashes has been observed on (111) orientation and at higher Indium-growth rate of 0.3 ML/s. The 2D strain mapping derived from high-resolution TEM of InAs QDs embedded in silicon matrix confirmed semi-coherent and fully relaxed QDs embedded in defectfree silicon matrix. The strain relaxation is released by dislocation loops exclusively localized along the InAs/Si interfaces and partial dislocations with stacking faults inside the InAs clusters. The site controlled growth of GaAs/In0,15Ga0,85As/GaAs nanostructures has been demonstrated for the first time with 1 μm spacing and very low nominal deposition thicknesses, directly on pre-patterned Si without the use of SiO2 mask. Thin planar GaP layer was successfully grown through migration enhanced epitaxy (MEE) to initiate a planar GaP wetting layer at the polar/non-polar interface, which work as a virtual GaP substrate, for the GaP-MBE subsequently growth on the GaP-MEE layer with total thickness of 50 nm. The best root mean square (RMS) roughness value was as good as 1.3 nm. However, these results are highly encouraging for the realization of III-V optical devices on silicon for potential applications.

Re-Framing Trade

Given the substantial and increasing encroachment of trade agreements into almost every aspect of economic and social life, there is a pressing need for research that provides a more coherent framework for understanding the source and effectiveness of organised labour ’s power and capacity to influence international trade policy. Taking the union protests against the General Agreement on Trade in Services (GATS) as a case study, this research uses core concepts derived from social movement theory to analyse the opportunities that existed for unions to influence these trade negotiations and their capacity to identify and take advantage of such opportunities. Importantly, it adds a power analysis designed to reveal the sources of power that unions draw on to take action. The research demonstrates that even where unions faced considerable constraints they were able to re-frame trade issues in a way that built broad support for their position and to utilise opportunities in the trade negotiation process to mobilise resistance against the GATS and further liberalisation of services. The theoretical framework developed for the research provides conceptual tools that can be developed for improving strategic campaign planning and for analytical assessment of past campaigns. The theoretical framework developed for this research has potential for further application as an analytical and strategic planning tool for unions.

Squeezed thermal phonons precurse nonthermal melting of silicon as a function of fluence

A femtosecond-laser pulse can induce ultrafast nonthermal melting of various materials along pathways that are inaccessible under thermodynamic conditions, but it is not known whether there is any structural modification at fluences just below the melting threshold. Here, we show for silicon that in this regime the room-temperature phonons become thermally squeezed, which is a process that has not been reported before in this material. We find that the origin of this effect is the sudden femtosecond-laser-induced softening of interatomic bonds, which can also be described in terms of a modification of the potential energy surface. We further find in ab initio molecular-dynamics simulations on laser-excited potential energy surfaces that the atoms move in the same directions during the first stages of nonthermal melting and thermal phonon squeezing. Our results demonstrate how femtosecond-laser-induced coherent fluctuations precurse complete atomic disordering as a function of fluence. The common underlying bond-softening mechanism indicates that this relation between thermal squeezing and nonthermal melting is not material specific.

Controlling the transport of an ion: classical and quantum mechanical solutions

The accurate transport of an ion over macroscopic distances represents a challenging control problem due to the different length and time scales that enter and the experimental limitations on the controls that need to be accounted for. Here, we investigate the performance of different control techniques for ion transport in state-of-the-art segmented miniaturized ion traps. We employ numerical optimization of classical trajectories and quantum wavepacket propagation as well as analytical solutions derived from invariant based inverse engineering and geometric optimal control. The applicability of each of the control methods depends on the length and time scales of the transport. Our comprehensive set of tools allows us make a number of observations. We find that accurate shuttling can be performed with operation times below the trap oscillation period. The maximum speed is limited by the maximum acceleration that can be exerted on the ion. When using controls obtained from classical dynamics for wavepacket propagation, wavepacket squeezing is the only quantum effect that comes into play for a large range of trapping parameters. We show that this can be corrected by a compensating force derived from invariant based inverse engineering, without a significant increase in the operation time.

Ab initio Molecular Dynamics Simulations of the Structural Response of Solids to Ultrashort Laser and XUV Pulses

The theoretical model and underlying physics described in this thesis are about the interaction of femtosecond-laser and XUV pulses with solids. The key to understand the basics of such interaction is to study the structural response of the materials after laser interaction. Depending on the laser characteristics, laser-solid interaction can result in a wide range of structural responses such as solid-solid phase transitions, vacuum phonon squeezing, ultrafast melting, generation of coherent phonons, etc. During my research work, I have modeled the systems irradiated by low-, medium- and high-laser intensities, and studied different types of structural dynamics of solids at various laser fluences.