Imprecise measurements in quantum mechanics

In this thesis the structure and properties of imprecise quantum measurements are investigated. The starting point for this investigation is the representation of a quantum observable as a normalized positive operator measure. A general framework to describe measurement inaccuracy is presented. Requirements for accurate measurements are discussed, and the relation of inaccuracy to some optimality criteria is studied. A characterization of covariant observables is given in the case when they are imprecise versions of a sharp observable. Also the properties of such observables are studied. The case of position and momentum observables is studied. All position and momentum observables are characterized, and the joint positionmomentum measurements are discussed.

Spin-offien vaikutus omistaja-arvoon

Perusteluna spin-offien toteuttamisen taustalta löytyy pyrkimys omistaja-arvon kasvattamiseen. Tämän tutkielman tarkoituksena on selvittää spin-offien vaikutusta omistaja-arvoon lyhyellä ja pitkällä aikavälillä. Aluksi tutkielmassa on tehty selkoa ulkomaisista tutkimustuloksista, joissa käsitellään spin-offien vaikutusta omistaja-arvoon. Saatuja tuloksia on verrattu lopuksi kolmeen suomalaiseen spin-offiin. Aikasempien tutkimusten tuloksiksista käy ilmi että spin-offien toteuttamisella on positiivinen vaikutus omistaja-arvoon sekä lyhyellä että pitkällä aikavälillä. Samanlainen positiivinen vaikutus voidaan todeta myös tässä tutkielmassa tutkituissa kolmessa suomalaisessa spin-off-tapauksessa. Omistaja-arvoon vaikuttavina tekijöinä otettiin huomioon yhtiöiden osakekurssien kehitys, jaetut osingot, osakkeiden jakamiset ja mahdolliset pääomanpalautukset. Tutkittavien suomalaisten yhtiöiden omistaja-arvojen kehitystä mitattiin spin-offin ilmoituspäivän läheisyydessä sekä noin yhdestä kolmeen vuotta spin-offin toteutuksen jälkeen. Saatuja tuloksia verrattiin kotimaisilta osakemarkkinoilta saatuihin keskimääräisiin tuottoihin.

Electroluminescence of silicon- and some metal oxides

In the present work electroluminescence in Si-SiO2 structures has been investigated. Electroluminescence has been recorded in the range of 250-900 nm in a system of electrolyte-insulator-semiconductor at the room temperature. The heating process of electrons in SiO2 was studied and possibility of separation it into two phases has been shown. The nature of luminescence centers and the model of its formation were proposed. This paper also includes consideration of oxide layer formation. Charge transfer mechanisms have been attended as well. The nature of electroluminescence is understood in detail. As a matter of fact, electron traps in silicon are the centers of luminescence. Electroluminescence occurs when electrons move from one trap to another. Thus the radiation of light quantum occurs. These traps appear as a result of the oxide growth. At the same time the bonds deformation of silicon atoms with SiOH groups is not excludes. As a result, dangling bonds are appeared, which are the trapping centers or the centers of luminescence.

Non-Markovian Dynamics of the Spin-Boson Model

Avointen kvanttisysteemien teoria tutkii, miten vuorovaikutus laajan ympäristön kanssa muuttaa kvanttisysteemin dynamiikkaa. Kaikki kvanttisysteemit ovat pohjimmiltaan avoimia, joten tällaisten systeemien ymmärtäminen on välttämätöntä kvanttimaailman ymmärtämiseksi. Spin-bosoni -malli kuvaa avointa kaksitasosysteemiä, joka vuorovaikuttaa bosoneista koostuvan ympäristön kanssa. Useat fysikaaliset systeemit käyttäytyvät kaksitasosysteemin tavoin matalissa lämpötiloissa, jonka vuoksi spin-bosoni -mallilla on merkittävä rooli avointen kvanttisysteemien tutkimuksessa. Tutkielman ensimmäinen luku käsittelee yleistä avointen kvanttisysteemien teoriaa ja menetelmiä ei-Markovisen liikeyhtälön johtamiseksi. Ei-Markovinen liikeyhtälö kuvaa ympäristöstä systeemiin takaisin virtaavan informaation vaikutusta systeemin dynamiikkaan. Toisessa luvussa on johdettu spin-bosoni -mallille ei-Markovinen liikeyhtälö ja tarkasteltu spin-systeemin dynamiikkaa joissain erityistapauksissa. Kolmannessa luvussa on esitelty kvanttihyppymenetelmiä avointen systeemien dynamiikan ratkaisemiseksi ja sovellettu ei-Markovisten kvanttihyppyjen teoriaa spinbosoni -mallin tutkimiseksi. Ei-Markovisten kvanttihyppyjen teoriaa käyttämällä voidaan selittää spin-systeemin tiheysmatriisin populaatioissa ja koherensseissa havaittavien ei-Markovisten efektien alkuperä käännettyjen kvanttihyppyjen avulla. Tutkielman viimeisessä osassa esitellään muutamia spin-bosoni -mallin sovellutuksia fysiikan eri alueilta.

Galvanomagnetic Phenomena in Ga1_xMnxAs

In this work temperature dependences of resistivity in zero field have been obtained for epitaxially grown Ga1_xMnxAs thin films with 6 % and 8 % Mn content in 50 300 K temperature range. Decrease of resistivity has been observed. Negative magnetoresistance has been explained by empirical spin dependent hopping model. Hall effect has been studied and anomalous Hall effect, inherent to ferromagnetic materials, has been observed. Both normal and anomalous Hall coefficients have been calculated from experimental data, as well as hole densities. Activation energy of impurity level has been estimated.