1 resultado para Automatic speech recognition (ASR)
em Doria (National Library of Finland DSpace Services) - National Library of Finland, Finland
Resumo:
Memristori on yksi elektroniikan peruskomponenteista vastuksen, kondensaattorin ja kelan lisksi. Se on passiivinen komponentti, jonka teorian kehitti Leon Chua vuonna 1971. Kesti kuitenkin yli kolmekymment vuotta ennen kuin teoria pystyttiin yhdistmn kokeellisiin tuloksiin. Vuonna 2008 Hewlett Packard julkaisi artikkelin, jossa he vittivt valmistaneensa ensimmisen toimivan memristorin. Memristori eli muistivastus on resistiivinen komponentti, jonka vastusarvoa pystytn muuttamaan. Nimens mukaisesti memristori kykenee mys silyttmn vastusarvonsa ilman jatkuvaa virtaa ja jnnitett. Tyypillisesti memristorilla on vhintn kaksi vastusarvoa, joista kumpikin pystytn valitsemaan syttmll komponentille jnnitett tai virtaa. Tmn vuoksi memristoreita kutsutaankin usein resistiivisiksi kytkimiksi. Resistiivisi kytkimi tutkitaan nykyn paljon erityisesti niiden mahdollistaman muistiteknologian takia. Resistiivisist kytkimist rakennettua muistia kutsutaan ReRAM-muistiksi (lyhenne sanoista resistive random access memory). ReRAM-muisti on Flash-muistin tapaan haihtumaton muisti, jota voidaan shkisesti ohjelmoida tai tyhjent. Flash-muistia kytetn tll hetkell esimerkiksi muistitikuissa. ReRAM-muisti mahdollistaa kuitenkin nopeamman ja vhvirtaiseman toiminnan Flashiin verrattuna, joten se on tulevaisuudessa varteenotettava kilpailija markkinoilla. ReRAM-muisti mahdollistaa mys useammin bitin tallentamisen yhteen muistisoluun binrisen (0 tai 1) toiminnan sijaan. Tyypillisesti ReRAM-muistisolulla on kaksi rajoittavaa vastusarvoa, mutta niden kahden tilan vlille pystytn mahdollisesti ohjelmoimaan useampia tiloja. Muistisoluja voidaan kutsua analogisiksi, jos tilojen mr ei ole rajoitettu. Analogisilla muistisoluilla olisi mahdollista rakentaa tehokkaasti esimerkiksi neuroverkkoja. Neuroverkoilla pyritn mallintamaan aivojen toimintaa ja suorittamaan tehtvi, jotka ovat tyypillisesti vaikeita perinteisille tietokoneohjelmille. Neuroverkkoja kytetn esimerkiksi puheentunnistuksessa tai tekolytoteutuksissa. Tss diplomityss tarkastellaan Ta2O5 -perustuvan ReRAM-muistisolun analogista toimintaa piten mieless soveltuvuus neuroverkkoihin. ReRAM-muistisolun valmistus ja mittaustulokset kydn lpi. Muistisolun toiminta on harvoin tysin analogista, koska kahden rajoittavan vastusarvon vlill on usein rajattu mr tiloja. Tmn vuoksi toimintaa kutsutaan pseudoanalogiseksi. Mittaustulokset osoittavat, ett yksittinen ReRAM-muistisolu kykenee binriseen toimintaan hyvin. Joiltain osin yksittinen solu kykenee tallentamaan useampia tiloja, mutta vastusarvoissa on perkkisten ohjelmointisyklien vlill suurta vaihtelevuutta, joka hankaloittaa tulkintaa. Valmistettu ReRAM-muistisolu ei sellaisenaan kykene toimimaan pseudoanalogisena muistina, vaan se vaati rinnalleen virtaa rajoittavan komponentin. Mys valmistusprosessin kehittminen vhentisi yksittisen solun toiminnassa esiintyv varianssia, jolloin sen toiminta muistuttaisi enemmn pseudoanalogista muistia.
