Optical amplification and stability of spiroquaterphenyl compounds and blends

In this contribution, we present a systematic investigation on a series of spiroquaterphenyl compounds optimised for solid state lasing in the near ultraviolet (UV). Amplified spontaneous emission (ASE) thresholds in the order of 1 μJ/cm2 are obtained in neat (undiluted) films and blends, with emission peaks at 390 1 nm for unsubstituted and meta-substituted quaterphenyls and 400 4 nm for para-ether substituted quaterphenyls. Mixing with a transparent matrix retains a low threshold, shifts the emission to lower wavelengths and allows a better access to modes having their intensity maximum deeper in the film. Chemical design and blending allow an independent tuning of optical and processing properties such as the glass transition.

Unsymmetrisch substituierte N-heterocyclische Carbene mit einem 1,1 ʹ-Ferrocendiyl-Rückgrat und N-heterocyclische Carbene als Adsorbatspezies für selbstorganisierende Monolagen

Aufbauend auf den Arbeiten von Bielawski et al. und Siemeling et al. wurden im Rahmen dieser Arbeit unsymmetrisch substituierte N-heterocyclische Carbene mit einem 1,1ʹ-Ferrocendiyl-Rückgrat synthetisiert. Ausgehend von der literaturbekannten Verbindung 1,1’-Diaminoferrocen gelang die Einführung der exocyclischen Substituenten an den Stickstoffatomen lediglich durch die Anpassung der Stöchiometrie in den einzelnen Syntheseschritten. Es wurden die folgenden drei NHCs synthetisiert: N-(2-Adamantyl)-N’-neopentyldiaminocarben[3]ferrocenophan (Ad/Np), N-Neopentyl-N’-phenyldiaminocarben[3]ferrocenophan (Ph/Np) und N-(9-Anthracenylmethyl)-N’-neopentyldiaminocarben[3]ferrocenophan (Acm/Np). Das Carben Ad/Np konnte dabei erfolgreich isoliert werden, während die anderen zwei Carbene als Liganden in Komplexen des Typs [RhCl(COD)(NHC)] stabilisiert wurden. Von allen drei Carbenen wurden Rhodium-Carben-Komplexe des Typs [RhCl(COD)(NHC)] und cis-[RhCl(CO)2(NHC)] synthetisiert. Anhand der röntgenkristallographischen und NMR-spektroskopischen Untersuchungen dieser Rhodiumkomplexe konnten in allen sechs Komplexen anagostische Wechselwirkungen zwischen dem zentralen Rhodiumatom und den Wasserstoffatomen der exocyclischen Substituenten, die sich in α-Position zu den Stickstoffatomen befinden, nachgewiesen werden. Des Weiteren wurden anhand der cis-[RhCl(CO)2(NHC)]-Komplexe die TEP-Werte der Carbene bestimmt. Gemessen in DCM betragen diese 2049 cm-1 (Ad/Np), 2049 cm-1 (Ph/Np) und 2051 cm-1 (Acm/Np). Unabhängig von den unsymmetrisch substituierten NHCs mit einem 1,1ʹ-Ferrocendiyl-Rückgrat wurde im Rahmen dieser Arbeit die Eignung von NHCs als Adsorbatspezies für selbstorganisierende Monolagen überprüft. Hierzu wurden Tetraalkylimidazol-2-ylidene synthetisiert, welche als 0.01 mM Lösung auf Gold(111)-Substrate aufgebracht wurden. Die Goldsubstrate wurden anschließend mittels XPS untersucht. Die XPS-Analyse der modifizierten Goldsubstrate zeigte, dass eine Bindung der Carbene auf der Oberfläche stattgefunden hat. Es zeigte sich allerdings auch, dass keine SAM gebildet wurden, da die Oberfläche signifikant mit kohlen- und sauerstoffbasierten Verbindungen kontaminiert ist. Dabei kann vermutet werden, dass die Carbene nicht ausschließlich auf der Goldoberfläche selbst, sondern auch mit den auf der Oberfläche befindlichen Verbindungen reagiert haben.

Synthese und Charakterisierung von Spirobi[dithienogermolen]

Ziel dieser Arbeit ist die Synthese neuartiger Verbindungen auf der Basis von Spirobi[dithienogermolen]. Der Spirokern kann durch ein Germanium-Atom ersetzt und aktive Positionen (2,2´ und 6,6´) können mit Elektronendonor- bzw. Elektronenakzeptorgruppen substituiert werden. Die neuen Spiro-Germol Verbindungen werden spektroskopisch, thermoanalytisch und elektrochemisch charakterisiert sowie ihre kristallographischen Eigenschaften ermittelt. Sie werden für den Einsatz in optoelektronischen Bauelementen wie Feldeffekttransistoren (OFETs) getestet.

Synthese, Struktur und Eigenschaften mehrfach funktionalisierter Alkinylsilane

Die vorgelegte Arbeit beschäftigt sich mit der Synthese alkinsubstituierter Silane. Die dafür erforderliche Gratwanderung zwischen organischer und anorganischer Chemie bringt Herausforderungen in der gezielten Synthese mehrfachalkinierter Silane mit sich. Hauptgebiet der vorgestellten neuen Synthesewege stellt die Darstellung relativ kleiner Polyethinylsilane dar. Angefangen bei der Etablierung allgemein gültiger Synthesevorschriften für die bisher noch sehr gering erforschten Oligochlorethinylsilane wird in weiterer Folge Wert darauf gelegt, aus diesen neuen Verbindungen über Derivatisierung weitere wertvolle Synthone der Synthesechemie zu gewinnen. Über die vorgestellten Verfahren wird so der Zugang zu Polyethinylsilanen auf neuem Wege mit deutlich verbesserter Anwendbarkeit und Ausbeute ebenso etabliert, wie die ersten Vertreter der Oligobromethinylsilane und Polyphosphanoethinylsilane. Diese Verbindungen wurden sowohl bezüglich ihrer NMR-spektroskopischen, vibronischen und strukturellen Eigenschaften charakterisiert und der weiteren Verwendung zugänglich gemacht. Ein direkter Vergleich der neu dargestellten Verbindungen untereinander als auch mit anderen Alkinylsilanen wird ebenfalls beschrieben. Neben der Synthese von Polyalkinylsilanen wurden zusätzlich anderweitige Alkinylsilane vorgestellt. So wurde eine Methode zur zielgerichteten Kupplung sterisch gehinderter Chlorsilane etabliert, aber auch ein möglicher Zugang zu verschiedenen, alkinverbrückten Chlorsilanen unter gezielter Phenolatsubstitution dargelegt.

Modification and Analysis of Group-13-Nitride Semiconductor Surfaces: Influence of Adsorbates on Device Characteristics and Processing

Im Rahmen dieser interdisziplinären Doktorarbeit wird eine (Al)GaN Halbleiteroberflächenmodifikation untersucht, mit dem Ziel eine verbesserte Grenzfläche zwischen dem Material und dem Dielektrikum zu erzeugen. Aufgrund von Oberflächenzuständen zeigen GaN basierte HEMT Strukturen üblicherweise große Einsatzspannungsverschiebungen. Bisher wurden zur Grenzflächenmodifikation besonders die Entfernung von Verunreinigungen wie Sauerstoff oder Kohlenstoff analysiert. Die nasschemischen Oberflächenbehandlungen werden vor der Abscheidung des Dielektrikums durchgeführt, wobei die Kontaminationen jedoch nicht vollständig entfernt werden können. In dieser Arbeit werden Modifikationen der Oberfläche in wässrigen Lösungen, in Gasen sowie in Plasma analysiert. Detaillierte Untersuchungen zeigen, dass die inerte (0001) c-Ebene der Oberfläche kaum reagiert, sondern hauptsächlich die weniger polaren r- und m- Ebenen. Dies kann deutlich beim Defektätzen sowie bei der thermischen Oxidation beobachtet werden. Einen weiteren Ansatz zur Oberflächenmodifikation stellen Plasmabehandlungen dar. Hierbei wird die Oberflächenterminierung durch eine nukleophile Substitution mit Lewis Basen, wie Fluorid, Chlorid oder Oxid verändert, wodurch sich die Elektronegativitätsdifferenz zwischen dem Metall und dem Anion im Vergleich zur Metall-Stickstoff Bindung erhöht. Dies führt gleichzeitig zu einer Erhöhung der Potentialdifferenz des Schottky Kontakts. Sauerstoff oder Fluor besitzen die nötige thermische Stabilität um während einer Silicium-nitridabscheidung an der (Al)GaN Oberfläche zu bleiben. Sauerstoffvariationen an der Oberfläche werden in NH3 bei 700°C, welches die nötigen Bedingungen für die Abscheidung darstellen, immer zu etwa 6-8% reduziert – solche Grenzflächen zeigen deswegen auch keine veränderten Ergebnisse in Einsatzspannungsuntersuchungen. Im Gegensatz dazu zeigt die fluorierte Oberfläche ein völlig neues elektrisches Verhalten: ein neuer dominanter Oberflächendonator mit einem schnellen Trapping und Detrapping Verhalten wird gefunden. Das Energieniveau dieses neuen, stabilen Donators liegt um ca. 0,5 eV tiefer in der Bandlücke als die ursprünglichen Energieniveaus der Oberflächenzustände. Physikalisch-chemische Oberflächen- und Grenzflächenuntersuchung mit XPS, AES oder SIMS erlauben keine eindeutige Schlussfolgerung, ob das Fluor nach der Si3N4 Abscheidung tatsächlich noch an der Grenzfläche vorhanden ist, oder einfach eine stabilere Oberflächenrekonstruktion induziert wurde, bei welcher es selbst nicht beteiligt ist. In beiden Fällen ist der neue Donator in einer Konzentration von 4x1013 at/cm-2 vorhanden. Diese Dichte entspricht einer Oberflächenkonzentration von etwa 1%, was genau an der Nachweisgrenze der spektroskopischen Methoden liegt. Jedoch werden die elektrischen Oberflächeneigenschaften durch die Oberflächenmodifikation deutlich verändert und ermöglichen eine potentiell weiter optimierbare Grenzfläche.