IGB-transistorien rinnankytkentä

Tässä kandidaatintyössä tutkitaan IGB-transistorien rinnankytkentää ja siinä usein esiintyvää virran epäsymmetristä jakaantumista. Työssä esitellään yleisempien IGB-transistorien rakenteet ja tarkastellaan niiden tärkeimpiä ominaisuuksia. IGBT:n parametrien sekä ulkoisen piirin vaikutusta virran jakaantumiseen selvitetään. Vaikuttavien tekijöiden pohjalta pyritään esittämään tarvittavat toimenpiteet sekä mittaustavat, joilla virran jakaantumista voidaan tasoittaa ja saada toteutettua luotettava IGB-transistorien rinnankytkentä.