La mineralització kàrstica (Ba,Cu,Pb,Zn,Sb) de Rocabruna i de Can Pubill, Pirineo Oriental: geologia, morfologia i gènesi

La mineralització consisteix en el rebliment de cavitats mètriques de morfologia kàrstica, encaixades en dolomies Cambro-Ordovicianes. Les cavitats són plenes de baritina amb una aurèola centi a mil·limètrica de quars i sulfurs (tetraedrita-tennantita, calcopirita, galena, esfalerita). La mineralització és situada a prop i per sota d'una paleosuperficie sobre la qual es depositaren els red-beds, amb disseminacions de baritina, de fàcies garumniana (Cretaci superior-Paleocè). Les condicions de deposició son coherents amb una precipitació a partir de solucions, inicialment àcides, que omplien cavitats preexistents.

Genetic markers of the Va/Ba balanced lethal strain of Drosophila subobscura

The Va/Ba strain, constructed by Sperlich et al. (1977), is the only balanced lethal strain in D. subobscura. It allows the production of homozygous O chromosomes and has been a useful tool not only to analyse chromosomal viabilities but also to obtain homokaryotypic lines (Mestres and Serra, 2008). Besides the morphological dominant mutations Va (Varicose) and Ba (Bare), other genetic markers have been characterized in this strain, some of them by our group and not described previously. Here we present a list of these markers.

Obtención de láminas delgadas de Y-Ba-Cu-O sobre Si (100)

Se ha utilizado la evaporación secuencial de Cu, Y2O3 y BaF2 para la obtención de láminas delgadas superconductoras de YBa-CuO sobre substratos de Si monocristalino con orientación [100], recubiertos con una lámina barrera de Zr02. Se han estudiado los efectos de la variación de los espesores relativos de las láminas constituyentes y del espesor total de la lámina resultante. Las láminas se han caracterizado mediante medidas de la variación de la resistencia con la temperatura, microscopía electrónoca de barrido, difractometría de rayos X, microson-da electrónica y espectometría de masas de iones secundarios. Las láminas presentan un ligero carácter semiconductor en el estado normal, con temperaturas de inicio de la transición su-perconductora alrededor de 90 K, y resistencia nula, en el mejor de los casos, a 45 K.